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公开(公告)号:CN106019729A
公开(公告)日:2016-10-12
申请号:CN201610177481.2
申请日:2016-03-25
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: G02F1/1343 , G02F1/1362
CPC classification number: G02F1/134363 , G02F1/134309 , G02F1/136227 , G02F2001/134372 , G02F2001/134381 , G02F2001/136295 , G02F1/1362
Abstract: 本发明涉及显示装置、包括该显示装置的显示模块、以及包括该显示装置或该显示模块的电子设备。提供了一种具有低功率消耗和高显示质量的显示装置。该显示装置包括第一电极和第二电极。一个像素包括:其中在所述第一电极和所述第二电极之间的距离恒定的区域,以及其中该距离变化的区域。这种结构使得液晶的切换操作能够在预定区域开始,从而改善液晶操作的稳定性。像素区域被分成两个区域,其中当进行切换时,液晶在这两个区域中沿两个各自的方向配向,从而改善了观看角度特性。此外,对第三电极施加的电位抑制液晶的配向的混乱,因而改善显示质量。
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公开(公告)号:CN104062794B
公开(公告)日:2016-09-21
申请号:CN201410255565.4
申请日:2014-06-10
Applicant: 深圳市华星光电技术有限公司
Inventor: 徐向阳
IPC: G02F1/1333 , G03F7/20
CPC classification number: G02F1/13439 , G02F1/1333 , G02F1/1339 , G02F1/1362 , G02F1/136286 , G02F2001/136236 , G02F2001/136295 , G03F1/50 , G03F1/76 , G03F1/80 , G03F7/2002 , H01L21/28008 , H01L21/283 , H01L21/32139
Abstract: 本发明公开了一种掩膜板以及紫外线掩膜板、阵列基板的制造方法,属于显示技术领域,能够降低紫外线掩膜板的制造成本。该掩膜板,包括全透光区域、半透光区域和不透光区域;所述全透光区域对应于液晶面板的框胶区域,所述不透光区域对应液晶面板的图层图案区域,所述掩膜板的其余区域为所述半透光区域。本发明可用于液晶电视、液晶显示器、手机、平板电脑等显示装置的制造。
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公开(公告)号:CN105929615A
公开(公告)日:2016-09-07
申请号:CN201610452464.5
申请日:2016-06-21
Applicant: 武汉华星光电技术有限公司
IPC: G02F1/1362 , G02F1/1368 , H01L21/77 , H01L27/32
CPC classification number: H01L27/1251 , G02F1/136213 , G02F1/1368 , G02F2001/136231 , G02F2001/13685 , H01L21/28273 , H01L27/1225 , H01L27/1255 , H01L27/1288 , H01L27/3262 , H01L27/3265 , H01L29/78675 , H01L29/7869 , H01L29/788 , H01L27/3244 , G02F1/1362 , H01L21/77
Abstract: 本发明公开了一种薄膜晶体管阵列基板及液晶面板。该薄膜晶体管阵列基板包括:基板,以及形成于基板上的硅薄膜晶体管、半导体氧化物晶体管和电容。其中,硅薄膜晶体管和半导体氧化物晶体管具有相同的顶栅结构,从而可以兼容硅薄膜晶体管和半导体氧化物晶体管制程,减少光刻胶掩膜板的使用次数,进而减少薄膜晶体管阵列基板的生产成本。另外,电容和硅薄膜晶体管或半导体氧化物晶体管重叠设置,从而可以大大增加底发射的OLED的开口率。
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公开(公告)号:CN105911782A
公开(公告)日:2016-08-31
申请号:CN201610427042.2
申请日:2016-06-15
Applicant: 深圳爱易瑞科技有限公司
IPC: G02F1/1362 , G02F1/1343 , G02F1/1333
CPC classification number: G02F1/136259 , G02F1/133345 , G02F1/134309 , G02F1/1362 , G02F1/136286 , G02F2001/136254
