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公开(公告)号：CN118040606B
公开(公告)日：2024-08-06
申请号：CN202410430347.3
申请日：2024-04-11
Applicant: 湖南大学
Abstract: 本发明公开了一种基于分数阶模型电流变化率的短路保护方法及电路，通过方法获取保护电路的第一电流数据，并创建与所述第一电流数据相对应的分数阶模型；实时获取保护电路的第二电流数据，并结合所述分数阶模型，生成与所述第二电流数据相对应的第一电压数据；获取第二电压数据，并结合所述第一电压数据，实时生成与保护电路相对应的短路故障数据；其中，所述第二电压数据为与电流变化率相对应的预设定电压阈值；以及与所述方法相对应的保护电路，可以更加快速且精准对保护电路的短路故障做出响应。
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公开(公告)号：CN118033483A
公开(公告)日：2024-05-14
申请号：CN202410430346.9
申请日：2024-04-11
Applicant: 湖南大学
Abstract: 本发明公开了一种基于分数阶栅极电流的短路检测方法及电路，通过方法分别获取与栅极相对应的第一电流数据、第二电流数据；创建与所述第一电流数据相对应的第一分数阶模型，以及与所述第二电流数据相对应的第二分数阶模型；根据所述第一分数阶模型经分数阶拟合处理，生成相应的第一电压数据；根据所述第二分数阶模型经分数阶拟合处理，生成相应的第二电压数据；调节与分数阶模型相对应的分数阶阶数，生成与所述分数阶阶数相对应的第三电流数据；根据所述第三电流数据，并结合预设参考值数据，实时判定待检电路中的功率器件是否存在短路故障，即通过对MOSFET的电参数进行分数阶建模，实现更快的电流变化速度，更快更精确的判断短路故障。
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公开(公告)号：CN114337225A
公开(公告)日：2022-04-12
申请号：CN202111651125.7
申请日：2021-12-30
Applicant: 湖南大学
Abstract: 本发明属于开关器件的健康管理技术领域，具体涉及一种基于健康状态监测提升变换器可靠性的方法，包括顺次连接的直流源、变换器拓扑、负载和监测装置，所述变换器拓扑包括开关器件，所述开关器件包括IGBT、SiC MOSFET和GaN HEMT；所述监测装置通过对开关器件的电参数或非电参数在线监测，并对获得的电参数或非电参数进行线性拟合，得到某些参数如均压电路中电压和均流电路中电流与开关器件老化情况的函数关系，用于预测所述开关器件的老化程度。本发明利用电路参数和精确的控制算法在监测装置的辅助下平衡各器件的老化程度，提高器件使用寿命从而达到减少维修成本，提高系统整体运行时间的目的。
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公开(公告)号：CN119865096A
公开(公告)日：2025-04-22
申请号：CN202510038144.4
申请日：2025-01-09
Applicant: 湖南大学
Abstract: 本发明涉及一种电机模拟器电流跟踪控制方法及系统，该方法包括：建立电机模拟器测试系统的参考模型，其中，电机模拟器测试系统包括被测电机驱动模块及其连接的电机模拟器；将并联各支路的分电流与带单相总电流反馈的模型输出参考电流进行模拟比较，根据滞环比较原理，设置滞环比较的迟滞系数，并生成滞环比较结果；根据被测电机驱动模块和电机模拟器支路状态，结合滞环比较结果，控制电机模拟器逆变侧并联支路的电流增减，每周期单次增减电流后换相，实现多支路定频错相电流控制。本发明通过采用带总电流反馈补偿的电流滞环比较控制方法和定频错相的电流控制算法，实现电机模拟器高频大功率的工作需求，提高电流跟踪精度和动态响应速度。
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公开(公告)号：CN117748966B
公开(公告)日：2024-05-03
申请号：CN202410185661.X
申请日：2024-02-20
Applicant: 湖南大学
