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公开(公告)号：CN110938065A
公开(公告)日：2020-03-31
申请号：CN201811281723.8
申请日：2018-10-31
Applicant: 苏州大学
IPC: C07D405/14 , C07D409/14 , C09K11/06 , H01L51/54
Abstract: 本发明涉及一类新型的基于杂环修饰的咔唑-三嗪衍生物，其具有高荧光量子产率和热激活延迟荧光的性质。因此以该类衍生物作为荧光掺杂染料发展的蓝光有机电致发光器件具有低工作电压、高效率以及高荧光量子产率等优点。
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公开(公告)号：CN110713486A
公开(公告)日：2020-01-21
申请号：CN201810762208.5
申请日：2018-07-12
Applicant: 苏州大学
IPC: C07D413/14 , C07D417/14 , C09K11/06 , H01L51/54
Abstract: 本发明提供的一类具有自组装特性的嘧啶衍生物有高的荧光量子产率和热激活延迟荧光的性质，因此可用于有机电致发光器件的材料，尤其可用于高效橙红光非掺杂荧光剂。作为非掺杂荧光剂构成的有机电致发光器件具有低驱动电压、低效率滚降以及高效率等特点。因此，由本发明的嘧啶衍生物可用作能够以低电压驱动的、高效率、低效率滚降的有机电致发光器件构成成分。
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公开(公告)号：CN108342779B
公开(公告)日：2019-08-30
申请号：CN201810176116.9
申请日：2018-03-02
Applicant: 苏州大学
IPC: C30B29/54 , C30B7/00 , H01L21/8238
Abstract: 本发明提供了一种有机单晶微米带P‑N异质结阵列的生长方法。该方法包括：提供一基底，并对基底进行光刻以获得负性的光刻胶阵列；利用疏水型的单分子层溶液对光刻胶阵列进行修饰，以获得光刻胶模板；将光刻胶模板按照竖向放置的方式浸入N型材料的溶液中，直至光刻胶模板完全浸入N型材料的溶液后取出光刻胶模板，以在光刻胶模板上形成N型单晶微米带；将光刻胶模板按竖向放置的方式浸入P型材料的溶液中，直至光刻胶模板完全浸入P型材料的溶液后取出光刻胶模板，以在光刻胶模板上形成P型单晶微米带，从而形成有机单晶微米带P‑N异质结阵列。制备的微米带P‑N异质结阵列均为单晶材料，且可以准确定位生长具有上下叠层结构的P‑N异质结。
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公开(公告)号：CN107954996A
公开(公告)日：2018-04-24
申请号：CN201711202921.6
申请日：2017-11-27
Applicant: 苏州大学
IPC: C07D409/14 , C07D339/08 , C09K11/06 , H01L51/50 , H01L51/54
CPC classification number: C07D409/14 , C07D339/08 , C09K11/06 , C09K2211/1007 , C09K2211/1029 , C09K2211/1092 , H01L51/0072 , H01L51/0074 , H01L51/5024
Abstract: 本发明公开了一种噻蒽-S,S-四氧化物衍生物及制备方法及在有机电致发光器件的应用，其结构如通式(1)所示，其中，R表示包含至少一个氮的富电子芳香胺取代基，并且胺基氮和噻蒽-S,S-四氧化物直接连接，本发明在噻蒽-S,S-四氧化物的1,2,3,4位键连不同电子特性的基团，能够有效地抑制分子振动，增大该化合物的有限分子量。以本发明的噻蒽-S,S-四氧化物衍生物作为荧光掺杂染料热稳定性好、成膜性好，能够实现溶液法有机电致发光器件，具有低工作电压和高效率。
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公开(公告)号：CN106699747A
公开(公告)日：2017-05-24
申请号：CN201611151736.4
申请日：2016-12-14
Applicant: 苏州大学
IPC: C07D413/04 , C09K11/06 , H01L51/50 , H01L51/54
CPC classification number: C07D413/04 , C09K11/06 , C09K2211/1033 , C09K2211/1088 , H01L51/0071 , H01L51/0073 , H01L51/5024
Abstract: 本发明公开了一种基于热激活延迟荧光机制的香豆素衍生物及其制备方法及其在有机电致发光器件的应用，香豆素衍生物可优选为具有高效的热激活延迟荧光性质的荧光掺杂染料，特别可作为有机电致发光器件的发光层掺杂使用。作为荧光掺杂剂构成的有机电致发光器件具有低驱动电压、高效率以及低效率滚降等特点。因此，由本发明的豆素衍生物可用作能够以低电压驱动的、高效率的和低效率滚降有机电致发光器件构成成分。本发明还公开了香豆素衍生物的制备方法以及这些化合物的有机电子器件。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN104308179A
