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公开(公告)号：CN114220848B
公开(公告)日：2022-05-10
申请号：CN202210162096.6
申请日：2022-02-22
Applicant: 浙江大学
IPC: H01L29/06 , H01L29/872 , H01L29/739 , H01L29/78 , H01L21/329 , H01L21/331 , H01L21/336
Abstract: 本发明涉及半导体技术领域中的一种快速开通的浮岛器件及其制造方法，包括表面层、底层和漂移区，漂移区包括若干组衬底层和若干组浮岛层，每两组所述衬底层之间设置有一组浮岛层，或每两组所述浮岛层之间设置有一组衬底层，在浮岛层中设置重掺杂反型区，具有消除空间电荷对电流的阻碍的优点，缓解了漂移区中有相反类型掺杂区域的浮岛器件在较低的偏压下不能够恢复导通能力的问题。
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公开(公告)号：CN114300374A
公开(公告)日：2022-04-08
申请号：CN202111630451.X
申请日：2021-12-28
Applicant: 浙江大学杭州国际科创中心
IPC: H01L21/66
Abstract: 碳化硅介质层的刻蚀选择比量测方法，属于半导体技术领域，包括以下步骤：使用光谱椭偏仪测量碳化硅上介质层的介质膜厚H1，并通过公式计算得到介质膜厚的评价函数MSE1；制作掩膜层，使用台阶仪量测掩膜层厚度Ht；基于所述步骤S2量测的掩膜层厚度Ht，使用光谱椭偏仪测量掩膜层厚度Hy，并通过公式计算得到所述掩膜层厚度的评价函数MSEy；刻蚀含有掩膜的碳化硅上介质层，使用台阶仪量测刻蚀后台阶深度Het，使用椭偏仪测量刻蚀后掩膜层厚度Hey；根据公式计算刻蚀选择比。本方法使刻蚀过程中的碳化硅上掩膜层的厚度量测更加精确，从而使碳化硅上的介质层相对于掩膜层的选择比刻蚀工艺调试结果更加具有可信度。
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公开(公告)号：CN114284224A
公开(公告)日：2022-04-05
申请号：CN202111295803.0
申请日：2021-11-03
Applicant: 浙江大学杭州国际科创中心
IPC: H01L23/473 , H01L23/367
Abstract: 本发明公开了一种带翅片的嵌入式功率芯片微通道热沉，包括：微通道基板，冷却液进出口基板，冷却液进口，入口缓冲区，缩口段，扩口段，出口缓冲区，冷却液出口等。本发明采用刻蚀工艺，在晶圆上一体化刻蚀出单个功率芯片或多个功率芯片组及带翅片的微通道结构，翅片的存在强化了微通道中的传热，提高了芯片表面的散热能力，进而可提高功率芯片的可靠性和使用寿命。
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公开(公告)号：CN114284154A
公开(公告)日：2022-04-05
申请号：CN202111537404.0
申请日：2021-12-15
Applicant: 浙江大学杭州国际科创中心
IPC: H01L21/425 , H01L21/477
Abstract: 本发明涉及一种基于共注的Ga2O3的P型掺杂方法，包括离子注入、后退火和表面抛光，离子注入是向半导体衬底上生长的外延层先后注入氮元素和二价金属元素并用多能量注入以形成均匀的掺杂，氮元素和二价金属元素是为了提供空穴，形成受体掺杂的杂质，同时预先氮元素的注入也会降低氧元素电负性太高引起的空穴的自陷效应，可以增加Ga2O3的P型区的空穴迁移率，同时引入的另一种受体掺杂杂质可以使受体掺杂浓度升高，后退火是通过将注入后的晶圆放入高温退火炉中以一定的温度退火以修复晶格损伤并激活掺杂元素，表面抛光是将进行过两次离子注入和退火的晶圆面向下抛光一定厚度以降低离子注入后晶圆表面的粗糙度同时消除高温退火后掺杂元素向外扩散导致的表面掺杂不均匀。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN114274843A
公开(公告)日：2022-04-05
申请号：CN202111295654.8
申请日：2021-11-03
Applicant: 浙江大学杭州国际科创中心
IPC: B60L58/26 , H01M8/04082 , H01M8/04007
