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公开(公告)号：CN107450653B
公开(公告)日：2019-03-15
申请号：CN201710771529.7
申请日：2017-08-31
Applicant: 电子科技大学 , 电子科技大学广东电子信息工程研究院
IPC: G05F3/26
Abstract: 本发明涉及集成电路技术。本发明解决了现有电压前馈电流产生电路耐压不够的问题，提供了一种电压前馈电流产生电路，其技术方案可概括为：电压前馈电流产生电路，包括包括电流输出端、运算放大器、LDMOS耐压管一、LDMOS耐压管二、电压输入端、固定电平输入端、电流源、低压电源电压输入端、增强型PMOS管一、增强型PMOS管二。本发明的有益效果是，电路结构简单，且功耗较小，节约版图面积，合理的使用了耐压管解决了传统电路的耐压问题，适用于电压前馈电流产生电路。
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公开(公告)号：CN107315441B
公开(公告)日：2018-09-21
申请号：CN201710532707.0
申请日：2017-07-03
Applicant: 电子科技大学 , 电子科技大学广东电子信息工程研究院
IPC: G05F1/59
Abstract: 一种具有快速瞬态响应的片上低压差线性稳压器，属于电源管理技术领域。包括误差放大器、功率管MP、密勒电容CL、第一分压电阻和第二分压电阻，功率管MP的源极连接输入电压VIN，其漏极通过第一分压电阻和第二分压电阻的串联结构后接地；误差放大器的负向输入端连接基准电压Vref，其正向输入端连接第一分压电阻和第二分压电阻的串联点，其输出端连接功率管MP的栅极，密勒电容CL接在功率管MP的漏极和地之间；误差放大器采用STCB结构的误差放大器，STCB结构的误差放大器的输入级插入瞬态增强结构；优选实施例中功率管MP的栅极和漏极之间还连接有微分器同时LDO引入自适应偏置结构。本发明在提升瞬态响应速度的同时大幅度减小了环路补偿所需的密勒电容。
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公开(公告)号：CN107168453B
公开(公告)日：2018-07-13
申请号：CN201710533403.6
申请日：2017-07-03
Applicant: 电子科技大学 , 电子科技大学广东电子信息工程研究院
IPC: G05F3/26
Abstract: 一种基于纹波预放大的全集成低压差线性稳压器，属于电源管理技术领域。跨导放大器的正向输入端连接基准电压Vref，其负向输入端连接反馈电压Vfb，其输出端连接跨阻放大器的负向输入端和误差放大器的负向输入端，跨阻放大器的正向输入端接地GND，其输出端接误差放大器的正向输入端；功率管MP的栅极连接误差放大器的输出端，其源极连接输入电压VIN，其漏极通过第一分压电阻Rf1和第二分压电阻Rf2的串联结构后接地GND，所述第一分压电阻Rf1和第二分压电阻Rf2的串联点输出反馈电压Vfb，密勒电容CL接在功率管MP的漏极和地GND之间；补偿电路接在功率管MP的漏极和第一分压电阻Rf1与第二分压电阻Rf2的串联点之间。本发明在实现快速瞬态响应的同时减小了密勒电容。
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公开(公告)号：CN107910370A
公开(公告)日：2018-04-13
申请号：CN201711119247.5
申请日：2017-11-14
Applicant: 电子科技大学 , 电子科技大学广东电子信息工程研究院
IPC: H01L29/739 , H01L29/47 , H01L21/331
Abstract: 本发明属于半导体功率器件领域，特别涉及一种氮化镓横向整流器件。为优化氮化镓横向整流器的器件导通功耗与器件耐压之间的矛盾关系，本发明提出了一种具有复合栅结构的氮化镓异质结横向整流器。本发明的复合栅极结构由增强型栅结构和耗尽型栅结构两部分构成。通过优化器件的增强型栅结构和耗尽型栅结构的尺寸，可以使器件同时具有低的导通电阻和高的反向耐压。同时本发明的制造工艺与传统氮化镓HEMT器件工艺兼容，可以实现与传统氮化镓HEMT器件的单片集成。
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公开(公告)号：CN107910369A
公开(公告)日：2018-04-13
申请号：CN201711118998.5
申请日：2017-11-14
Applicant: 电子科技大学 , 电子科技大学广东电子信息工程研究院
IPC: H01L29/739 , H01L29/47 , H01L21/331
CPC classification number: H01L29/475 , H01L29/66325 , H01L29/7393
Abstract: 本发明属于半导体功率器件领域，特别涉及一种氮化镓异质结双向开关器件。本发明提出了一种无欧姆接触的氮化镓双向开关器件，可避免高温欧姆退火工艺带来的一系列负面影响。本发明基于低功函数金属与InAlN/GaN之间无需通过高温退火即可直接形成类似欧姆接触的原理，采用具有低功函数金属的肖特基源极接触和肖特基漏极接触。同时本发明通过两个绝缘栅结构来改变器件的工作状态，实现双向开关器件的双向导通和双向阻断能力。由于本发明中不存在欧姆接触，不需要利用重金属，该器件工艺可以与传统的CMOS工艺兼容。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN107085138A
公开(公告)日：2017-08-22
申请号：CN201710274231.5