Abstract: 本发明公开了一种高清晰的液晶显示装置和显示面板。显示面板包括:彩色滤光片基板;液晶层;薄膜晶体管阵列基板,薄膜晶体管阵列基板包括:像素电极,包括第一电极部和第二电极部;第一薄膜晶体管,包括第一栅极、第一源极、第一漏极、第二漏极,第一漏极与第一电极部连接,第二漏极与第二电极部连接;第二薄膜晶体管,包括第二栅极、第二源极、第三漏极、第四漏极,第三漏极与第一电极部连接,第四漏极与第二电极部连接;栅极线,与第一栅极连接;测试信号线,与第二薄膜晶体管连接;修复备用线,修复备用线与第二薄膜晶体管连接。本发明能在栅极线出现断线缺陷时对栅极线进行修补,提高显示面板的制造良率。
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公开(公告)号:CN104375343B
公开(公告)日:2016-08-31
申请号:CN201410655348.4
申请日:2014-11-17
Applicant: 深圳市华星光电技术有限公司
Inventor: 姚晓慧
IPC: G02F1/1362 , G02F1/133 , G09G3/36
CPC classification number: G09G3/3677 , G02F1/134309 , G02F1/1362 , G02F1/13624 , G02F1/136286 , G02F1/1368 , G09G3/003 , G09G3/3648 , G09G3/3659 , G09G3/3688 , G09G2300/0426 , G09G2300/0447 , G09G2300/0814 , G09G2300/0819 , G09G2300/0842 , G09G2310/0251 , G09G2310/08 , G09G2320/0204 , G09G2320/0233 , G09G2320/0242 , G09G2320/0247 , H04N13/341 , H04N13/398
Abstract: 本发明公开了一种阵列基板和液晶显示面板及其驱动方法。该阵列基板上包括有多个像素单元,每一像素单元包括主区电极和次区电极以及分享电容。其中连接分享电容与次区电极的分享控制开关的控制端通过一控制开关连接从本像素单元起沿扫描方向排列的第N个像素单元对应的扫描线。该控制开关配置成在二维扫描模式下至少当其连接的扫描线上有扫描信号时导通,以及在三维扫描模式下至少当其连接的扫描线上有扫描信号时截止。本发明提供的液晶显示面板既能够在二维扫描模式下避免大视角色偏现象,又能够在三维扫描模式下改善左右眼亮度差。
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公开(公告)号:CN105892191A
公开(公告)日:2016-08-24
申请号:CN201610084907.X
申请日:2016-02-14
Applicant: 精工爱普生株式会社
Inventor: 中岛嘉树
IPC: G02F1/167
CPC classification number: G02F1/167 , G02F1/13306 , G02F1/133345 , G02F1/133512 , G02F1/13394 , G02F1/1362 , G02F2001/1672 , G02F2201/08 , G02F2201/38 , G02F2001/1674 , G02F2001/1676
Abstract: 本发明提供不易在分隔壁部反射光的、具有高对比度的电泳显示装置、电泳显示装置的制造方法以及电子设备。电泳显示装置(1)具备设有半导体元件(9c)的第一基材(8);与第一基材(8)相对的第二基材(16);以及位于第一基材(8)与第二基材(16)之间的、用于划分像素区域(6)的分隔壁(5),当从第二基材(16)侧观察时,在与分隔壁(5)相对的位置上具有减少光的反射的降反射膜(7)。
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公开(公告)号:CN104122723B
公开(公告)日:2016-08-17
申请号:CN201410310755.1
申请日:2014-07-01
Applicant: 深圳市华星光电技术有限公司
Inventor: 柴立
IPC: G02F1/1362 , G02F1/1333
CPC classification number: G02F1/1333 , G02F1/1362
Abstract: 本发明公开了一种阵列基板及其制作方法,该阵列基板包括:一基板,具有第一表面和第二表面;以及一像素阵列层,设置于第一表面上,其中,像素阵列层包括:至少两扫描线,设置于第一表面上;一第一覆盖层,覆盖于扫描线和第一表面之上;至少两数据线,设置于第一覆盖层之上;以及一第二覆盖层,覆盖于数据线和第一覆盖层之上;其中,扫描线具有第一分段,第一分段位于相邻的两数据线之间,数据线具有第二分段,第二分段位于相邻的两扫描线之间,像素阵列层与第一分段对应的部分设置有第一凹陷部,像素阵列层与第二分段对应的部分设置有第二凹陷部。本发明能使得处于制程阶段的阵列面板上的液体不会被所述阵列面板上的扫描线和数据线蓄起/包围。
