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公开(公告)号：CN114262942A
公开(公告)日：2022-04-01
申请号：CN202210200525.4
申请日：2022-03-03
Applicant: 浙江大学杭州国际科创中心
Abstract: 本发明涉及碳化硅晶片加工技术领域，公开了一种碳化硅晶片腐蚀化系统，包括工作台面、传送机构、密封舱和排气装置；工作台面包括多个工作腔，密封舱用于对所述工作腔进行密封，防止有害气体泄露；传送机构用于根据设定程序自动将碳化硅晶片依次从密封舱传送到不同的工作腔中进行功能化处理；排气装置用于对从工作腔散发出的有害气体进行无害化处理。本发明将碳化硅片晶片的腐蚀化过程都集成在一个工作台面，通过自动化机构，实现碳化硅晶片在功能化处理过程中的自动化；整个工作台面通过密封舱和排气装置保持负压状态，防止有害气体的挥发，工作人员只需取放样品和通过观察窗查看腐蚀进度，避免高温和有害气体的接触，最大限度保护人员安全。
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公开(公告)号：CN113897683B
公开(公告)日：2022-03-29
申请号：CN202111490083.3
申请日：2021-12-08
Applicant: 浙江大学杭州国际科创中心
Abstract: 本发明涉及碳化硅单晶片制造领域，公开了一种n型碳化硅单晶片剥离方法及剥离装置，包括：提供n型碳化硅晶锭，包括非晶层和位于非晶层表面的单晶层；将n型碳化硅晶锭浸泡入刻蚀液中，基于三电极体系将n型碳化硅晶锭作为阳极并在刻蚀液中设置阴极和参比电极；采用特定波长的入射光对n型碳化硅晶锭进行照射，入射光照射在非晶层表面形成光生空穴‑电子对；在照射的过程中，向n型碳化硅晶锭提供正恒电位，非晶层表面的光生电子沿电流转移到阴极上与刻蚀液发生反应，刻蚀液对非晶层表面进行选择性刻蚀，实现单晶层的剥离，得到n型碳化硅单晶片。通过本发明得到的单晶片表面或亚表面无损伤层、无应力残余，操作简单，成本低。
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公开(公告)号：CN114197056A
公开(公告)日：2022-03-18
申请号：CN202210044062.7
申请日：2022-01-14
Applicant: 浙江大学杭州国际科创中心
Abstract: 本发明公开了一种半导体材料退火装置及退火方法，涉及半导体制造技术领域，其中，一种半导体材料退火装置，包括：转移室，转移室内设有载样台，转移室上活动设有样品传送装置；第一加热室，第一加热室与转移室相连通；第二加热室，第二加热室与转移室相连通；冷却室，冷却室与转移室相连通；旋转升降机构，旋转升降机构与载样台相连接，旋转升降机构用于带动载样台并带着样品在第一加热室、第二加热室和冷却室之间进行转换。本申请的退火装置不仅可以实现连续加热，无需进行重复升温降温操作，有效降低工作过程能耗以及提高退火效率，且每个室既可以配合工作，也可以单独工作，进一步降低了生产成本。
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公开(公告)号：CN113897683A
公开(公告)日：2022-01-07
申请号：CN202111490083.3
申请日：2021-12-08
Applicant: 浙江大学杭州国际科创中心
Abstract: 本发明涉及碳化硅单晶片制造领域，公开了一种n型碳化硅单晶片剥离方法及剥离装置，包括：提供n型碳化硅晶锭，包括非晶层和位于非晶层表面的单晶层；将n型碳化硅晶锭浸泡入刻蚀液中，基于三电极体系将n型碳化硅晶锭作为阳极并在刻蚀液中设置阴极和参比电极；采用特定波长的入射光对n型碳化硅晶锭进行照射，入射光照射在非晶层表面形成光生空穴‑电子对；在照射的过程中，向n型碳化硅晶锭提供正恒电位，非晶层表面的光生电子沿电流转移到阴极上与刻蚀液发生反应，刻蚀液对非晶层表面进行选择性刻蚀，实现单晶层的剥离，得到n型碳化硅单晶片。通过本发明得到的单晶片表面或亚表面无损伤层、无应力残余，操作简单，成本低。
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公开(公告)号：CN113774494A
公开(公告)日：2021-12-10
申请号：CN202111344971.4
申请日：2021-11-15
Applicant: 浙江大学杭州国际科创中心
Abstract: 本发明涉及单晶片剥离技术领域，公开了一种半绝缘型碳化硅单晶片剥离方法及剥离装置，包括：提供半绝缘型碳化硅晶锭，将半绝缘型碳化硅晶锭浸泡入刻蚀液中，其中，半绝缘型碳化硅晶锭包括非晶层和位于非晶层表面的单晶层，非晶层位于半绝缘型碳化硅晶锭内部的预定位置处；采用特定波长的入射光对半绝缘型碳化硅晶锭进行照射，入射光经过单晶层照射在非晶层表面，在非晶层表面形成光生空穴‑电子对；在照射的过程中，刻蚀液对具有光生空穴‑电子对的非晶层表面进行选择性刻蚀，得到半绝缘型碳化硅单晶片；本发明能够获得厚度可控的半绝缘型碳化硅单晶片，无需减薄研磨处理，且得到的单晶片表面或亚表面无损伤层、无应力残余，操作简单，成本低。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN113604779A
