Invention Grant
- Patent Title: 像素结构
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Application No.: CN201310733619.9Application Date: 2013-12-27
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Publication No.: CN103676385BPublication Date: 2016-08-17
- Inventor: 徐向阳
- Applicant: 深圳市华星光电技术有限公司
- Applicant Address: 广东省深圳市光明新区塘明大道9—2号
- Assignee: 深圳市华星光电技术有限公司
- Current Assignee: 深圳市华星光电技术有限公司
- Current Assignee Address: 广东省深圳市光明新区塘明大道9—2号
- Agency: 深圳市德力知识产权代理事务所
- Agent 林才桂
- Main IPC: G02F1/1362
- IPC: G02F1/1362 ; G02F1/133
Abstract:
本发明提供一种像素结构，结构简单，其采用存储电容Cst的一个电极与栅极线共电位的结构设计，即在不减少开口率的情况下，采用两条（或三条）栅极线结构，其中一条用于将像素电极上的电压提前一行扫描时间置于基准电压，同时，也利用其与另一像素结构的像素电极部分重叠来提供存储电容，进而缩短像素单元的充电时间，提高像素单元的充电速率。
Public/Granted literature
- CN103676385A 像素结构 Public/Granted day:2014-03-26
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IPC分类:
