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公开(公告)号：CN116254759B
公开(公告)日：2023-07-21
申请号：CN202310527344.7
申请日：2023-05-11
Applicant: 湖南大学
Abstract: 本申请公开的预制桥墩的连接结构及连接方法，包括中空柱体连接件和桥墩基础节，中空柱体连接件上设有第一安装孔和第二安装孔，承台或桥墩基础节的顶部固定设有连接柱和第一连接件，桥墩基础节的底部设有第二连接件，中空柱体连接件套设在下侧的承台或桥墩基础节的连接柱上，上侧的桥墩基础节安于中空柱体连接件的上部，且使第一连接件卡在第一安装孔内，第二连接件卡在第二安装孔内，并配合中空柱体连接件内部浇筑的超高性能混凝土，用于将桥墩基础节固定在承台上或将上下相邻的桥墩基础节进行固定。本技术方案可将多个预制桥墩基础节固定连接成桥墩整体，连接强度高，受力性能好，不需要支设浇筑模板，施工流程简单，施工效率高。
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公开(公告)号：CN116219862A
公开(公告)日：2023-06-06
申请号：CN202310186375.0
申请日：2023-03-01
Applicant: 湖南大学
Abstract: 本申请公开一种预制混凝土板与钢梁的连接结构及其施工方法，包括：间隔设置在预制混凝土板上的剪力钉，所述剪力钉的钉帽外露于所述预制混凝土板外侧；设置在钢梁的上翼缘上，与所述剪力钉配合使用的孔道；与所述孔道连通的大孔端和小孔端，所述大孔端的直径大于所述钉帽的直径，以使得所述钉帽穿过所述大孔端；所述小孔端的孔径大于所述剪力钉的直径，且所述小孔端的孔径小于所述钉帽的直径，以使得所述剪力钉能够沿所述孔道的方向移动至所述小孔端内。本申请提供的预制混凝土板与钢梁的连接结构及其施工方法，用于预制混凝土板与钢梁之间的连接中，相较于现有技术而言，结构简单，施工方便，施工效率高。
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公开(公告)号：CN115796099B
公开(公告)日：2023-05-05
申请号：CN202310084033.8
申请日：2023-02-09
Applicant: 湖南大学
IPC: G06F30/367 , G01R31/26 , G06F119/06 , G06F119/08
Abstract: 本发明公开了一种基于分数阶热网络模型的SiC功率器件结温监测方法，采用零极点展开法实现分数阶无源器件的构造，将有理近似函数表达为零极点对的形式；将有理近似函数设置N个零点和极点，使得二端口网络在一定带宽内实现与理想分数阶元件近似的阻抗以及频域特性，通过链式分抗逼近电路构造分数阶电容；将分数阶电容应用于热网络模型的建立中，通过拟合函数得到热网络模型中的热阻以及热容；根据热网络模型，监测功率器件的结温，得到功率耗散曲线的瞬态结温的表达式。本发明将分数阶电容应用于热模型网络的建立中，有效地提升了热网络模型的精度；将分数阶理论知识应用于结温监测模型的建立中，使得模型可以更加精准的得到结温参数。
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公开(公告)号：CN115796099A
公开(公告)日：2023-03-14
申请号：CN202310084033.8
申请日：2023-02-09
Applicant: 湖南大学
IPC: G06F30/367 , G01R31/26 , G06F119/06 , G06F119/08
Abstract: 本发明公开了一种基于分数阶热网络模型的SiC功率器件结温监测方法，采用零极点展开法实现分数阶无源器件的构造，将有理近似函数表达为零极点对的形式；将有理近似函数设置N个零点和极点，使得二端口网络在一定带宽内实现与理想分数阶元件近似的阻抗以及频域特性，通过链式分抗逼近电路构造分数阶电容；将分数阶电容应用于热网络模型的建立中，通过拟合函数得到热网络模型中的热阻以及热容；根据热网络模型，监测功率器件的结温，得到功率耗散曲线的瞬态结温的表达式。本发明将分数阶电容应用于热模型网络的建立中，有效地提升了热网络模型的精度；将分数阶理论知识应用于结温监测模型的建立中，使得模型可以更加精准的得到结温参数。
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公开(公告)号：CN112821795B
公开(公告)日：2022-04-01
申请号：CN202110016465.6
申请日：2021-01-07
Applicant: 湖南大学
IPC: H02M7/493 , H02M7/5387
Abstract: 本发明提供了一种基于宽禁带器件和硅基器件的并联三相逆变器控制方法、电路、系统和计算机可读存储介质。本发明基于三相abc静止坐标系与dq同步旋转坐标系计算出控制并联三相逆变器的宽禁带器件和硅基器件的驱动信号。本发明针对电压型逆变器和电流型逆变器的特性差异以及目前硅基器件和宽禁带器件存在的问题，对两种逆变器使用宽禁带开关器件和硅基开关器件进行特定的控制，从而充分发挥两种拓扑和两类器件的优势，取得了并联逆变器成本与性能的折中的有益技术效果。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN112821792B