申请日：2017-04-25
Applicant: 电子科技大学 , 电子科技大学广东电子信息工程研究院
IPC: G01R19/25
CPC classification number: G01R19/2503
Abstract: 一种高分辨率负电平检测电路，属于电源管理技术领域。本发明在一个周期内工作在钳位运放模式和比较器模式，通过模式切换的方式将失调产生电阻R4上产生的压降△VR4复制，实现了对同步调整管的漏源电压在‑5mV时的负电平检测；为了使失调产生电阻R4上的压降△VR4恒定，引入由第十七PMOS管MP17和第十八PMOS管MP18构成的差分对；另外，为了消除工艺偏差带来的影响，引入修调电阻R3对失调产生电阻R4的压降△VR4进行修调。本发明实现了负电平的精确检测，分辨率可以达到毫伏级，能够满足对自适应同步整流控制电路的应用需求。
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公开(公告)号：CN107024958A
公开(公告)日：2017-08-08
申请号：CN201710274232.X
申请日：2017-04-25
Applicant: 电子科技大学 , 电子科技大学广东电子信息工程研究院
IPC: G05F3/16
CPC classification number: G05F3/16
Abstract: 一种具有快速负载瞬态响应的线性稳压电路，属于电源管理技术领域。包括钳位运放电路和含自适应调整电路的缓冲输出级电路，可以应用于数字负载，钳位运放电路输入基准电压，得到与需要的电压大小相等的电压作为一个参考电压，再通过具有一定带载能力的缓冲输出级得到最终需要的电压；本发明加入自适应调整电路，使得输出电压在全负载范围内的变化量减小很多，其带载能力也有所增强。本发明在简化电路结构复杂性的同时，有效的实现了快速的负载瞬态响应以及较小的输出电压变化量ΔVout。
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公开(公告)号：CN106876455A
公开(公告)日：2017-06-20
申请号：CN201710110534.3
申请日：2017-02-28
Applicant: 电子科技大学 , 电子科技大学广东电子信息工程研究院
IPC: H01L29/739 , H01L29/40 , H01L29/423
CPC classification number: H01L29/7393 , H01L29/40 , H01L29/4232
Abstract: 本发明提供一种低关断损耗双槽栅SOI‑LIGBT器件结构，包括P型衬底、埋氧层二氧化硅、N型漂移区、P型阱区、N‑buffer层、氧化层、两个N型源端及之间的P型接触区、N型阳极区；源端和P型阱区间的沟道两侧是栅氧层，栅氧层旁边是多晶硅，多晶硅位于P型阱区两侧、N‑buffer层的左侧；本发明拥有双栅结构，相同条件下有更大的电流能力，N型载流子存储层的引入减少了空穴直接向P型阱区的注入，使载流子分布更均匀，有利于关断时的载流子复合减少关断时间，槽介质二氧化硅使得N型漂移区的有效空间减少，也同时阻挡了右侧的载流子的注入，形成载流子积累层；基于这两个效应，本发明结构的关断损耗得到大幅度的降低。
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公开(公告)号：CN119300393A
公开(公告)日：2025-01-10
申请号：CN202411256930.3
申请日：2024-09-09
Applicant: 电子科技大学 , 电子科技大学广东电子信息工程研究院
IPC: H10D30/47 , H10D62/824 , H10D62/854
Abstract: 本发明属于功率半导体技术领域，尤其是涉及一种具有雪崩过流能力的新型GaN功率半导体器件。本发明由横向GaN器件与垂直GaN器件结合，在横向GaN结构的沟道下方放置垂直GaN结构。器件正常工作时，栅极施加正向偏压，漏源之间施加正向偏压，器件上方横向GaN结构导通，有电流通过，下方垂直GaN结构反偏，几乎无电流。当器件处于反向耐压状态时，上方横向GaN结构无导通电流，下方垂直GaN结构反偏同样无导通电流。随着漏源之间电压一直增加，下方垂直GaN结构发生雪崩击穿，反向耐压下电流主要通过下方GaN垂直结构从漏极流向源极，从而使本发明的新型GaN功率半导体器件具有雪崩击穿，并且相较于传统PGaN栅GaN HEMT器件耐压有所提升。
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公开(公告)号：CN118866966A
公开(公告)日：2024-10-29
申请号：CN202410900931.0
申请日：2024-07-05
Applicant: 电子科技大学 , 电子科技大学广东电子信息工程研究院
IPC: H01L29/78 , H01L29/06 , H01L29/36 , H01L21/336 , H01L21/22
Abstract: 本发明提供一种优化体二极管性能的横向高压MOS器件及掺杂的方法，属于功率半导体器件技术领域。所述方法针对横向金属氧化物半导体器件的漂移区或体区进行局域寿命控制，以优化其体二极管的反向恢复特性。在功率器件尺寸日益缩小的趋势下，由于体二极管性能而导致的损耗越来越受到人们关注，通过整体寿命控制在减小体二极管反向恢复电荷的同时往往会导致器件正向特性和击穿特性变差，本发明在此背景下，通过注入氦离子，在漂移区或者体区的特定位置进行局域寿命控制，以改善器件体二极管的反向恢复特性，同时获得较好的正反向特性折衷关系。
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