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公开(公告)号:CN115746854B
公开(公告)日:2023-10-10
申请号:CN202211580431.0
申请日:2022-12-10
Applicant: 福州大学
Abstract: 本发明公开了一种立方型纳米PN结SnSe/ZnSe/SnSe/ZnSe多阱核壳量子阱材料及制备方法,由硒化锌材料和硒化锡材料交替包覆所组成的立方形核壳结构量子阱材料,以P型材料硒化锡为核,以N型材料硒化锌为壳,以P型材料硒化锡为第二阱层,再以N型材料硒化锌为壳。通过制备有机前驱体、热注入法、高温合成与退火、纯化等工艺,制备出立方型SnSe/ZnSe/SnSe/ZnSe多阱核壳量子阱材料。本发明运用热注入法制备具有立方型形貌的多阱核壳量子阱材料,方法便于控制,所制备的材料具有高量子效率、特殊的形貌结构、良好的结构稳定性,在太阳能电池、照明、显示等材料领域有巨大的应用潜力。
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公开(公告)号:CN114898718B
公开(公告)日:2023-08-25
申请号:CN202210658851.X
申请日:2022-06-10
Applicant: 福州大学
IPC: G09G3/34
Abstract: 本发明涉及一种彩色电润湿电子纸实时色彩转换方法。将视频分解成一帧帧的图像数据,并对图像进行分区处理;然后将图像色彩转换成256阶的灰度值信息,而后进行32×32的离散余弦变换(DCT)将图像灰度信息转换为频率分量;对32×32矩阵隔位取出8×8矩阵,并对所有数值求平均;灰度值大于均值或大于下一个像素值的记为1,反之记为0,计算哈希值,构造长整型指纹,对分区像素进行查找分组;再对相似的局部特征经池化层求平均的降采样处理;通过权值矩阵将前后层的特征神经元全连接;最后将目标像素分区RGB色彩信息根据色彩转换准则与驱动电压‑开口率特性曲线,将各个目标像素的RGB色彩计算转化为CMY油墨的驱动电压,并保存以便下次播放无需重复计算。
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公开(公告)号:CN116482464A
公开(公告)日:2023-07-25
申请号:CN202310466393.4
申请日:2023-04-27
Applicant: 福州大学
Abstract: 本发明的目的在于提供一种新型高压输电线状态检测装置,包括:绝缘外壳,设置于所述绝缘外壳内的多个遮光外壳,设置于所述遮光外壳内部不同位置的半导体发光芯片,用于传输每个半导体发光芯片光信号的多股光纤,设置于遮光外壳外侧的漏电保护器,以及用于接收光纤传输光信号的光电探测器;通过采集接收光信号波形信息并进行处理,得到高压输电线的电压幅值信息和摆动状态,以实时反馈高压输电线的位置状态。
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公开(公告)号:CN111834420B
公开(公告)日:2023-05-09
申请号:CN202010535434.7
申请日:2020-06-12
Abstract: 本发明涉及一种半导体混合型全彩化三极发光管显示器件及制造方法,包括衬底、第一接触电极以及设置于衬底上且沿横向方向分布的用于显示蓝光的B单元、用于显示绿光的G单元和用于显示红光的R单元。在所述第一接触电极和B单元、G单元中的第二接触电极之间分别施加一个小功率可变输入信号,在所述第一接触电极和B单元、G单元中的第三接触电极之间分别施加一个正向偏置电压,以驱动B单元与G单元激发出蓝光和绿光;在R单元内的阴极和透明阳极之间施加电压,激发出红光,从而实现全彩化显示。本发明能够采用小功率输入信号来驱动发光芯片发光,实现半导体混合型全彩化显示。
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公开(公告)号:CN112817213B
公开(公告)日:2023-04-07
申请号:CN202110106957.4
申请日:2021-01-27
IPC: G03F7/20 , G09F9/33 , G09F9/302 , H01L21/67 , H01L25/00 , H01L25/16 , H01L33/48 , H01L33/50 , H01L33/56
Abstract: 本发明提出一种基于RGBW的Micro‑LED制备系统,包括显影机、刻蚀机、光源模组,还包括在光源模组发光方向上顺序设置的掩膜版和覆有光刻胶的阵列基板;光源模组包括四组光源,每组光源对应显示像素内的一个子像素结构,掩膜版包括多个透光区,每个透光区的中心在阵列基板上的投影均位于与该透光区相对应的子像素结构的中心;当对光刻胶曝光时,四组光源同时透过掩膜版透光区对子像素结构处的光刻胶进行曝光,各组光源的曝光光照强度、曝光光照时长根据与该光源对应的子像素结构需填充的量子点胶体体积决定;显影机、刻蚀机对曝光后的阵列基板进行后续加工以使储液槽成型;本发明可解决由于对量子点的封胶厚度不同导致子像素发光亮度不均衡的问题。
