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公开(公告)号:CN106353282A
公开(公告)日:2017-01-25
申请号:CN201610790918.X
申请日:2016-08-31
Applicant: 电子科技大学
IPC: G01N21/55
Abstract: 本发明涉及一种微区反射率测试系统及基于此系统的测试方法,微区反射率测试系统用于检测微区样品的反射率,其包括光处理模块、标定模块、控制模块及积分球,所述光处理模块提供入射光以对微区样品进行加热处理,所述标定模块检测微区样品产生的反射光是否存在以标定所述反射光的角度及其范围,控制模块根据标定的反射光的角度及其范围确定积分球的开口大小及其位置,所述积分球检测所述微区样品上发出的反射光的功率得到反射率。所述微区反射率测试系统可准确确定需要设置积分球的开口大小及位置,从而可以快速检测并采集需要热处理的微区样品的反射光的反射功率,且操作简便快捷。
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公开(公告)号:CN105931207A
公开(公告)日:2016-09-07
申请号:CN201610370775.7
申请日:2016-05-30
Applicant: 西安电子科技大学
IPC: G06T5/00
CPC classification number: G06T5/002
Abstract: 本发明公开了一种基于GPU加速的非局部平均滤波实时处理方法,主要解决了非局部平均滤波算法难以满足实时性要求这一问题。本方法利用GPU卓越的多线程并行数据处理能力,使用OpenCL平台,在GPU上并行地实现图像的滤波处理。在滤波过程中,对中心图像片和相似图像片进行投影,并且利用拆分核函数、优化访存等方法有效减少了计算量和数据读取时间。与现有的非局部平均滤波方法相比,本发明能够在保证去噪性能的前提下,对VGA(分辨率为640*480)和SVGA(分辨率为600*800)图像进行实时的非局部平均滤波处理,较之传统的串行处理方法,本方法取得了最高达111倍的加速比。
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公开(公告)号:CN105903962A
公开(公告)日:2016-08-31
申请号:CN201610415101.4
申请日:2016-06-14
Applicant: 电子科技大学
CPC classification number: B22F3/1055 , B22F7/02 , B22F2003/1056 , B33Y10/00 , B33Y30/00
Abstract: 本发明涉及一种块材合金制备系统,其包括一粉末定量模块与一激光熔融成型模块,所述粉末定量模块以超声振动粉末定量方式获得预定所需质量的至少一种金属粉末,并输送所获得的金属粉末进入激光熔融成型模块中进行熔融冷却。本发明还提供一块材合金制备方法,以超声振动粉末定量方式获得预定所需质量及种类的金属粉末,对所述预定质量及种类的金属粉末进行熔融冷却,获得所需的块材合金。本发明所提供的块材合金制备系统及其制备方法,相比现有技术所需的时间较短,因此可提高制备块材合金的效率。本发明还提供一种块材合金制备系统的应用,采用所述块材合金制备系统可获得特定成分、结构的块材合金。
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公开(公告)号:CN105021867A
公开(公告)日:2015-11-04
申请号:CN201510408389.8
申请日:2015-07-13
Applicant: 东莞电子科技大学电子信息工程研究院
Abstract: 本发明涉及一种电网电压测量系统,其特征在于,包括巨磁阻电压传感器(1)、可调交流电源(2)、恒定电源(3)、耐高压线圈U1、电压表(4)、开关K1、开关K2、开关K3、第一熔断器(5)和第二熔断器(6);所述的巨磁阻电压传感器(1)输入端和恒定电源(3)通过开关K1连接,输出端连接电压表(4);所述巨磁阻电压传感器(1)放置在耐高压线圈U1内,耐高压线圈U1两端分别连接第一熔断器(5)和第二熔断器(6),第一熔断器(5)和第二熔断器(6)分别连接可调交流电源(2)两端,组成第一回路。闭合开关K1后调节可调交流电源(2)输入电压大小,记录巨磁阻电压传感器(1)输出电压值,用于模拟巨磁阻电压传感器(1)输入输出的线性关系。
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公开(公告)号:CN104811146A
公开(公告)日:2015-07-29
申请号:CN201510177573.6
申请日:2015-04-15
Applicant: 西安电子科技大学
IPC: H03F1/26
Abstract: 本发明公开一种基于逆重复m序列的抗奇倍频干扰的锁定放大系统,其包括逆重复m序列信号产生单元、待测微弱电压信号、斩波器、正向放大器、反向放大器、模拟开关、低通滤波器、直流放大器和模数转换器;所述逆重复m序列信号产生单元控制整个锁定放大系统的工作流程,采集输入信息,利用代码产生逆重复m序列;所述斩波器用于将待测微弱电压信号调制成交变信号;所述正向放大器、反相放大器和模拟开关构成数字相关器;所述低通滤波器用以作为整个锁定放大系统的积分器;所述直流放大器将低通滤波器输出的信号调节到模数转换器的采集范围内;所述模数转换器用于采集直流放大器的输出电压。该锁定放大系统能改善信噪比、增加抗干扰能力。
