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公开(公告)号：CN103308477A
公开(公告)日：2013-09-18
申请号：CN201310180747.5
申请日：2013-05-16
Applicant: 电子科技大学
IPC: G01N21/45
Abstract: 本发明的一种基于SOI的狭缝光波导光栅FP腔光学生化传感芯片，包括自下而上依次层叠键合的硅基层、二氧化硅层和单晶硅层构成的基体，所述基体的单晶硅层包含狭缝光波导，所述狭缝光波导的光信号传播路径上包含光栅FP腔，基体俯视方向为长方形，狭缝光波导包含一条狭缝，所述狭缝位于基体长度方向的中心轴线上，长度与基体所述中心轴线相等。本发明的光学生化传感芯片通过在顶部的单晶硅层形成光栅FP腔检测外界物质对光信号的影响，同时引入狭缝光波导结构，使光信号的检测从传统的倏逝场转向狭缝空间，其优势在于狭缝空间中的光能量密度远大于倏逝场中光能量的密度，光与物质相互作用更强，使检测灵敏度更高，检测难度进一步降低。
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公开(公告)号：CN103293127A
公开(公告)日：2013-09-11
申请号：CN201310180709.X
申请日：2013-05-16
Applicant: 电子科技大学
IPC: G01N21/45
Abstract: 本发明的一种基于SOI的多狭缝光波导光栅FP腔光学生化传感芯片，包括自下而上依次层叠键合的硅基层、二氧化硅层和单晶硅层构成的基体，基体的单晶硅层包含狭缝光波导，狭缝光波导的光信号传播路径上包含光栅FP腔，基体俯视方向为长方形，狭缝光波导包含多条狭缝槽，狭缝以基体长度方向的中心轴线为轴对称分布，长度与基体所述中心轴线相等。本发明的光学生化传感芯片通过在顶部的单晶硅层形成光栅FP腔检测外界物质对光信号的影响，同时引入狭缝光波导结构，使光信号的检测从传统的倏逝场转向狭缝空间，其优势在于狭缝空间中的光能量密度远大于倏逝场中光能量的密度，光与物质相互作用更强，使检测灵敏度更高，检测难度进一步降低。
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公开(公告)号：CN203324180U
公开(公告)日：2013-12-04
申请号：CN201320265599.2
申请日：2013-05-16
Applicant: 电子科技大学
IPC: G01N21/45
Abstract: 本实用新型的基于SOI的多狭缝光波导光栅FP腔光学生化传感芯片，包括自下而上依次层叠键合的硅基层、二氧化硅层和单晶硅层构成的基体，基体的单晶硅层包含狭缝光波导，狭缝光波导的光信号传播路径上包含光栅FP腔，基体俯视方向为长方形，狭缝光波导包含多条狭缝槽，狭缝以基体长度方向的中心轴线为轴对称分布，长度与基体所述中心轴线相等。本实用新型的光学生化传感芯片通过在顶部的单晶硅层形成光栅FP腔检测外界物质对光信号的影响，同时引入狭缝光波导结构，使光信号的检测从传统的倏逝场转向狭缝空间，其优势在于狭缝空间中的光能量密度远大于倏逝场中光能量的密度，光与物质相互作用更强，使检测灵敏度更高，检测难度进一步降低。
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公开(公告)号：CN203324181U
公开(公告)日：2013-12-04
申请号：CN201320266192.1
申请日：2013-05-16
Applicant: 电子科技大学
IPC: G01N21/45
Abstract: 本实用新型的一种基于SOI的狭缝光波导光栅FP腔光学生化传感芯片，包括自下而上依次层叠键合的硅基层、二氧化硅层和单晶硅层构成的基体，所述基体的单晶硅层包含狭缝光波导，所述狭缝光波导的光信号传播路径上包含光栅FP腔，基体俯视方向为长方形，狭缝光波导包含一条狭缝，所述狭缝位于基体长度方向的中心轴线上，长度与基体所述中心轴线相等。本实用新型的光学生化传感芯片通过在顶部的单晶硅层形成光栅FP腔检测外界物质对光信号的影响，引入的狭缝光波导结构，使光信号的检测从传统的倏逝场转向狭缝空间，其优势在于狭缝空间中的光能量密度远大于倏逝场中光能量的密度，光与物质相互作用更强，使检测灵敏度更高，检测难度进一步降低。
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