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公开(公告)号：CN104732105A
公开(公告)日：2015-06-24
申请号：CN201510162699.6
申请日：2015-04-08
Applicant: 西安电子科技大学 , 中国航空工业集团公司西安航空计算技术研究所
IPC: G06F19/00
Abstract: 本发明公开了一种组件化系统设计的故障模式与影响分析方法，可用于组件化电子产品系统设计的可靠性分析与评估。本发明的步骤为：(1)描述系统故障模式；(2)确定故障风险因素的评判等级；(3)生成原始故障模式风险排名；(4)构建分层分析模型图；(5)将分析模型图转换成分析模型矩阵；(6)计算分析模型矩阵，得到故障模式修正向量；(7)使用故障模式修正向量修正原始故障模式风险排名，得到系统故障模式风险排名，并根据排名找出高风险的故障模式。本发明方便用户在组件化电子产品系统开发早期，实现对组件化电子产品系统设计可靠性的动态分析和精确分析，找出系统薄弱环节，为制定改进措施提供依据。
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公开(公告)号：CN103490171A
公开(公告)日：2014-01-01
申请号：CN201310482280.X
申请日：2013-10-15
Applicant: 西安电子科技大学
IPC: H01Q17/00
Abstract: 本发明公开了一种复合宽频带吸波材料，包括地板、介质板、频率选择表面与基体吸波材料层，所述地板设于所述介质板的下表面，所述频率选择表面设于所述介质板的上表面，所述基体吸波材料层涂覆于所述频率选择表面上，所述频率选择表面设有若干无源谐振单元，所述无源谐振单元为耶路撒冷十字孔径形结构，将若干所述无源谐振单元周期排列后成为孔径型频率选择表面，并形成RLC并联电路。本发明能实现宽频带范围内的雷达截面减缩，且具有结构简单、稳定性好、易于实现的优点。
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公开(公告)号：CN102054786B
公开(公告)日：2013-01-09
申请号：CN201010531896.8
申请日：2010-11-04
Applicant: 电子科技大学
IPC: H01L21/8249
Abstract: 一种非外延高压BCD器件的制备方法，属于半导体技术领域中的半导体制造技术。本发明提供一种在同一硅片上集成高压DMOS、高压采样器件SensorFET、低压BJT、低压CMOS、低压DMOS、MOS电容和阱电容、阱电阻以及多晶电阻等器件的工艺方法。本发明采用非外延BCD工艺，使用高能离子注入形成倒置阱来制作各种高压和低压器件，只有三个高温热过程，具有工艺步骤少、光刻版数目少和高温热过程少等优点，能很好应用于高压功率集成电路和电源管理集成电路等的制作，相对于以往常规外延工艺，在提高了器件及集成电路性能的同时，很好地节约了制造成本。
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公开(公告)号：CN102054785B
公开(公告)日：2012-11-07
申请号：CN201010531541.9
申请日：2010-11-04
Applicant: 电子科技大学
IPC: H01L21/8249
Abstract: 一种高压BCD半导体器件的制造方法，属于半导体功率器件技术领域中的制造技术。包括工艺步骤如下：制备衬底；制备DNW；制备场氧；制备N阱、P阱；制备栅及场板；制备NSD；制备PSD；退火；NSD/PSD推结；制备欧姆孔；形成金屈层；制备钝化层；制备PAD。通过本发明可以在同一芯片上制件高压JFET、高压nLDMOS、中压nLDMOS、低压LDMOS、低压CMOS、NPN晶体三极管、N阱和P阱电阻、N型电容等器件。设计者可以根据需要灵活选择。本发明还具有版次少，高温过程少，成本低，高压与低压器件兼容性好，普适性和不同IC生产线可移植性好等优点。
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公开(公告)号：CN119833944A
公开(公告)日：2025-04-15
申请号：CN202510193264.1
申请日：2025-02-21
Applicant: 西安电子科技大学
Abstract: 一种宽带紧耦合Vivaldi阵列天线，包括由N+2个沿H面排布的天线子阵，每个天线子阵由多个紧耦合Vivaldi天线单元沿E面紧密排布构成，紧耦合Vivaldi天线单元包括介质基板，介质基板上表面印制有辐射贴片和超材料贴片，介质基板下表面印制有馈电巴伦，介质基板底部设有射频同轴连接器，射频同轴连接器针状内导体端与馈电巴伦连接，筒状外导体端与辐射贴片接触；本发明通过利用单元间的耦合作用实现了Vivaldi天线阵列的小型化，通过在阵列边缘引入边缘片和哑元，延长了边缘电流路径，对Vivaldi天线阵列在角度扫描时的有源驻波比有一定改善，在E面、H面实现了60度波束扫描；且本发明的天线结构简单，简化了天线设计流程，加工难度和成本较低。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN112506627B