公开(公告)日：2022-04-01
申请号：CN202110201361.2
申请日：2021-02-23
Applicant: 湖南大学
Abstract: 本发明提供了一种双频交错混合半桥电路及其控制方法。本发明的双频交错混合半桥电路使得输入能量被两个桥臂进行以不同的频率处理，利用低频桥臂以较低频率处理功率，降低损耗，利用高频桥臂实现部分功率的高频处理，补偿因低频桥臂低频动作引起的谐波，实现有源滤波的作用，使输出波形逼近预期值。通过不同频率能量包的优化组合，实现不同工况下的能量变换。本发明充分结合了低成本、额定容量大的器件低频处理系统主功率和低损耗、高频率的器件高频处理部分功率，实现了双频交错混合半桥电路，与全高频处理半桥电路相比，能显著提高效率，降低损耗和成本。
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公开(公告)号：CN113964197A
公开(公告)日：2022-01-21
申请号：CN202111265231.1
申请日：2021-10-28
Applicant: 湖南大学
IPC: H01L29/739 , H01L29/06 , H01L21/331
Abstract: 本发明属于功率半导体技术领域，具体是一种低泄漏电流的IGBT器件，包括N型半导体衬底；形成于N型半导体衬底正面的P阱层；形成于P阱层正面的高掺杂P+区和高掺杂N+发射区；形成于高掺杂N+发射区中部并在垂直方向上贯穿P阱层且底部位于N型半导体衬底内的沟槽栅；由沟槽栅中导电材料引出的栅电极；高掺杂P+区和高掺杂N+发射区共同引出的发射极电极；形成于N型半导体衬底背面的P型集电区；在P型集电区引出的集电极，P型集电区顶部引入具有电场截止作用的N型掺杂区，N型掺杂区包括形成于P型集电区顶部的一阶N型掺杂区和形成于一阶N型掺杂区顶部的二阶N型掺杂区。本发明可以减小器件的漏电流，提升器件的耐高温能力。
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公开(公告)号：CN112349770B
公开(公告)日：2021-11-19
申请号：CN202011059251.9
申请日：2020-09-30
Applicant: 湖南大学
IPC: H01L29/06 , H01L21/8258
Abstract: 本发明公布了一种碳化硅功率器件复合终端结构，其特征在于，包括器件元胞和复合终端，所述复合终端包括斜面刻蚀工艺形成的结终端延伸结构和离子注入工艺形成的结终端延伸结构。本发明还公开一种碳化硅功率器件复合终端结构的制备方法。本发明采用现有的工艺技术的同时提高了终端的耐压，进一步提高器件的可靠性和稳定性。
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公开(公告)号：CN110634818B
公开(公告)日：2021-09-24
申请号：CN201910913759.1
申请日：2019-09-25
Applicant: 湖南大学
IPC: H01L23/367 , H01L23/373 , H01L23/48 , H01L25/18 , H02M7/00
Abstract: 本发明涉及电力电子器件技术领域，尤其涉及一种由IGBT和MOSFET构成的混合功率模块的封装结构，包括底部金属板和顶部金属板，所述底部金属板和顶部金属板上分别隔离设置有两块DBC板；所述DBC板上并联设置有Si IGBT、MOSFET和二极管芯片；叠层母排分别与底部及顶部DBC板表面设置的对应敷铜区连接；外壳沿DBC板的外围设置，与四块DBC板围成封闭结构；叠层母排各引脚从外壳侧方穿出以便与外部电路连接。与传统的基于键合线互连和单面散热的封装结构相比，本发明便于发挥叠层母排低寄生参数的优势，最大化发挥MOSFET的高速开关性能，可双面散热以提高功率密度，并具有空间紧凑、装配简单快捷等特点。
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公开(公告)号：CN110707906B
公开(公告)日：2021-09-07
申请号：CN201910961221.8
申请日：2019-10-11
Applicant: 湖南大学
Abstract: 本发明提供了一种基于Si/SiC混合开关的逆变器窄脉冲消除方法，包括：窄脉冲检测方法，采用单极性SPWM时，在过零点和电流峰值区域附近引起的Si IGBT窄脉冲；可变开关策略，完成对所述过零点和所述电流峰值区域附近的Si IGBT窄脉冲的消除，从而提高单相逆变器的性能和可靠性；该方法有效地消除了Si IGBT在过零点和电流峰值区域的窄脉冲，降低了逆变器的开关损耗，提高了逆变器的效率和可靠性。
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