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公开(公告)号：CN113550002A
公开(公告)日：2021-10-26
申请号：CN202111103172.8
申请日：2021-09-18
Applicant: 浙江大学杭州国际科创中心
Abstract: 本发明公开了一种碳化硅籽晶的固定方法及固定结构，固定方法包括以下几个步骤：材料的预处理：在碳化硅籽晶片的上表面镀一层碳化膜；材料的固定：将钨箔片放置在碳化硅籽晶片的碳化膜和碳化硅陶瓷片之间，在碳化硅陶瓷片上放置压重块使得钨箔片、碳化硅籽晶片和碳化硅陶瓷片紧密接触；烧结成型：将固定后的材料放入加热设备中烧结一段时间使得钨箔片加热熔融后与碳化硅籽晶片、碳化硅陶瓷片固定连接，去掉压重块，最终获得碳化硅籽晶固定结构。本发明具有在粘接固定籽晶时无需使用粘接剂以避免粘接剂对碳化硅籽晶的腐蚀，紧密固定籽晶，提高碳化硅晶体的质量和良品率等优点。
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公开(公告)号：CN115424099A
公开(公告)日：2022-12-02
申请号：CN202211383066.4
申请日：2022-11-07
Applicant: 浙江大学杭州国际科创中心
IPC: G06V10/778 , G06V10/774 , G06V10/82 , G06V10/26 , G06T7/00 , G06T7/73 , G06T3/40 , G06N3/04 , G06N3/08
Abstract: 本发明涉及碳化硅技术领域，公开了一种用于识别碳化硅位错的模型训练方法、识别方法及装置，通过获取背景干净且不同位错无重叠的第一碳化硅位错图片样本进行标注，再通过神经网络模型进行训练得到第1代检测模型；获取背景干净且存在位错重叠交错的多张第二碳化硅位错图片样本，通过第1代检测模型进行检测后进行标注，再通过神经网络模型对标注后的多张第一碳化硅位错图片样本和第二碳化硅位错图片样本进行训练，得到第2代检测模型；获取背景不干净的多张第三碳化硅位错图片样本，根据上述步骤得到第3代检测模型。采用本发明在保证识别准确率的条件下，大大节省了时间和人工成本，并节约了30%以上的晶片加工成本，进而降低了检测成本。
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公开(公告)号：CN113026106A
公开(公告)日：2021-06-25
申请号：CN202110544234.2
申请日：2021-05-19
Applicant: 浙江大学杭州国际科创中心
Abstract: 本发明公开了一种新型的碳化硅晶体的生长工艺。通过这种方法生长碳化硅单晶，既解决了单独使用PVT方法所带来的源料无法持续供给及C/Si比失衡问题，也解决了PVT方法初期籽晶上面沉积成成核困难的问题。另外，通过调节出气管的挡板角度，既解决了单独使用HTCVD生长成本过大的问题，提高了源料的利用率，也解决了长时间的生长中排气口会发生封堵的问题。而且通过在炉体内部跟进气管道上端口平行处添加过滤网，保证了在整个生长过程中，防止了料粉中的固体颗粒进入到籽晶上面而形成固体粒子包裹。
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公开(公告)号：CN115424099B
公开(公告)日：2023-04-18
申请号：CN202211383066.4
申请日：2022-11-07
Applicant: 浙江大学杭州国际科创中心
IPC: G06V10/778 , G06V10/774 , G06V10/82 , G06V10/26 , G06T7/00 , G06T7/73 , G06T3/40 , G06N3/04 , G06N3/08
Abstract: 本发明涉及碳化硅技术领域，公开了一种用于识别碳化硅位错的模型训练方法、识别方法及装置，通过获取背景干净且不同位错无重叠的第一碳化硅位错图片样本进行标注，再通过神经网络模型进行训练得到第1代检测模型；获取背景干净且存在位错重叠交错的多张第二碳化硅位错图片样本，通过第1代检测模型进行检测后进行标注，再通过神经网络模型对标注后的多张第一碳化硅位错图片样本和第二碳化硅位错图片样本进行训练，得到第2代检测模型；获取背景不干净的多张第三碳化硅位错图片样本，根据上述步骤得到第3代检测模型。采用本发明在保证识别准确率的条件下，大大节省了时间和人工成本，并节约了30%以上的晶片加工成本，进而降低了检测成本。
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公开(公告)号：CN112978731B
公开(公告)日：2021-08-20
申请号：CN202110551428.5