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公开(公告)号:CN104155998A
公开(公告)日:2014-11-19
申请号:CN201410427448.1
申请日:2014-08-27
Applicant: 电子科技大学
IPC: G05D1/10
Abstract: 本发明公开了一种基于势场法的航迹规划方法,其特征在于,包括如下内容:根据飞行器由飞行起点到达终点过程中的确定的地理环境,抽象获得确定的地理环境中障碍物的特征信息,并保存特征信息;基于特征信息,采用势场法,获得飞行器与终点的合力;基于合力,控制更新当前的位置,解决了现有技术中飞行器航迹规划无法实时对航迹进行调整的技术问题,进而实现了能够对航迹进行实时规划的技术效果。
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公开(公告)号:CN205789881U
公开(公告)日:2016-12-07
申请号:CN201620435216.5
申请日:2016-05-13
Applicant: 电子科技大学
IPC: H01L21/67
Abstract: 本实用新型公开了一种激光加热装置,包括:脉冲激光器,旋转夹持组件,半波片,偏振分光镜,激光功率计,聚焦组件,反射镜组;半波片固定在旋转夹持组件上,用于接收脉冲激光器发出的激光脉冲,旋转夹持组件带动半波片旋转以改变激光脉冲的方向,偏振分光镜用于对被上述半波片改变方向后的激光脉冲分成第一激光分量和第二激光分量,聚焦组件用于对第一激光分量进行聚焦;激光功率计用于计量第二激光分量的激光功率,反射镜组用于反射聚焦组件聚焦过来的光束以对准待处理的组合材料芯片样品的一个样品点进行加热。本实用新型解决了现有激光加热装置对激光功率调节度有限的技术问题,实现了每次逐步定量对组合材料芯片样品的样品点加热。
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公开(公告)号:CN203324180U
公开(公告)日:2013-12-04
申请号:CN201320265599.2
申请日:2013-05-16
Applicant: 电子科技大学
IPC: G01N21/45
Abstract: 本实用新型的基于SOI的多狭缝光波导光栅FP腔光学生化传感芯片,包括自下而上依次层叠键合的硅基层、二氧化硅层和单晶硅层构成的基体,基体的单晶硅层包含狭缝光波导,狭缝光波导的光信号传播路径上包含光栅FP腔,基体俯视方向为长方形,狭缝光波导包含多条狭缝槽,狭缝以基体长度方向的中心轴线为轴对称分布,长度与基体所述中心轴线相等。本实用新型的光学生化传感芯片通过在顶部的单晶硅层形成光栅FP腔检测外界物质对光信号的影响,同时引入狭缝光波导结构,使光信号的检测从传统的倏逝场转向狭缝空间,其优势在于狭缝空间中的光能量密度远大于倏逝场中光能量的密度,光与物质相互作用更强,使检测灵敏度更高,检测难度进一步降低。
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公开(公告)号:CN203465196U
公开(公告)日:2014-03-05
申请号:CN201320592663.8
申请日:2013-09-24
Applicant: 电子科技大学
IPC: G01N21/45
Abstract: 本实用新型的垂直耦合马赫-曾德干涉式微环谐振腔光学生化传感芯片,包括自下而上依次层叠键合的硅基层、二氧化硅层和单晶硅层构成的SOI基体,SOI基体的单晶硅层包含U型波导和微环谐振腔;所述微环谐振腔位于U型波导的正上方,二者重叠并在U型波导平面的垂直方向耦合。该生化传感芯片在微环谐振腔的梳状透射谱线中与MZ干涉梳状透射谱线峰值相对应的谐振峰由于调制的作用将使得该透射谱线非常的尖锐,所以这种传感器除了具有很大的自由光谱范围之外,还具有很高的品质因子。
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公开(公告)号:CN203324181U
公开(公告)日:2013-12-04
申请号:CN201320266192.1
申请日:2013-05-16
Applicant: 电子科技大学
IPC: G01N21/45
Abstract: 本实用新型的一种基于SOI的狭缝光波导光栅FP腔光学生化传感芯片,包括自下而上依次层叠键合的硅基层、二氧化硅层和单晶硅层构成的基体,所述基体的单晶硅层包含狭缝光波导,所述狭缝光波导的光信号传播路径上包含光栅FP腔,基体俯视方向为长方形,狭缝光波导包含一条狭缝,所述狭缝位于基体长度方向的中心轴线上,长度与基体所述中心轴线相等。本实用新型的光学生化传感芯片通过在顶部的单晶硅层形成光栅FP腔检测外界物质对光信号的影响,引入的狭缝光波导结构,使光信号的检测从传统的倏逝场转向狭缝空间,其优势在于狭缝空间中的光能量密度远大于倏逝场中光能量的密度,光与物质相互作用更强,使检测灵敏度更高,检测难度进一步降低。
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