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公开(公告)号:CN113436806B
公开(公告)日:2022-12-23
申请号:CN202110519898.3
申请日:2021-05-13
IPC: H01B13/00
Abstract: 本发明涉及一种高稳定性银纳米线图形化导电薄膜的制备方法。所述方法:先在银纳米线导电膜上实现光刻胶的图形化,接着利用半导体氧化物薄膜对未被光刻胶覆盖的银纳米线网络进行加固,最后通过超声使图形化光刻胶粘附底部银纳米线一起剥离出基板,从而实现银纳米线导电膜的图形化。本发明制作工艺简单、成本低,容易实现高分辨率的图形化银纳米线导电膜,同时能增强银纳米线的抗氧化能力和在基板上的附着性。
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公开(公告)号:CN115295541A
公开(公告)日:2022-11-04
申请号:CN202210163320.3
申请日:2022-02-22
Applicant: 晋江市博感电子科技有限公司 , 福州大学
IPC: H01L25/075 , H01L25/16 , G09F9/33 , G09F9/302
Abstract: 本发明涉及一种相反极性并联的LED叠层组成的发光单元及显示器件,所述发光单元包括多层无机发光二极管LED层和具有多组电极的驱动基板,所述多层LED层在驱动基板垂直方向上堆叠放置且与驱动基板上的多组电极电性连接;所述多层LED层中包括至少两层相反极性并联的LED层,并通过驱动基板上的一组电极控制相反极性并联LED层发出至少两种不同颜色的光;所述显示器件包括阵列设置的多个像素,每个像素对应设有一个所述发光单元,所有发光单元的驱动基板为单独设置,或组合为若干个区域驱动基板,或组合为一个整体驱动基板。该发光单元及显示器件结构简单,工作效率高,像素密度高,工作寿命长。
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公开(公告)号:CN112381116B
公开(公告)日:2022-10-28
申请号:CN202011134658.3
申请日:2020-10-21
IPC: G06V10/764 , G06V10/774 , G06V10/82 , G06N3/04 , G06N3/08
Abstract: 本发明涉及一种基于对比学习的自监督图像分类方法,包括以下步骤:步骤S1:获取无标签数据,并进行随机增强生成不同视图;步骤S2:对视图进行特征提取,无监督对比计算损失,得到无监督分类模型C1;步骤S3:对无标签数据中部分进行人工标注,作为训练验证集;步骤S4:将C1作为预训练模型,根据训练验证集进行微调;步骤S5:提取训练验证集的特征,有监督对比计算损失,得到C2;步骤S6:根据C2对无标签数据预测标签,并筛选置信度高于预设值的数据作为训练样本;步骤S7:基于训练样本,将C2作为预训练模型,选取小网络进行训练微调,将验证输出准确率最高的作为最佳分类模型C3。本发明能够有效利用无标签数据训练泛化的图像分类模型,解决多类图像分类问题。
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公开(公告)号:CN112799158B
公开(公告)日:2022-04-08
申请号:CN202110106862.2
申请日:2021-01-27
Abstract: 本发明提出一种基于光波导的类谐振腔光提取结构,用于提升光源的光出射效率,所述类谐振腔光提取结构包括设于光出射面处的透光衬底;所述透光衬底处周期性地设有多个波纹结构;所述波纹结构的受光面与透光的波导阵列相邻;所述波导阵列嵌于透光衬底处,波导阵列包括多个设于波纹结构的波峰后方的凸形透光结构;当光线在波纹结构的波峰处产生反射时,反射光线的部分或全部可再次被凸形透光结构反射回波纹结构;本发明能提升OLED的光出射效率。
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公开(公告)号:CN113850878A
公开(公告)日:2021-12-28
申请号:CN202111158657.7
申请日:2021-09-30
Applicant: 福州大学
Abstract: 本发明涉及一种基于颜色直方图的非光源估计AWB方法,包括以下步骤:获取原始图像,并进行颜色直方图的RGB色度范围判断;若RGB若色度范围大于预设则进行直方图匹配处理,并通过计算RGB通道重叠面积最大时的增益系数,然后使用线性处理来校正图像的白平衡;若RGB若色度范围小于预设,则进行直方图相似度判断,若相似度小于预设值则进行拉伸处理,通过调整颜色直方图的色调范围,若相似度大于预设值进行平移处理,从而实现图像的自动白平衡。本发明能够解决传统基于光源估计的自动白平衡算法场景适应性差、色彩校正不准确等问题,又能够改善多光源下图像自动白平衡的处理效果。
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