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公开(公告)号：CN110875402B
公开(公告)日：2021-08-10
申请号：CN201810996818.1
申请日：2018-08-29
Applicant: 电子科技大学
IPC: H01L31/09 , H01L31/0264 , H01L31/18
Abstract: 本发明属于光电材料技术领域，具体涉及一种复合薄膜敏感材料、红外探测器及制备方法。本发明所要解决的技术问题是提供一种复合薄膜敏感材料及其制备方法，该复合薄膜敏感材料包括二维材料层和金属纳米颗粒层；其中，金属纳米颗粒为圆锥状，底面直径为5～40nm、高度为3～17nm，金属纳米颗粒层为单层的金属纳米颗粒。本发明通过对二维材料进行金属纳米颗粒修饰所得的复合薄膜敏感材料能够提高对近红外光的吸收率。
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公开(公告)号：CN113035965A
公开(公告)日：2021-06-25
申请号：CN202110253989.7
申请日：2021-03-04
Applicant: 电子科技大学
IPC: H01L31/0203 , H01L31/032 , H01L31/109 , H01L31/18 , B82Y30/00 , B82Y40/00
Abstract: 本发明公开了一种基于硒化物/硫化物异质结的柔性光电探测器及其制备方法，该传感器采用PI薄膜作为基底，ITO作为电极，禁带宽度为1.2‑2.4eV的P型硒化物(如禁带宽度约为2.1eV的GaSe)和禁带宽度为1.8‑2.2eV的n型硫化物(如禁带宽度约为1.8eV的MoS2)形成的异质结作为功能层。器件制备流程为：首先通过光刻技术和ITO湿法刻蚀得到ITO电极，再采用机械剥离的方式得到硒化物和硫化物的亚微米薄片，并精确对准转移到基于PI基底的ITO电极上，形成超薄二维半导体异质结(各层厚度在10nm‑30nm之间)，结区面积在1×102‑2.5×103平方微米之间。该种制备方法方便环保且成本低，且基于该方法制备的硒化物/硫化物异质结光电探测器具有良好的弯曲性，相较于刚性光电探测器可应用于更多的场景，且得益于硒化物/硫化物异质结的材料特性，此类光电探测器具有良好的光电探测性能，可实现良好的光电探测效果。
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公开(公告)号：CN113029404A
公开(公告)日：2021-06-25
申请号：CN202110258808.X
申请日：2021-03-10
Applicant: 电子科技大学
IPC: G01L1/22
Abstract: 本发明公开了一种基于表面微结构柔性基底石墨烯材料的制备方法，并提供一种双通道柔性多态应力传感器结构，涉及柔性多态应力传感器结构和制备。该传感器包括：上下柔性衬底、上下敏感层、上下电极层及封装结构；下柔性衬底及下敏感层为表面微结构化处理的PDMS衬底及于其表面成膜的石墨烯薄膜，通过PDMS倒模及刷涂石墨烯制备；上电极层包括银电极C及其电极引出端，下电极包括银电极A、B及其电极引出端。制备的双通道传感器用于实现压力应力信号的同时检测，可实现包括关节弯曲、外力按压、皮肤拉伸等复杂应变情况下的人体动作的分辨判断。同时，通过采用基于表面微结构柔性基底的石墨烯材料，优化了传感器适应的应力检测范围，保证了在人体关节自由活动时传感器能够正常工作。
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公开(公告)号：CN109283451B
公开(公告)日：2020-12-29
申请号：CN201811087580.7
申请日：2018-09-18
Applicant: 电子科技大学
IPC: G01R31/28
Abstract: 本发明属于芯片测试技术领域，具体提供一种集成电路良品检测的系统及方法，用于实现多芯片的智能测试。本发明包括控制装置、显示装置、译码器及若干个待测芯片；显示装置连接控制转置、用于显示检测结果；若干个待测芯片的片选信号端口通过译码器连接控制装置，且每个待测芯片的时钟接口与数据传输接口均对应连接于控制装置相同接口。本发明采用待测芯片时钟接口与数据传输接口的复用技术，匹配待测芯片CS端的译码器实现控制装置n个io口对2n个待测芯片进行控制，有效克服了多芯片测试中需要大量IO口的问题；同时优化测试流程，大大缩短了测试时间，有效提高测试效率；即高效率、低成本的多芯片智能测试。
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公开(公告)号：CN109166961B
公开(公告)日：2020-05-19
申请号：CN201810944474.X
申请日：2018-08-19