公开(公告)日：2015-01-28
申请号：CN201410546134.3
申请日：2014-10-16
Applicant: 苏州大学
Abstract: 本发明涉及一种高产率金纳米三角片的快速制备方法，在阳离子表面活性剂氯化季铵盐溶液中，加入四氯金酸溶液和可溶性碘离子溶液，用抗坏血酸为还原剂，加入碱溶液调节酸碱度来诱导金纳米三角片的生长。本发明所述的合成金纳米三角片的方法可在很短的时间完成(大约8分钟)，而使用种子生长法为基础的金纳米三角片的合成，通常合成步骤繁琐，条件不易控制，重复性差，且需要3至4小时才能完成金纳米三角片的完全生长。因此本方法不仅大大缩短了金纳米三角片的合成时间，而且所得到的金纳米片产率和形貌均一性都得到了提高，并且尺寸可调，为金纳米片的广泛应用提供了基础。
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公开(公告)号：CN102504600A
公开(公告)日：2012-06-20
申请号：CN201110342740.X
申请日：2011-11-03
Applicant: 苏州大学
Abstract: 本发明公开了一种疏水有机染料纳米颗粒的水相分散方法，其包括以下步骤：1）通过溶剂交换法，将疏水的有机荧光染料分子制备成前驱纳米颗粒；2）取双亲性表面活性剂，配置成1mg/mL的双亲性表面活性剂水溶液；3）将300µL体积的1mg/mL的双亲性表面活性剂水溶液加入到所述前驱纳米颗粒的悬浮液中，超声分散5分钟，静置6小时，即可制备出水相分散的疏水性荧光纳米颗粒。本发明通过控制双亲性表面活性剂种类和浓度，来实现疏水性荧光染料颗粒的表面修饰。该种制备方法简单易行，为其他水相分散的疏水有机小分子荧光纳米材料的制备提供了实验依据，可在生物、医学、化学等领域取得广泛应用。
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公开(公告)号：CN102367166A
公开(公告)日：2012-03-07
申请号：CN201110344418.0
申请日：2011-11-04
Applicant: 苏州大学
IPC: B81C3/00
Abstract: 本发明公开了一种制备有机单晶颗粒二维有序结构及图案化排列的方法，其包括以下步骤：1）将有机单晶颗粒分散于分散剂中，超声5分钟，使之形成单分散体系；2）将所述单分散体系注入平行板电容器中，所述平行板电容器由两片平行放置的导电玻璃构成；3）在所述平行板电容器两端接上电流场，几分钟后所述有机单晶颗粒在电致流体的作用下在底部的导电玻璃的表面形成有机单晶颗粒二维有序结构。最后，通过光刻方法，在底部的导电玻璃的表面光刻一定图案的光刻胶来实现二维有序结构的图案化排列。本发明的方法简单有效，成本低廉，结构可逆，重复性强，可控性好，普适性强。
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公开(公告)号：CN209087857U
公开(公告)日：2019-07-09
申请号：CN201822238505.8
申请日：2018-12-28
Applicant: 苏州腾晖光伏技术有限公司 , 苏州大学 , 常熟理工学院
IPC: H01L31/0224 , H01L31/068 , H01L31/18
Abstract: 本实用新型提供一种石墨烯晶硅太阳电池结构，包括硅片及设置于所述硅片表面的正极栅线，所述正极栅线包括多条相互平行的主栅及垂直于所述主栅的副栅；还包括石墨烯透明导电层，所述石墨烯透明导电层至少覆盖在所述副栅的表面。本实用新型相较于现有技术，在晶硅太阳电池上叠加石墨烯透明导电层，石墨烯具备透过率高，导电性好的优点，石墨烯与主栅、副栅形成良好的电气接触，从而充分利用石墨烯横向导电性好的优点，部分载流子通过石墨烯传输给主栅，减小副栅的载流子传输损耗；同时相比传统太阳电池可以减少副栅的排布数量，增加受光面积，提高电池短路电流和光电转换效率。
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公开(公告)号：CN212085022U
公开(公告)日：2020-12-04
申请号：CN202021159450.2
申请日：2020-06-19
Applicant: 苏州大学
IPC: H01L31/0745 , H01L31/0224 , H01L31/05 , H01L31/18
Abstract: 本实用新型揭示了一种异质结电池及异质结电池组件，所述异质结电池包括：硅片；非晶硅层，包括位于第一区域上的第一本征非晶硅层和第一p型非晶硅层、位于第二区域上的第二本征非晶硅层和第一n型非晶硅层、位于第三区域上的第三本征非晶硅层和第二n型非晶硅层、及位于第四区域上的第四本征非晶硅层和第二p型非晶硅层；透明导电层；电极。本实用新型中的异质结电池两侧均设有第一电极和第二电极，互联时可实现两个电极的交替排列；焊带焊接于电池同侧，可减少组件中电池间距，增加组件的有效发电面积，从而提高组件的输出功率；焊带无需上下绕行，减小了焊带长度，进而减小了焊带上的焦耳损耗。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利
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