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公开(公告)号:CN103676385B
公开(公告)日:2016-08-17
申请号:CN201310733619.9
申请日:2013-12-27
Applicant: 深圳市华星光电技术有限公司
Inventor: 徐向阳
IPC: G02F1/1362 , G02F1/133
CPC classification number: G02F1/136286 , G02F1/1362 , G02F1/136213 , G02F1/13624 , G02F1/1368 , G02F2001/13629 , G09G3/36 , G09G3/3655 , H01L27/124 , H01L27/1255
Abstract: 本发明提供一种像素结构,结构简单,其采用存储电容Cst的一个电极与栅极线共电位的结构设计,即在不减少开口率的情况下,采用两条(或三条)栅极线结构,其中一条用于将像素电极上的电压提前一行扫描时间置于基准电压,同时,也利用其与另一像素结构的像素电极部分重叠来提供存储电容,进而缩短像素单元的充电时间,提高像素单元的充电速率。
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公开(公告)号:CN105826330A
公开(公告)日:2016-08-03
申请号:CN201610317785.4
申请日:2016-05-12
Applicant: 京东方科技集团股份有限公司 , 北京京东方光电科技有限公司
Inventor: 刘琨
IPC: H01L27/12 , H01L21/77 , G02F1/1362 , G02F1/1368
CPC classification number: H01L27/124 , G02F1/136227 , G02F2001/134372 , H01L21/0217 , H01L21/0274 , H01L21/31111 , H01L21/76802 , H01L21/77 , H01L23/291 , H01L23/3171 , H01L27/12 , H01L27/1248 , H01L27/1262 , H01L27/1288 , H01L27/1214 , G02F1/1362 , G02F1/1368 , H01L27/1259 , H01L2021/775
Abstract: 本发明提供了一种阵列基板及其制作方法、显示面板、显示装置。该阵列基板包括基底以及依次形成在基底上的栅极层、栅绝缘层、有源层、源漏电极层、刻蚀阻挡层、平坦层、第一电极层、钝化层和第二电极层;其中,在过孔区域,刻蚀阻挡层、平坦层和钝化层中形成有过孔;第一电极层包括公共电极图形和防刻蚀图形;防刻蚀图形包括多个防刻蚀结构,每一个防刻蚀结构对应填充到一个过孔中;第二电极层包括像素电极图形,像素电极图形中的像素电极通过过孔中的防刻蚀结构与源漏电极层导电连接。通过在过孔内部形成防刻蚀图形,可以在过孔过刻时对平坦层下的刻蚀阻挡层进行保护,使其不会发生横向化学反应刻蚀,保证第二电极层与源漏电极层的能够良好搭接。
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公开(公告)号:CN105826248A
公开(公告)日:2016-08-03
申请号:CN201610141051.5
申请日:2016-03-11
Applicant: 深圳市华星光电技术有限公司
Inventor: 葛世民
IPC: H01L21/77 , G02F1/1343 , G02F1/1362 , H01L27/12
CPC classification number: G02F1/1343 , G02F1/1362 , H01L21/77 , H01L27/1288 , G02F1/134363 , G02F1/136227 , G02F2001/136295 , H01L27/1214
Abstract: 本发明提供一种FFS模式的阵列基板及制作方法,该FFS模式的阵列基板包括玻璃基板,所述栅极设置于该玻璃基板上;第一绝缘层,其设置于该玻璃基板以及栅极上;半导体层,其设置于所述第一绝缘层上,所述半导体层包括沟道区域以及公共电极区域,在所述半导体层的沟道区域形成所述沟道半导体层,在所述半导体层的公共电极区域的半导体掺杂形成公共电极层;第二绝缘层,其沉积于该沟道半导体层、公共电极层以及第一绝缘层上,该第二绝缘层上形成有将该沟道半导体层露出的第一过孔以及第二过孔。本发明具有缩短工艺流程、减少光罩次数的有益效果。
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