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公开(公告)号：CN111983415A
公开(公告)日：2020-11-24
申请号：CN202010841265.X
申请日：2020-08-20
Applicant: 湖南大学
IPC: G01R31/26
Abstract: 本发明提供了一种功率器件结温在线检测系统，其特征在于：包括电源电路，所述电源电路分别与门极驱动电路、隔离电路、电压采集电路、电流采集电路、信号处理电路、和DSP控制器相连接，所述电源电路能够提供隔离供电；该在线检测系统依据功率器件本身的温度敏感电参数：阈值电压；本发明所提出的功率器件结温在线监测系统能够在不影响功率器件正常运行的前提下，准确实时的反馈结温信息，避免因器件结温过高损坏器件，破坏整个系统的可靠运行。本发明检测系统成本低，可靠性高且易于实现，有很强的应用价值。
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公开(公告)号：CN111880069A
公开(公告)日：2020-11-03
申请号：CN202010841091.7
申请日：2020-08-20
Applicant: 湖南大学
Abstract: 本发明公布了一种基于开通电流斜率的半导体器件结温在线检测系统，其特征在于，包括电源电路，所述电源电路分别与门极驱动电路、电压与电流测量电路、电流斜率采集电路、信号处理电路、隔离电路、A/D采样电路和DSP控制器相连接，所述电源电路能够提供隔离供电；该在线检测系统依据半导体器件本身的温度敏感电参数：阈值电压。本发明具有很好的适用性，可实现低成本、简单、稳定、快速的获取半导体器件的实时结温，有效避免在系统中由于半导体器件结温过高而造成系统失效的经济损失以及可能的人员损伤。
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公开(公告)号：CN113644137B
公开(公告)日：2024-01-30
申请号：CN202110879170.1
申请日：2021-08-02
Applicant: 湖南大学
IPC: H01L29/868 , H01L29/861 , H01L29/06
Abstract: 本发明公布了一种大功率快恢复二极管结构，其特征在于，从上至下依次设置有第一电极层、第二导电类型的导通二区、第一导电类型的阻断层、第一导电类型的导通三区和第二电极层，所述导通二区的上表面嵌入多个第二导电类型的导通一区，多个所述导通一区间隔设置；所述导通一区和导通二区的上表面与第一电极层接触；所述导通二区的下表面与阻断层接触；所述阻断层与导通三区之间还设置有第一导电类型的过渡区；所述过渡区的下表面与导通三区连接；所述过渡区的上表面及侧面与阻断层连接。本发明高度集成，可以改善二极管阻断区载流子的分布，在提升快恢复二极管的反向恢复特性的前提下降低其正向导通压降。
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公开(公告)号：CN112349770B
公开(公告)日：2021-11-19
申请号：CN202011059251.9
申请日：2020-09-30
Applicant: 湖南大学
IPC: H01L29/06 , H01L21/8258
Abstract: 本发明公布了一种碳化硅功率器件复合终端结构，其特征在于，包括器件元胞和复合终端，所述复合终端包括斜面刻蚀工艺形成的结终端延伸结构和离子注入工艺形成的结终端延伸结构。本发明还公开一种碳化硅功率器件复合终端结构的制备方法。本发明采用现有的工艺技术的同时提高了终端的耐压，进一步提高器件的可靠性和稳定性。
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公开(公告)号：CN112349770A
公开(公告)日：2021-02-09
申请号：CN202011059251.9
申请日：2020-09-30
Applicant: 湖南大学
IPC: H01L29/06 , H01L21/8258
Abstract: 本发明公布了一种碳化硅功率器件复合终端结构，其特征在于，包括器件元胞和复合终端，所述复合终端包括斜面刻蚀工艺形成的结终端延伸结构和离子注入工艺形成的结终端延伸结构。本发明还公开一种碳化硅功率器件复合终端结构的制备方法。本发明采用现有的工艺技术的同时提高了终端的耐压，进一步提高器件的可靠性和稳定性。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN112038413A
公开(公告)日：2020-12-04
申请号：CN202010947612.7
申请日：2020-09-10
Applicant: 湖南大学
