公开(公告)号：CN101895062A

公开(公告)日：2010-11-24

申请号：CN201010235391.7

申请日：2007-11-12

Applicant: 索尼株式会社

Inventor： 古嶋裕司 ,  阿部博明 ,  工藤久 ,  藤本强 ,  青嶋健太郎

IPC: H01S5/40 ,  G11B7/12

CPC classification number: H01S5/4043 ,  B82Y20/00 ,  G11B7/1275 ,  G11B2007/0006 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48464 ,  H01S5/0224 ,  H01S5/02272 ,  H01S5/02276 ,  H01S5/02476 ,  H01S5/0425 ,  H01S5/2214 ,  H01S5/2224 ,  H01S5/3432 ,  H01S5/34326 ,  H01S5/34333 ,  H01S5/4087 ,  H01L2924/00014

Abstract: 本发明提供了一种半导体发光器件、具有该半导体发光器件的光学拾取单元及信息记录/再现装置。在半导体发光器件中，提供通过设计连接衬垫的布置而小型化的半导体发光器件。第二发光器件层叠在第一发光器件上。第二发光器件具有形成在第二衬底上朝向第一衬底一侧上的条状半导体层，条状p侧电极向半导体层提供电流，条状相对电极分别在相对各自的第一发光器件的p侧电极布置且与第一发光器件的p侧电极电连接，连接衬垫分别与各自的相对电极电连接，且连接衬垫与p侧电极电连接。连接衬垫平行相对电极布置。

公开(公告)号：CN101447640A

公开(公告)日：2009-06-03

申请号：CN200810165771.0

申请日：2008-09-23

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 山口勉 ,  田代贺久 ,  森健三 ,  坂本博夫 ,  西田武弘

IPC: H01S5/00 ,  H01S5/022

CPC classification number: H01S5/4031 ,  H01S5/02212 ,  H01S5/0224 ,  H01S5/02244 ,  H01S5/02272 ,  H01S5/02476 ,  H01S5/4087

Abstract: 本发明提供一种能够减小激光器的起偏振角的半导体发光装置及其制造方法。本发明的半导体发光装置是将半导体激光芯片(11)以结向下方式接合到AlN衬底(12)上，并将该AlN衬底(12)接合到Cu管座(13)(封装)上而形成的。将与半导体激光芯片(11)的激光照射方向垂直的方向作为AlN衬底(12)的宽度W的方向。对AlN衬底(12)厚度H和宽度W进行设定，使得半导体激光芯片(11)与AlN衬底(12)发生接合的面的中心部受到的等效应力与AlN衬底(12)的宽度W方向的应力相乘后所得的数值∑不会超过通过改变AlN衬底(12)的厚度H和宽度W所能得到的数值∑的最大值的70％。

公开(公告)号：CN101361239A

公开(公告)日：2009-02-04

申请号：CN200780001821.5

申请日：2007-01-16

Applicant: 詹诺普蒂克激光二极管有限公司

Inventor： D·洛伦岑 ,  P·亨尼希 ,  M·施罗德 ,  U·勒里希

IPC: H01S5/02 ,  H01S5/40 ,  H01S5/024

CPC classification number: H01S5/4043 ,  H01S5/02268 ,  H01S5/02272 ,  H01S5/02276 ,  H01S5/02423 ,  H01S5/02476 ,  H01S5/4018

Abstract: 构成一种在功率上可标度的激光辐射源，使多个激光二极管元件可以不多的制造费用等距地堆叠并可以低应力地安装在一载体上。激光辐射源包括一垂直叠的激光二极管元件(1)，它们在两侧经由导电的基层(2、3)触点接通；和一多层载体(4)，其包括一第一和一第二金属层(5、6)，它们通过至少一个由非金属材料构成的电绝缘层(7)分离。至少一个金属层分成并排的且以一彼此间距设置的多个金属层区域(8)。相邻的激光二极管元件(1)的各相反极的基层安装在一金属层(8)的共同的层区域上。准直仪透镜(11)用作由激光二极管元件(1)辐射的射线的准直。

