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公开(公告)号：CN114913783A
公开(公告)日：2022-08-16
申请号：CN202210585236.0
申请日：2022-05-27
Applicant: 福州大学
IPC: G09F9/33 , H01L25/075
Abstract: 本发明涉及一种减少微米级LED背光源芯片数量的方法，对微米级LED芯片按多边形进行阵列排列，所述微米级LED芯片包括上部设有凹形微透镜的顶点LED芯片和上部设有凸形微透镜的中心点LED芯片，在多边形顶点设置发光角度大的顶点LED芯片，在多边形中心点设置中心区域亮度高的中心点LED芯片，以在确保发光亮度的同时拉大芯片排列间距。该方法有利于在确保发光亮度和均匀性的情况下，减少微米级LED背光源芯片的数量。
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公开(公告)号：CN111834505B
公开(公告)日：2022-04-08
申请号：CN202010536568.0
申请日：2020-06-12
Abstract: 本发明涉及一种基于波长下转换的三极发光管，包括从下至上依次设置的衬底、缓冲层、三极管、发光芯片和色彩转换层；所述三极管包括从下至上依次设置的第一半导体层、第二半导体层、第三半导体层，还包括从第一半导体层引出的第一接触电极和从第二半导体层内引出的第二接触电极；所述发光芯片包括从下至上依次设置第三半导体层、发光层和第四半导体层，以及从第四半导体层内引出的第三接触电极；所述色彩转换层包括从下至上依次设置光转换层和分布式布拉格反射层。本发明对输入信号功率放大，实现小功率输入信号驱动发光芯片激发色彩转换层而实现色彩转换；同时，有效降低发光器件的驱动电路设计复杂度，提高显示装置的集成度。
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公开(公告)号：CN110690246B
公开(公告)日：2022-03-25
申请号：CN201910982274.8
申请日：2019-10-16
Applicant: 福州大学
Abstract: 本发明涉及一种非直接电学接触取向有序nLED发光显示器件，其特征在于，包括从上到下依次设置的上驱动电极基板，上驱动电极、纳米LED晶粒片、下驱动电极和下驱动电极基板；还设置有交流驱动控制模块，所述交流驱动控制模块两端分别连接上驱动电极和下驱动电极；所述纳米LED晶粒片由若干个纳米LED晶粒有序排列而成，保证放置于电极基板间时，每个纳米LED晶粒的发光层与电极基板平行，与电场方向垂直；所述上驱动电极和下驱动电极至少有一个与纳米LED晶粒之间通过绝缘介质层隔离，在交变驱动信号下，通过电磁耦合实现对所述纳米LED晶粒的点亮。本发明采用非直接电学接触方法实现有序nLED发光显示，可免去微米和纳米级LED巨量转移工艺，有效地降低工艺成本。
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公开(公告)号：CN113467135A
公开(公告)日：2021-10-01
申请号：CN202110673338.3
申请日：2021-06-17
IPC: G02F1/1343 , G02F1/1341 , G02F1/1339 , G02F1/1337
Abstract: 本发明涉及一种用于光场成像的双层液晶透镜及方法，包括从上至下依次设置的第一控制层、第二控制层和第三控制层；所述第一控制层和第二控制层之间设置有第一液晶层；所述第二控制层和第三控制层之间设置有第二液晶层；所述双层液晶透镜还设有第一驱动模块和第二驱动模块；所述所述第一驱动模块一端连接第一控制层、另一端连接第二控制层；所述第二驱动模块一端连接第二控制层、另一端连接第三控制层。本发明制作工艺简单，可自由切换标准光场成像和聚焦光场成像的两种模式，同时能提高光场成像系统的景深。
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公开(公告)号：CN113299678A
公开(公告)日：2021-08-24
申请号：CN202110398179.0
申请日：2021-04-14
Abstract: 本发明涉及一种集成封装微显示芯片，其特征在于，包括衬底，蓝光Micro‑LED子像素、红光Micro‑OLED或Micro‑QLED子像素和红光Micro‑OLED或Micro‑QLED子像素；所述Micro‑LED子像素的n电极与Micro‑OLED或Micro‑QLED的其中一个电极相连，Micro‑LED子像素的p电极、红光Micro‑OLED或Micro‑QLED的另一个电极、绿光Micro‑OLED或Micro‑QLED的另一个电极分别引出，形成四个集成封装微显示芯片的引出电极。本发明将蓝光Micro‑LED子像素和红光Micro‑OLED或Micro‑QLED子像素以及绿光Micro‑OLED或Micro‑QLED子像素相结合，并通过晶圆级集成封装成一个较大尺寸的具有三基色可控发光的微显示像素芯片。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN113299228A