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 本发明技术领域,具体涉及一种PVDF阵列式柔性压电传感器的图形化刻蚀方法。本发明采用雕刻图形化的加工工艺,无需掩模版，可以同时进行大规模可控化制备，通过串并联结构设计，拓展器件工作能力与应用范围。现有的制备工艺中，由于多次溶液刻蚀会对PVDF上的铝膜造成不可逆的损害，使图形化成品率差；而使用离子刻蚀的机器成本高昂，本发明通过改进PCB蓝膜工艺，最终解决了成本和成品品质兼得的工艺方法。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN110620140A
公开(公告)日：2019-12-27
申请号：CN201910870429.9
申请日：2019-09-16
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 本发明提供一种柔性梯度应变薄膜的制备方法及其应用，属于纳米薄膜制备技术领域。本发明通过在硅薄膜表面刻蚀形成对称且具有共同底边的等腰梯形结构，然后将具备图案的硅薄膜转移至经过预加载的PDMS衬底上，然后释放预加载，即可制备具有梯度应变的周期性纹波结构。本发明制备的具有纹波结构的柔性薄膜能够产生梯度应变，可以在不拉伸和不重复制样的前提下制备出不同大小的应变值，适用于多种环境和条件下的应变工程研究，节约资源，制备工艺简单，使用方便；并且梯度波纹和均匀波纹一样，具备一定的耐拉伸性。
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公开(公告)号：CN110495882A
公开(公告)日：2019-11-26
申请号：CN201910652780.0
申请日：2019-07-19
Applicant: 电子科技大学
IPC: A61B5/0478
Abstract: 本发明提供一种可延展的容性柔性生物电极阵列及其制备方法，属于医疗器械技术领域。本发明提供的生物电极阵列采用可延展柔性基底、可延展柔性中间层、金属电极阵列和可延展柔性介电层四层结构，可延展柔性基底和蛇形导线的结合，实现信号的采集。该生物电极不仅能够弯曲，还能实现现有柔性生物电极不能的拉伸效果，得益于自身良好的可延展性，可以保证与生物组织表面的紧密贴合，尤其是对于脑部具有接近球状的部位，其贴合效果更为优异，能够得到更高质量的信号采集效果。
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公开(公告)号：CN109166961A
公开(公告)日：2019-01-08
申请号：CN201810944474.X
申请日：2018-08-19
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 本发明技术领域,具体涉及一种PVDF阵列式柔性压电传感器的图形化刻蚀方法。本发明采用雕刻图形化的加工工艺,无需掩模版，可以同时进行大规模可控化制备，通过串并联结构设计，拓展器件工作能力与应用范围。现有的制备工艺中，由于多次溶液刻蚀会对PVDF上的铝膜造成不可逆的损害，使图形化成品率差；而使用离子刻蚀的机器成本高昂，本发明通过改进PCB蓝膜工艺，最终解决了成本和成品品质兼得的工艺方法。
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公开(公告)号：CN108169279A
公开(公告)日：2018-06-15
申请号：CN201711457715.X
申请日：2017-12-28
Applicant: 电子科技大学
IPC: G01N25/20
Abstract: 本发明属于薄膜材料热导率测试领域，提供一种基于VO2薄膜的薄膜热导率测量装置及方法，用以解决现有测试系统中金属探测层反射率变化对温度的变化不够灵敏的问题。本发明测量装置中采用VO2薄膜作探测层，利用VO2薄膜相变的特性，当VO2薄膜达到了相变温度后，在相变温度区域，其反射率随温度的变化线性度非常好，且反射率对温度的变化非常灵敏，能够达到百分之五十以上，从而极大地降低了测量装置中光强探测器的灵敏度要求，大幅度降低了设备制造成本；同时极大提高薄膜热导率测量的精确度，尤其适用于纳秒级热反射系统NanoTR。
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公开(公告)号：CN104359561B
公开(公告)日：2017-10-17
申请号：CN201410674373.7
申请日：2014-11-21
Applicant: 电子科技大学
IPC: G01J5/22
Abstract: 本发明提供了一种基于碳纳米管阵列的柔性红外传感器及其制备方法，属于柔性红外传感器制备领域。包括衬底和位于衬底之上的红外敏感材料，所述红外敏感材料为P型碳纳米管阵列和N型碳纳米管阵列形成的P‑N结，所述P型碳纳米管阵列和N型碳纳米管阵列上均设置有电极。该柔性红外传感器采用P型碳纳米管阵列和N型碳纳米管阵列组成的P‑N结作为红外敏感材料，当器件受到红外光照射时，可通过测试P‑N结开路电压来表征红外响应，降低了功耗，无需使用电压或电流源表，方便使用，且该柔性传感器可重复弯曲而不影响器件的性能，具有良好的稳定性。
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