申请日：2021-05-20
Applicant: 浙江大学杭州国际科创中心
IPC: C01B32/977
Abstract: 本发明涉及一种高纯碳化硅颗粒的反应装置及制备方法，将高纯度的硅烷和乙炔作为原料气体，采用冷等离子体与加热的方法在惰性气氛中合成高纯度的碳化硅颗粒。由气相法合成的碳化硅颗粒避免了其他杂质的引入，保证了碳化硅颗粒的高纯度，同时冷等离子体法利用电子碰撞制备碳化硅颗粒，大大降低了碳化硅颗粒的合成温度，减少了制备成本，为高纯碳化硅颗粒的工业化生产提供了新的方向。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN113308732A
公开(公告)日：2021-08-27
申请号：CN202110474168.6
申请日：2021-04-29
Applicant: 浙江大学杭州国际科创中心
Abstract: 本发明公开了一种碳化硅单晶的制备方法，利用碳和硅直接生长合成碳化硅单晶，省去了中间的碳化硅源粉合成步骤，通过本发明的方法生长碳化硅单晶，不仅可以大大降低一次完整长晶的成本，而且由于省去了中间程序，避免了氮气的二次污染使之晶体质量较传统PVT法提高很多。
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公开(公告)号：CN113026106B
公开(公告)日：2021-08-10
申请号：CN202110544234.2
申请日：2021-05-19
Applicant: 浙江大学杭州国际科创中心
Abstract: 本发明公开了一种新型的碳化硅晶体的生长工艺。通过这种方法生长碳化硅单晶，既解决了单独使用PVT方法所带来的源料无法持续供给及C/Si比失衡问题，也解决了PVT方法初期籽晶上面沉积成成核困难的问题。另外，通过调节出气管的挡板角度，既解决了单独使用HTCVD生长成本过大的问题，提高了源料的利用率，也解决了长时间的生长中排气口会发生封堵的问题。而且通过在炉体内部跟进气管道上端口平行处添加过滤网，保证了在整个生长过程中，防止了料粉中的固体颗粒进入到籽晶上面而形成固体粒子包裹。
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公开(公告)号：CN112978731A
公开(公告)日：2021-06-18
申请号：CN202110551428.5
申请日：2021-05-20
Applicant: 浙江大学杭州国际科创中心
IPC: C01B32/977
Abstract: 本发明涉及一种高纯碳化硅颗粒的反应装置及制备方法，将高纯度的硅烷和乙炔作为原料气体，采用冷等离子体与加热的方法在惰性气氛中合成高纯度的碳化硅颗粒。由气相法合成的碳化硅颗粒避免了其他杂质的引入，保证了碳化硅颗粒的高纯度，同时冷等离子体法利用电子碰撞制备碳化硅颗粒，大大降低了碳化硅颗粒的合成温度，减少了制备成本，为高纯碳化硅颗粒的工业化生产提供了新的方向。
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公开(公告)号：CN215668287U
公开(公告)日：2022-01-28
申请号：CN202122297626.1
申请日：2021-09-18
Applicant: 浙江大学杭州国际科创中心
Abstract: 本实用新型公开了一种碳化硅籽晶的固定结构，包括碳化硅籽晶、金属箔片和晶托，碳化硅籽晶的上表面设有碳化膜，金属箔片设置在碳化膜与晶托之间，金属箔片加热后与碳化硅籽晶、晶托固定连接。本实用新型具有无需使用粘接剂以避免其对碳化硅籽晶的腐蚀，紧密固定籽晶，提高碳化硅晶体的质量和良品率等优点。
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公开(公告)号：CN214830783U
公开(公告)日：2021-11-23
申请号：CN202120915874.5
申请日：2021-04-29
Applicant: 浙江大学杭州国际科创中心
Abstract: 本实用新型涉及一种生长碳化硅单晶的坩埚结构，包括加热坩埚与生长坩埚，生长坩埚底部均匀设置加热石墨棒，由于是中频感应加热，磁场从外到内有衰减现象，将加热坩埚对应壁厚减少，并在碳化硅粉源中间加入加热用石墨棒，中频感应加热磁场能够有效的透过加热坩埚，使的加热石墨棒在碳化硅粉源中起到加热的作用，通过石墨棒在粉料中的加热，使得整个生长室内的气氛均匀，并在一定程度上能够加快PVT法气相传输的速率，提高碳化硅晶体生长速度。同时也提高在生长过程中气体径向与轴向运输速度，提高了SiC粉料的利用率，增加原料利用率，降低了原料成本,为企业带来效益。
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