公开(公告)日：2024-12-17
申请号：CN202011304179.1
申请日：2020-11-19
Applicant: 西安电子科技大学
IPC: G06F9/48 , G06F9/50 , G06F16/901 , G06F30/20 , G06F111/04
Abstract: 本发明属于移动边缘计算技术领域，公开了一种有向无环图任务的调度方法、系统、介质、设备及终端，利用移动边缘计算在网络边缘为移动设备提供的充足的计算资源，在给定用户设备能耗约束和任务执行时延约束下，通过分解用户设备能耗约束和任务执行时延约束，满足给定约束的同时实现任务执行可靠性的最大化。本发明对用户设备上的计算密集型、时延敏感型的任务进行调度，根据给定的能耗和时延约束选择每个子任务的执行位置，缩短整个任务的执行时间并减小用户设备的能耗；设计的调度策略能够降低求解任务调度方案的复杂度并且在满足能耗和时延约束的条件下实现任务执行可靠性的最大化。
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公开(公告)号：CN113659308B
公开(公告)日：2024-10-01
申请号：CN202010398707.8
申请日：2020-05-12
Applicant: 西安电子科技大学 , OPPO广东移动通信有限公司
Abstract: 本申请提供一种天线装置和电子设备。该天线装置包括：多个天线单元；多个去耦网络，与所述多个天线单元一一对应，其中，每个去耦网络均具有输入端口、输出端口、第一连接端口和第二连接端口；所述输出端口与对应的天线单元之间连接馈线，所述输入端口用于与射频芯片连接；第一去耦传输线，所述第一去耦传输线连接在相邻的所述去耦网络的第一连接端口之间；第二去耦传输线，所述第二去耦传输线连接在相邻的所述去耦网络的第二连接端口之间。所述第一去耦网络和所述第二去耦网络中的至少一个包括开路枝节。本申请可提高天线装置和电子设备的隔离度，且可减小去耦结构的尺寸。
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公开(公告)号：CN113659307B
公开(公告)日：2024-07-26
申请号：CN202010398681.7
申请日：2020-05-12
Applicant: 西安电子科技大学 , OPPO广东移动通信有限公司
Abstract: 本申请提供一种天线装置和电子设备。该天线装置包括：多个天线单元；多个去耦网络，与所述多个天线单元一一对应；其中，每个去耦网络均具有输入端口、输出端口、第一连接端口和第二连接端口，所述输出端口与对应的天线单元之间连接馈线，所述输入端口用于与射频芯片连接；第一去耦传输线，所述第一去耦传输线连接在相邻的所述去耦网络的第一连接端口之间；第二去耦传输线，所述第二去耦传输线连接在相邻的所述去耦网络的第二连接端口之间。本申请可提高天线装置和电子设备的隔离度。
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公开(公告)号：CN118297235A
公开(公告)日：2024-07-05
申请号：CN202410490883.2
申请日：2024-04-23
Abstract: 本发明公开了一种基于服务可用时段约束的云制造多任务调度方法，首先基于每个任务都必须且只能在一个服务的可用时段内完成的约束，构建云制造多任务调度模型，所述云制造多任务调度模型的目标包括当客户的期望存在冲突时，优先满足权重较高、偏好值较高的客户期望，以及以最少的总能耗完成所有任务；然后采用超启发式算法求解云制造多任务调度模型，获取最佳服务调度方案，并执行最佳服务调度方案以进行调度。本发明将服务的可用时段作为模型的硬约束，使得模型更加符合实际场景需求，采用改进的超启发式算法，可以高效地生成近似最优帕累托解集，具有较好的准确性和优越性。
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公开(公告)号：CN117438787A
公开(公告)日：2024-01-23
申请号：CN202311663471.6
申请日：2023-12-06
Applicant: 杭州电子科技大学
Abstract: 本发明属于无线通信技术领域，公开了一种相位独立调控的阵列天线，包括一层F4B220介质板、一层FR4介质板、一层F4B350介质板、多个金属辐射单元、一层金属地；所述F4B220介质板、FR4介质板、F4B350介质板从上到下依次设置，所述金属辐射单元在顶层F4B220介质板上面；所述金属地在FR4介质板的下表面，金属地在FR4介质板与F4B350介质板的中间。本发明的低成本连续可调阵列天线具有相位调控精度高，效率高，低剖面，低轮廓等特点。
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