公开(公告)号：CN1972045A

公开(公告)日：2007-05-30

申请号：CN200610171853.7

申请日：2006-11-07

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 松本晃广

IPC: H01S5/00

CPC classification number: H01S5/0224 ,  B82Y20/00 ,  H01S5/0021 ,  H01S5/0216 ,  H01S5/02272 ,  H01S5/02461 ,  H01S5/02476 ,  H01S5/0287 ,  H01S5/0425 ,  H01S5/22 ,  H01S5/34326 ,  H01S5/3436 ,  H01S2301/18

Abstract: 在层积焊料层(71)的半导体激光元件(32)的最表面部(55)中，在发光区(40)的长边方向(X)及与半导体激光元件(32)、焊料层(71)及装配台(72)的层积方向垂直的宽度方向(Y)上，通过发光区(40)的中央，并且在从与上述宽度方向(Y)垂直的假想一平面到宽度方向(Y)的外侧预先设定的第二距离(L3)的范围(60)内，沿长边方向(X)，形成比发光区(40)的长度(L6)更短、并且与上述焊料层(71)不完全粘接的不完全粘接层(51)。不完全粘接层(51)或者不与焊料层(71)粘接，或以不完全状态粘接焊料层(71)。此外，在最表面部(55)中除不完全粘接层(51)外的剩余部分，形成完全粘接层(53)。

公开(公告)号：CN1298032C

公开(公告)日：2007-01-31

申请号：CN03803944.3

申请日：2003-03-03

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 天羽映夫 ,  石井隆 ,  桧垣贤次郎 ,  筑木保志

IPC: H01L21/60 ,  H01L33/00 ,  H01S5/022

CPC classification number: H01S5/02272 ,  H01L33/62 ,  H01L2924/0002 ,  H01S5/02476 ,  H01L2924/00

Abstract: 一种能够可靠地将半导体发光器件安置于其上的次载具和与所述次载具相结合的半导体组件。次载具3包括(a)次载具衬底4；以及(b)形成在次载具衬底4上表面4f上的焊料层8。焊料层8在熔化之前的表面粗糙度Ra最大为0.18μm。优选焊料层8在熔化之前的表面粗糙度Ra最大为0.15μm，尤其优选为0.10μm。半导体组件1包括次载具3和安置在次载具3焊料层8上的激光二极管2。

公开(公告)号：CN1832277A

公开(公告)日：2006-09-13

申请号：CN200610059502.7

申请日：2006-03-10

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 池原正博

IPC: H01S5/022 ,  H01S5/00

CPC classification number: H01S5/02236 ,  H01S5/02268 ,  H01S5/02476

Abstract: 本发明公开了一种半导体激光装置及其制造方法，所述半导体激光装置包括子安装架以及安装在子安装架上的激光器芯片。该子安装架具有相对于激光器芯片的发光面倾斜的前端面和形状与前端面的形状互补的后端面。

公开(公告)号：CN1650411A

公开(公告)日：2005-08-03

申请号：CN03809710.9

申请日：2003-04-24

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 石井隆 ,  桧垣贤次郎 ,  筑木保志

IPC: H01L21/52 ,  H01L23/12

CPC classification number: H01S5/02236 ,  H01L23/488 ,  H01L33/62 ,  H01L2224/83192 ,  H01S5/02272 ,  H01S5/02476

Abstract: 一种次载具，能以高结合强度将半导体发光器装在它上面；一种半导体组件与所述次载具相结合。所述次载具包括：(a)次载具衬底；(b)形成于次载具衬底的上表面的焊料层；以及(c)焊料紧密接触层，它形成于次载具衬底与焊料层之间，并且它的结构是使主要由至少一种过渡元素构成的过渡元素层和主要由至少一种贵金属构成的贵金属层叠置。上述结构中，使过渡元素层形成于次载具衬底的侧面。所述半导体组件设置有被安置在次载具的焊料层上的半导体发光器件。

