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公开(公告)号:CN119966475A
公开(公告)日:2025-05-09
申请号:CN202510118413.8
申请日:2025-01-24
Applicant: 西安电子科技大学
Abstract: 基于交替方向乘子法的大规模阵列仅相位快速波束赋形方法及其应用,通过建立小阵列提取各单元AEP,然后通过子阵外推的计算方法,将提取的子阵各单元AEP近似等效目标大阵列其他单元的AEP;再将其带入算法中,提升方向图综合的适用性;设置方向图综合的上下界约束函数和辅助变量,引入比例因子,拉格朗日乘子等参数,构造方向图综合数学表达式与增广拉格朗日函数;迭代更新辅助变量、比例因子、天线阵列各单元馈电相位、拉格朗日乘子的值,求解方程获得唯相位综合结果;将上述方法应用于设计配套的馈电网络,结合天线阵列构建馈电网络天线阵列一体化模型;本发明解决了大规模阵列的快速波束赋形,避免了互耦效应对阵列性能的影响,提升了波束赋形的速度和精度。
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公开(公告)号:CN119959940A
公开(公告)日:2025-05-09
申请号:CN202510060335.0
申请日:2025-01-15
Applicant: 西安电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种基于散射测量的紧缩场静区平面波幅相特性测试方法,主要解决现有紧缩场静区平面波幅相特性测试难度大和难以消除环境杂波干扰的缺点。其实现方案为:对待测区域进行空间坐标标定确定采样点坐标,在该点处放置一个标准散射体,测量其单站散射数据;移动标准散射体位置到下一采样点处,重复该测量过程,直到获得所有采样点处标准散射体的散射数据;通过距离门滤波滤除获得数据中的环境杂波;测量紧缩场馈源天线的辐射方向图,构建目标散射场补偿矩阵,通过该矩阵对滤波后结果进行散射补偿;根据补偿结果计算紧缩场静区平面波幅相特性,利用该幅相特性确定紧缩场静区范围。本发明能较为简单的实现紧缩场静区幅相特性测量,可应用于紧缩场静区性能测试与分析。
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公开(公告)号:CN119833944A
公开(公告)日:2025-04-15
申请号:CN202510193264.1
申请日:2025-02-21
Applicant: 西安电子科技大学
Abstract: 一种宽带紧耦合Vivaldi阵列天线,包括由N+2个沿H面排布的天线子阵,每个天线子阵由多个紧耦合Vivaldi天线单元沿E面紧密排布构成,紧耦合Vivaldi天线单元包括介质基板,介质基板上表面印制有辐射贴片和超材料贴片,介质基板下表面印制有馈电巴伦,介质基板底部设有射频同轴连接器,射频同轴连接器针状内导体端与馈电巴伦连接,筒状外导体端与辐射贴片接触;本发明通过利用单元间的耦合作用实现了Vivaldi天线阵列的小型化,通过在阵列边缘引入边缘片和哑元,延长了边缘电流路径,对Vivaldi天线阵列在角度扫描时的有源驻波比有一定改善,在E面、H面实现了60度波束扫描;且本发明的天线结构简单,简化了天线设计流程,加工难度和成本较低。
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公开(公告)号:CN119905825A
公开(公告)日:2025-04-29
申请号:CN202510193269.4
申请日:2025-02-21
Applicant: 西安电子科技大学
IPC: H01Q15/00
Abstract: 一种Ka波段电磁超表面单元及加载电磁超表面的低剖面Ka波段波束扫描天线,所述Ka波段电磁超表面单元包括自上而下设置的上介质基板、中介质基板和下介质基板,上介质基板的上表面、中介质基板的上表面、下介质基板的上表面、下介质基板的下表面,均印制有金属层,各金属层金属图案、形状、大小均相同;所述Ka波段波束扫描天线包括自上而下设置的上层Ka波段电磁超表面、下层Ka波段电磁超表面和微带天线馈源;以微带天线为馈源,旋转两层超表面可以在30.5GHz~32.5GHz的频段内进行俯仰面的波束扫描,实现最大±56°的扫描效果;本发明具有结低轮廓、低损耗、低成本、高增益和易于制造的优点。
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公开(公告)号:CN117855864A
公开(公告)日:2024-04-09
申请号:CN202410203885.9
申请日:2024-02-23
Applicant: 西安电子科技大学
Abstract: 基于低剖面的ka波段圆极化选择性超表面单元的波束扫描天线及其波束扫描方法,其中,超表面单元采用两层连接导通的金属贴片和两层介质与中间层金属底板通过半固化层粘合,利用超表面单元的极化选择性,对入射的左旋(右旋)圆极化电磁波进行反射,同时不改变其极化特性,对入射的右旋(左旋旋)圆极化电磁波进行接收,并通过上层金属辐射贴片进行辐射,实现对圆极化电磁波的极化选择;利用机械旋转的双层超表面以单个微带天线为馈源实现在毫米波频段内的俯仰面的波束扫描,可以在29.4GHz~31.2GHz的频段内实现最大±50°的扫描效果;相比于有源相控阵来说,该天线可以省去后端R/T组件部分,同时具有结低轮廓、紧凑结构、低损耗、低成本、高增益和易于制造的优点,更适用于高功率应用场景。
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