公开(公告)日：2021-08-24
申请号：CN202110388578.9
申请日：2021-04-12
Abstract: 本发明涉及一种基于GaN的多功能集成半导体显示器件，所述半导体显示器件包括从上至上依次设置的蓝宝石衬底、半导体缓冲层、第一半导体层和像素单元；所述半导体显示器件每个像素单元均包括LED发光结构、开关驱动元器件、多量子阱光电探测器件、光波导和信号感知传感器。本发明实现用小功率输入信号驱动半导体发光，可以有效降低基于半导体发光显示装置的驱动电路设计复杂度，提高显示装置和功能的集成度。
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公开(公告)号：CN112820844A
公开(公告)日：2021-05-18
申请号：CN202110106846.3
申请日：2021-01-27
Abstract: 本发明涉及一种薄膜封装结构及其制备方法，所述薄膜封装结构包括从下至上依次设置的有机聚合物衬底、柔性有机光电器件和具有周期起伏纳米结构的无机与有机交叠的薄膜封装层，所述薄膜封装层由无机阻隔层与有机阻隔层交替层叠形成，所述有机阻隔层通过具有周期起伏纳米结构的模板压印形成周期起伏纳米结构，再在其上制备无机阻隔层，交叠形成薄膜封装层。所述薄膜封装结构具有高水氧阻隔性能和弯曲性能。
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公开(公告)号：CN110690328B
公开(公告)日：2021-05-18
申请号：CN201910982153.3
申请日：2019-10-16
Applicant: 福州大学
Abstract: 本发明涉及一种基于波长下转换的无电学接触μLED发光器件。包括μLED晶粒，波长下转换发光层，上、下驱动电极，绝缘体，光学微结构以及控制模块，所述上、下驱动电极和所述μLED晶粒无直接的电学接触，所述控制模块分别与所述上、下驱动电极电学连接，为所述上、下驱动电极提供交变驱动信号形成驱动电场，所述驱动电场控制所述μLED晶粒的电子和空穴复合并发出第一光源，经所述波长下转换发光层而转化为第二光源。本发明提出的一种基于波长下转换的无电学接触μLED发光器件中的驱动电极与μLED晶粒中p型半导体层和n型半导体层没有电学接触，能避免μLED发光器件中的芯片复杂制作工艺、以及μLED芯片与驱动芯片的键合和巨量转移工艺，有效降低μLED器件制作周期和成本。
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公开(公告)号：CN111834420A
公开(公告)日：2020-10-27
申请号：CN202010535434.7
申请日：2020-06-12
Abstract: 本发明涉及一种半导体混合型全彩化三极发光管显示器件及制造方法，包括衬底、第一接触电极以及设置于衬底上且沿横向方向分布的用于显示蓝光的B单元、用于显示绿光的G单元和用于显示红光的R单元。在所述第一接触电极和B单元、G单元中的第二接触电极之间分别施加一个小功率可变输入信号，在所述第一接触电极和B单元、G单元中的第三接触电极之间分别施加一个正向偏置电压，以驱动B单元与G单元激发出蓝光和绿光；在R单元内的阴极和透明阳极之间施加电压，激发出红光，从而实现全彩化显示。本发明能够采用小功率输入信号来驱动发光芯片发光，实现半导体混合型全彩化显示。
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公开(公告)号：CN111785714A
公开(公告)日：2020-10-16
申请号：CN202010760395.0
申请日：2020-07-31
Applicant: 晋江市博感电子科技有限公司 , 福州大学
Abstract: 本发明涉及一种由LED和OLED相反极性并联组成的显示器件，所述显示器件包括无机发光二极管LED阵列、有机发光二极管OLED阵列以及具备多组电极的基板；LED和OLED通过基板上的一组电极电性连接，所述电极与LED的阴极和OLED的阳极相连；同一基板上的其他电极或其他基板上的电极则连接至LED的阳极和OLED的阴极。通过共享电极，该显示器件兼具高发光效率、高像素密度和长时间工作寿命。
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