公开(公告)号：CN1617402A

公开(公告)日：2005-05-18

申请号：CN200410044585.3

申请日：2004-05-13

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 桂溶灿 ,  朴文圭 ,  辛斗植 ,  金维植

IPC: H01S5/026 ,  H01S5/022 ,  H01S5/024

CPC classification number: H01S5/02212 ,  H01S5/0071 ,  H01S5/02248 ,  H01S5/02476 ,  H01S5/0427 ,  H01S5/06226 ,  H01S5/0683

Abstract: 一种晶体管外形罐(TO－can)型光模块，其包括芯柱、被布置在芯柱中的副管座，以及被安装在副管座中的激光二极管(LD)。具有倾斜的光入射面的光电二极管(PD)将LD发出的光转换成电流。多个引线延伸穿过芯柱，同时电连接到副管座。PD的倾斜的光入射面使得可以获得足够的监测光电流，并且允许p型电极的p侧朝上粘结。由此，块上激光二极管的最小边模抑制比增大了。偏置T形接头被内置于晶体管外形罐中，以减少由直流电流造成的热，以及提高光电效率，同时抑制LD芯片的温度上升。

公开(公告)号：CN1601771A

公开(公告)日：2005-03-30

申请号：CN200410011904.0

申请日：2004-09-24

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 石田真也

IPC: H01L33/00 ,  H01L23/00 ,  H01S5/00

CPC classification number: B82Y20/00 ,  H01L33/62 ,  H01L33/641 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2924/01021 ,  H01L2924/01046 ,  H01L2924/01057 ,  H01L2924/01063 ,  H01L2924/01077 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/12041 ,  H01S5/0021 ,  H01S5/02272 ,  H01S5/02476 ,  H01S5/2231 ,  H01S5/34333 ,  H01L2924/00014

Abstract: 本发明的一个目的是通过改善安装中的成品率提供一种具有长寿命的半导体发光器件。为了达到这一目的，半导体发光器件包括：具有n型GaN衬底的半导体发光元件芯片；其上安装半导体发光元件芯片的由SiC制成的散热器；将n型GaN衬底连接到散热器的由AuSn制成的焊料；其上安装散热器的支撑底座；以及将散热器连接到支撑底座的由In或SnAgCu制成的第二焊料。焊料的厚度范围从1μm或更大至20μm或更小，散热器的厚度范围从100μm或更大至500μm或更小。

公开(公告)号：CN107743592B

公开(公告)日：2019-08-13

申请号：CN201680026067.X

申请日：2016-05-04

Applicant: 通快光子学公司

Inventor： R·W·罗夫 ,  李宇锋 ,  H-G·特罗伊施 ,  S·海涅曼

IPC: G02B3/00 ,  H01S5/40 ,  H01S5/00 ,  G02B27/30 ,  H01S5/022 ,  H01S5/024

CPC classification number: G02B3/0037 ,  G02B27/30 ,  H01S5/005 ,  H01S5/02252 ,  H01S5/02272 ,  H01S5/02476 ,  H01S5/4012 ,  H01S5/4018 ,  H01S5/4025 ,  H01S5/4043

Abstract: 一种激光二极管组件包含以一排紧密封装的多个激光二极管芯片(1402)。每一个激光二极管芯片在P侧和N侧结合到第一和第二子安装座(1409,1410)。然后将子安装座附接到冷却载体(1401)，两个结合表面垂直于载体的顶面。激光辐射的方向平行于载体顶面，并且激光二极管芯片的有源区(1403)的顶部(1404)与载体之间的距离优选地位于以一排封装的各个激光源的间距的一半(1413)的范围内，优选在0.2mm至1mm的范围内，以允许高功率运行的高效冷却。子安装座可以是导电的，或者它们可以是至少部分地被导电层覆盖的绝缘材料。