IPC: H01L29/868 , H01L29/06
Abstract: 本发明公布了一种超结型快恢复二极管器件，自下而上包括阴极金属层、N+阴极区、N型缓冲层、P型区和阳极金属层，所述N型缓冲层和P型区之间还设置有由交替掺杂的P型柱区和N型柱区组成的超结结构。本发明改善硅基功率器件固有的通态压降与击穿电压之间的矛盾，实现对二极管器件击穿电压的提升，同时优化了其反向恢复特性。
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公开(公告)号：CN113644137A
公开(公告)日：2021-11-12
申请号：CN202110879170.1
申请日：2021-08-02
Applicant: 湖南大学
IPC: H01L29/868 , H01L29/861 , H01L29/06
Abstract: 本发明公布了一种大功率快恢复二极管结构，其特征在于，从上至下依次设置有第一电极层、第二导电类型的导通二区、第一导电类型的阻断层、第一导电类型的导通三区和第二电极层，所述导通二区的上表面嵌入多个第二导电类型的导通一区，多个所述导通一区间隔设置；所述导通一区和导通二区的上表面与第一电极层接触；所述导通二区的下表面与阻断层接触；所述阻断层与导通三区之间还设置有第一导电类型的过渡区；所述过渡区的下表面与导通三区连接；所述过渡区的上表面及侧面与阻断层连接。本发明高度集成，可以改善二极管阻断区载流子的分布，在提升快恢复二极管的反向恢复特性的前提下降低其正向导通压降。
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公开(公告)号：CN112349771A
公开(公告)日：2021-02-09
申请号：CN202011059252.3
申请日：2020-09-30
Applicant: 湖南大学
IPC: H01L29/06 , H01L21/8258
Abstract: 本发明公布了一种碳化硅器件埋层型终端结构，包括器件元胞和埋层型多调制环终端，所述器件元胞包括：N+ SiC衬底；位于所述N+ SiC衬底上的P缓冲层；位于所述P缓冲层上的P‑漂移区；位于所述P‑漂移区上的N基区，在N基区上进行离子注入形成门极区，位于所述N基区上的P+阳极区；所述埋层型多调制环终端距离P‑漂移区上表面的深度d≧0.3um。本发明还公布了一种碳化硅器件埋层型终端结构的制备方法。本发明可以有效缓解因漂移区上表面SiO2/SiC界面区域内的固定电荷对终端结构的影响，充分发挥终端结构的效果，缓解主结处的电场集中，提高器件的耐压能力。
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公开(公告)号：CN106449729B
公开(公告)日：2019-04-30
申请号：CN201610696625.5
申请日：2016-08-22
Applicant: 湖南大学
IPC: H01L29/06 , H01L29/868 , H01L21/329
Abstract: 本发明提供了一种半导体结构及其制作方法，半导体结构包括：第一掺杂浓度的P+区、第二掺杂浓度的N+区以及设置在P+区和N+区之间的具有第三掺杂浓度的漂移区；其中，第一掺杂浓度和第二掺杂浓度均高于第三掺杂浓度；所述漂移区包括至少两层高寿命复合层和至少一层低寿命复合层，每层低寿命复合层上下分别紧邻一层高寿命复合层；其中，高寿命复合层中载流子的寿命高于低寿命复合层中载流子的寿命，本发明提供的半导体结构能够提高反向恢复速度，减小关断损耗。
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公开(公告)号：CN106449729A
公开(公告)日：2017-02-22
申请号：CN201610696625.5
申请日：2016-08-22
Applicant: 湖南大学
IPC: H01L29/06 , H01L29/868 , H01L21/329
CPC classification number: H01L29/868 , H01L29/0684 , H01L29/6606
Abstract: 本发明提供了一种半导体结构及其制作方法，半导体结构包括：第一掺杂浓度的P+区、第二掺杂浓度的N+区以及设置在P+区和N+区之间的具有第三掺杂浓度的漂移区；其中，第一掺杂浓度和第二掺杂浓度均高于第三掺杂浓度；所述漂移区包括至少两层高寿命复合层和至少一层低寿命复合层，每层低寿命复合层上下分别紧邻一层高寿命复合层；其中，高寿命复合层中载流子的寿命高于低寿命复合层中载流子的寿命，本发明提供的半导体结构能够提高反向恢复速度，减小关断损耗。
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