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公开(公告)号：CN119663416A
公开(公告)日：2025-03-21
申请号：CN202411907049.5
申请日：2024-12-23
Applicant: 浙江大学杭州国际科创中心
Abstract: 本发明涉及一种碳化硅生长装置，包括石墨坩埚、第一加热组件和第二加热组件；所述石墨坩埚用于容纳硅溶液；所述第一加热组件设置在所述石墨坩埚的底壁处，所述第一加热组件用于减少所述硅溶液在所述石墨坩埚径向上的温度梯度；所述第二加热组件设置在所述石墨坩埚的侧壁处，所述第二加热组件用于减少所述硅溶液在所述石墨坩埚轴向上的温度梯度。第一加热组件和第二加热组件的实际效果可以互补，通过第一加热组件和第二加热组件的相互配合，可以使硅溶液在石墨坩埚轴向和径向上的温度均匀性同时获得提升，有效提升了籽晶杆下端温度的可控性和可预测性，籽晶杆下端温度能够很好地维持在碳化硅的理想生长温度范围，以此提升碳化硅的生长质量。
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公开(公告)号：CN119824516A
公开(公告)日：2025-04-15
申请号：CN202411998925.X
申请日：2024-12-31
Applicant: 浙江大学杭州国际科创中心
Abstract: 本申请涉及用于控制生长晶体直径的装置和方法、碳化硅晶体。该装置包括：籽晶杆，籽晶杆的沿第一方向的下端面用于设置籽晶；及控制环组件，控制环组件包括沿第一方向依次可拆卸地连接的多个环，每个环的内周壁具有预定内径；相邻两个环中，下侧环的预定内径大于上侧环的预定内径；多个环中，连接于籽晶杆的环套设于籽晶杆并套设于籽晶。该装置能够用于形成多种预定直径的晶体。
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公开(公告)号：CN117568920A
公开(公告)日：2024-02-20
申请号：CN202311516809.5
申请日：2023-11-14
Applicant: 浙江大学杭州国际科创中心
Abstract: 本发明涉及半导体领域，提供一种自动化补料装置、晶体生长装置及晶体生长方法。自动化补料装置在碳化硅晶体生长过程中通过液面高度检测控制结构检测石墨坩埚内的碳化硅溶液液面高度，根据碳化硅溶液液面高度相对于设定液面生长高度，通过自动化补料结构向石墨坩埚中添加或者停止添加硅原料，从而在不打开坩埚的条件下，维持碳化硅溶液体系的一致性，保证了碳化硅晶体生长条件的稳定，实现碳化硅晶体的稳定生长。同时，通过液面高度检测控制结构的触点高度和籽晶轴高度的控制，控制碳化硅溶液液面高度使得碳化硅溶液液面与碳化硅晶体接触处的弯月面高度保持于一定范围内，避免弯月面的高度变化对碳化硅晶体生长产生影响。
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