公开(公告)日：2021-11-05
申请号：CN202110891246.2
申请日：2021-08-04
Applicant: 浙江大学杭州国际科创中心
Abstract: 本发明提拱了一种有序手性分子链制备方法及SiC器件衬底，包括如下步骤：清洗SiC单晶衬底，以去除所述SiC单晶衬底表面杂质；将SiC单晶衬底置于真空度为1.0×10‑10mbar～3.0×10‑10mbar的制备腔内，通过直流加热方式对SiC单晶衬底进行加热除气；随后将SiC单晶衬底在900℃和1400℃下循环加热90min；然后切断直流加热，使SiC单晶衬底温度降至室温，从而使SiC单晶衬底表面均匀地形成有双层石墨烯；向制备腔内热蒸发2,2’‑二苯乙炔基‑4,4’‑二溴联苯分子，使其在低温的SiC单晶衬底的双层石墨烯表面进行手性分离与自组装，当制备腔内真空度上升至1.0×10‑9mbar～3.0×10‑9mbar时，开始沉积分子，沉积一段时间分子后，可以制得大面积有序手性分子链。
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公开(公告)号：CN113550002A
公开(公告)日：2021-10-26
申请号：CN202111103172.8
申请日：2021-09-18
Applicant: 浙江大学杭州国际科创中心
Abstract: 本发明公开了一种碳化硅籽晶的固定方法及固定结构，固定方法包括以下几个步骤：材料的预处理：在碳化硅籽晶片的上表面镀一层碳化膜；材料的固定：将钨箔片放置在碳化硅籽晶片的碳化膜和碳化硅陶瓷片之间，在碳化硅陶瓷片上放置压重块使得钨箔片、碳化硅籽晶片和碳化硅陶瓷片紧密接触；烧结成型：将固定后的材料放入加热设备中烧结一段时间使得钨箔片加热熔融后与碳化硅籽晶片、碳化硅陶瓷片固定连接，去掉压重块，最终获得碳化硅籽晶固定结构。本发明具有在粘接固定籽晶时无需使用粘接剂以避免粘接剂对碳化硅籽晶的腐蚀，紧密固定籽晶，提高碳化硅晶体的质量和良品率等优点。
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公开(公告)号：CN113445128A
公开(公告)日：2021-09-28
申请号：CN202111019665.3
申请日：2021-09-01
Applicant: 浙江大学杭州国际科创中心
Abstract: 本发明提供了一种低微管密度碳化硅单晶制备方法及碳化硅单晶，涉及碳化硅晶体制备的技术领域，通过调整保护性气体流速来使炉内压力由第一目标压力上升至第二目标压力，从而在第一目标温度与第二目标压力的生长条件下，在碳化硅固气界面处形成热力学平衡态，使原本具有微管的碳化硅单晶表面发生重构，使得后续在其表面生成的碳化硅单晶具有低缺陷、低微管密度的优点。
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公开(公告)号：CN119956483A
公开(公告)日：2025-05-09
申请号：CN202411998069.8
申请日：2024-12-31
Applicant: 浙江大学杭州国际科创中心
Abstract: 本发明涉及一种生长在半导体衬底上的氮化铝膜及其制备方法和应用，该方法包括：清洗半导体衬底；氮化铝叠层制备，包括：采用ALD沉积工艺，在半导体衬底上生长第一AlN层；采用PVD沉积工艺，在第一AlN层表面上生长第二AlN层，得到一组氮化铝叠层；所述PVD沉积工艺的靶材为AlN靶材，温度范围在20℃‑300℃以内，PVD反应腔室的气压在0.1Pa‑2.0Pa以内，反应过程中的氮气和氩气的流量比例在1:1以上；至少执行一次所述氮化铝叠层的制备过程，得到至少一组氮化铝叠层；对氮化铝叠层进行退火，得到氮化铝膜，退火温度小于1300℃。本发明制备的氮化铝膜的质量、性能和生长速度都有所提升。
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公开(公告)号：CN119824516A
公开(公告)日：2025-04-15
申请号：CN202411998925.X
申请日：2024-12-31
Applicant: 浙江大学杭州国际科创中心
Abstract: 本申请涉及用于控制生长晶体直径的装置和方法、碳化硅晶体。该装置包括：籽晶杆，籽晶杆的沿第一方向的下端面用于设置籽晶；及控制环组件，控制环组件包括沿第一方向依次可拆卸地连接的多个环，每个环的内周壁具有预定内径；相邻两个环中，下侧环的预定内径大于上侧环的预定内径；多个环中，连接于籽晶杆的环套设于籽晶杆并套设于籽晶。该装置能够用于形成多种预定直径的晶体。
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