Abstract: 本发明提供了一种基于频率自适应移相调制控制的效率最优控制方法及系统，通过计算变换器的归一化直流电压增益，利用调频和移相相结合的技术，有效地控制了变换器的工作状态，使其能在一定范围内调节输出电压；引入了智能优化算法以获得最佳的移相角度，保持在输出电压不变的情况下最大化变换器的效率，从而改善系统的性能并降低能源损耗。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN115630483A
公开(公告)日：2023-01-20
申请号：CN202211201721.X
申请日：2022-09-29
Applicant: 湖南大学
Abstract: 本发明公开了一种基于分数阶模型的数字孪生模型建立方法及系统，实时采集物理实验平台在导通时的电感电流iL1.r、在关断时的电感电流iL2.r、在导通时的电容电压vC1.r和在关断时的电容电压vC2.r；采集数字孪生平台在导通时的电感电流iL1.d、在关断时的电感电流iL2.d、在导通时的电容电压vC1.d和在关断时的电容电压vC2.d；采用智能优化算法计算设立的适应度函数；当迭代的次数达到设立的次数时，输出此时的电感L、电容C、电容的寄生电阻Rc、电感的寄生电阻RL、开关管的寄生电阻Rdson、电感电流的阶次α和电容电压的阶次β；通过这些值得到最终的数字孪生模型。本发明可以有效的提升模型的精度。
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公开(公告)号：CN118033483B
公开(公告)日：2024-07-02
申请号：CN202410430346.9
申请日：2024-04-11
Applicant: 湖南大学
Abstract: 本发明公开了一种基于分数阶栅极电流的短路检测方法及电路，通过方法分别获取与栅极相对应的第一电流数据、第二电流数据；创建与所述第一电流数据相对应的第一分数阶模型，以及与所述第二电流数据相对应的第二分数阶模型；根据所述第一分数阶模型经分数阶拟合处理，生成相应的第一电压数据；根据所述第二分数阶模型经分数阶拟合处理，生成相应的第二电压数据；调节与分数阶模型相对应的分数阶阶数，生成与所述分数阶阶数相对应的第三电流数据；根据所述第三电流数据，并结合预设参考值数据，实时判定待检电路中的功率器件是否存在短路故障，即通过对MOSFET的电参数进行分数阶建模，实现更快的电流变化速度，更快更精确的判断短路故障。
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公开(公告)号：CN117761497B
公开(公告)日：2024-05-24
申请号：CN202410194399.5
申请日：2024-02-22
Applicant: 湖南大学
IPC: G01R31/26
Abstract: 本发明提供了一种基于分数阶建模的SiC MOSFET结温测量方法和系统，与传统的SiC MOSFET结温测量方法对比，解决了现有技术中结温测量方法温度敏感度较低的技术问题；该方法采用分数阶模型，具有灵活和精确的优点，能有效提高SiC MOSFET电参数的温度敏感度，从而实现更准确、快速的结温测量；这种方法有助于改善电力电子设备的安全性和稳定性，减少由于器件过热导致的故障，并且提高了器件的可靠性，降低维护成本；此外，它还为其他相关领域提供了一个全新的分析工具，拓宽了应用范围，具有重要的实用价值。
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公开(公告)号：CN114337347B
公开(公告)日：2024-02-06
申请号：CN202210005398.2
申请日：2022-01-05
Applicant: 湖南大学
IPC: H02M7/5387 , H02M1/14 , H02M1/12 , H02M1/38 , H02M1/32
Abstract: 本发明属于电力电子变换器控制与智能化电源领域，具体涉及一种延长全SiC逆变器寿命的方法，这种方法包含电流控制环，AD转换模块，SiC MOSFET热敏电参数(TSEPs)在线监测模块、器件老化监测模块和SPWM单极性调制模块。本发明针对全SiC逆变器，将电流闭环控制与SiC MOSFET的老化监测相结合实现了稳定交流输出的同时，提高了整个系统的可靠性，延长了全SiC逆变器的寿命。
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