Abstract: 本发明公开了一种基于液氢汽化冷能利用的车载电池与电控冷却系统，属于氢能汽车散热系统。本发明通过在车载汽化器前布置一换热器，使得液氢燃料在汽化前先在该换热器中与冷却系统中的循环水进行充分换热，冷却后的循环水可用于冷却车载电池与电控等发热部件。因此，上述基于液氢汽化冷能利用的冷却系统可有效降低车载冷却系统的冷却功率，提高氢能汽车的行驶里程，达到节能降耗的目的。
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公开(公告)号：CN114267647A
公开(公告)日：2022-04-01
申请号：CN202111295647.8
申请日：2021-11-03
Applicant: 浙江大学杭州国际科创中心
IPC: H01L23/34 , H01L23/427
Abstract: 本发明公开了一种基于压缩式制冷的嵌入式功率芯片模块化散热系统，包括：嵌入式功率芯片模块、压缩机、高压油分、冷凝器、电子膨胀阀、气液分离器。本发明通过温度传感器实时监测嵌入式功率芯片模块中各个单个嵌入式功率芯片中制冷剂的进出口温度，由控制器根据计算得到的各个嵌入式功率芯片中制冷剂进出口的温度差值及各个嵌入式功率芯片表面监测到的热点温度值来调节进入嵌入式功率芯片模块中的制冷剂总流量及各个单个嵌入式功率芯片中的制冷剂流量，进而保证嵌入式功率芯片模块中的各个嵌入式功率芯片温升在一定范围内，以使得嵌入式功率芯片模块运行在合理的热状态下，进而提高芯片的可靠性与使用寿命。
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公开(公告)号：CN114234466A
公开(公告)日：2022-03-25
申请号：CN202111294081.7
申请日：2021-11-03
Applicant: 浙江大学杭州国际科创中心
Abstract: 本发明公开了一种用于优化水源二氧化碳热泵系统运行的电子膨胀阀控制方法，水源二氧化碳热泵系统跨临界运行时存在一个最优的气冷器压力，在该压力下，系统性能系数达到最优。本发明根据设定的气冷器进、出水温度及蒸发器进水温度，依据相应的目标函数，通过PID控制器计算结果来控制水源二氧化碳热泵系统内的电子膨胀阀过热度，使得在不同的气冷器进、出水温度及蒸发器进水温度下，热泵系统始终运行在最佳性能系数状态，以达到节能的目标。
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公开(公告)号：CN112201685B
公开(公告)日：2022-02-11
申请号：CN202010934164.7
申请日：2020-09-08
Applicant: 浙江大学
IPC: H01L29/06 , H01L29/872
Abstract: 公开了一种超级结器件及电介质组合终端，该超级结器件包括形成于漂移区内的有源区和终端、位于有源区内的多个超级结、位于终端内的宽槽、位于宽槽内的多层电介质组合、位于宽槽靠近有源区方向侧壁上的侧壁注入区以及位于宽槽底部并与下注入区接触的终端底部注入区。该终端包括的宽槽和位于宽槽靠近有源区方向侧壁上的侧壁注入区，该侧壁注入区可以包括具有相同掺杂类型的下注入区和上注入区。该终端包括的多层电介质组合中，每层电介质按照电介质常数从高到低，而从左至右，从上至下地排布。本发明的结构优化了终端与有源区交界处的净负电荷量的空间分布，以及宽槽内部电介质中的电介质常数分布，实现了更好的电场分布，提高了器件终端的耐压。
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公开(公告)号：CN112420807A
公开(公告)日：2021-02-26
申请号：CN202011215400.6
申请日：2020-11-04
Applicant: 浙江大学
IPC: H01L29/06
Abstract: 本发明公开了一种半导体器件及其终端，该半导体器件包括有源区和终端区，所述半导体器件包括位于有源区内的第一柱区、第二柱区和第一电介质柱区，以及位于终端区内的第一终端，所述第一终端包括第三柱区、第四柱区和第二电介质柱区，其中第一柱区和第三柱区均具有第一掺杂类型，第二柱区和第四柱区均具有第二掺杂类型，第三柱区宽度小于第一柱区宽度，第四柱区宽度大于或等于第二柱区宽度，第二电介质柱区宽度大于或等于第一电介质柱区宽度。本发明的结构在实现阻断时终端区呈现负电荷的基础上，调制了终端区负电荷的空间分布，实现了终端区更均匀的电场分布，最终提高了器件终端的耐压。
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