三模耦合的强高频侧阻带抑制微带带通滤波器及耦合方法

    公开(公告)号:CN105226354A

    公开(公告)日:2016-01-06

    申请号:CN201510598796.X

    申请日:2015-09-21

    Applicant: 浙江大学

    Abstract: 本发明公开了一种三模耦合的强高频侧阻带抑制微带带通滤波器及耦合方法。此滤波器包括基板以及基板上的微带线结构,所述的微带线结构包括L形弯折的左微带馈线和右微带馈线,双模微带谐振结构,单模微带谐振结构;左微带馈线和右微带馈线左右对称;所述的双模微带谐振结构和单模微带谐振结构分别位于左右微带馈线的上方和下方;位于上方的双模微带谐振结构包括半波长的U形微带线结构和开路短枝节;位于下方的单模微带谐振结构包括H形阻抗变换微带结构和S形的微带线结构。本发明具有滤波器体积小,带内平坦度高,高频侧阻带抑制强,频率选择性强等优点,适用于射频收发系统的收发通道间的隔离。

    一种放大器芯片管芯热仿真等效模型

    公开(公告)号:CN104778306A

    公开(公告)日:2015-07-15

    申请号:CN201510108099.1

    申请日:2015-03-12

    Applicant: 浙江大学

    Abstract: 本发明公开了一种放大器芯片管芯热仿真等效模型。该等效模型包括等效放大器芯片以及等效热沉。等效放大器芯片的结构包括等效管芯、等效版图、基板、金属过孔、背金,等效放大器芯片放置于等效热沉上方。等效热沉包括金锡合金层、钼铜层、导热硅脂层。整个模型的底面为恒温面。本发明实现了在通用热仿真软件中准确模拟整个芯片以及管芯热特性的功能,可广泛运用于放大器芯片的热仿真中,为实现芯片整体的热设计提供了有效快捷的方法。

    GaAspHEMT管芯非线性模型参数提取方法

    公开(公告)号:CN103778281A

    公开(公告)日:2014-05-07

    申请号:CN201410010775.7

    申请日:2014-01-09

    Applicant: 浙江大学

    Abstract: 本发明提供了一种GaAs?pHEMT管芯非线性模型的参数提取方法。该方法首先对GaAs?pHEMT管芯等效电路进行分析,提取其中的非线性元件参数。再由等效电路模型中非线性和线性元件的维度,设计适用的前馈型神经网络算法,进行非线性模型参数提取。将训练好的神经网络导入CAD软件,即可生成GaAs?pHEMT管芯非线性模型,以实现对大信号的仿真。本发明结合了数据挖掘技术与器件等效电路建模技术,是一种有效的参数提取方法。

    利用有源人工介质构建的无需外加磁场的回旋介质

    公开(公告)号:CN102427157B

    公开(公告)日:2014-04-16

    申请号:CN201110232336.7

    申请日:2011-08-15

    Applicant: 浙江大学

    Abstract: 本发明公开了一种利用有源人工介质单元构成的无需外加磁场的回旋介质。在相互平行的前后介质板上分别设置成正方形排列的四组正交的偶极子;前后介质板相同位置的左上和右下两组偶极子分别通过放大器按顺时针旋转90度对应相接,放大器方向以前介质板偶极子为输入,以后介质板偶极子为输出,构成单向左旋结构;而前后介质板相同位置的右上和左下的两组偶极子分别通过放大器按顺时针旋转90度对应相接,放大器方向以后介质板偶极子为输入,以前介质板偶极子为输出,构成单向右旋结构;将上述结构向外周期延拓,整体组成具有非互易传输特性的回旋介质。本发明借助放大器的单向传输特性实现任意线极化电磁波非互易传输,只需提供直流电即可工作。

    利用条状金属单元结构天线罩的高指向天线

    公开(公告)号:CN101404356B

    公开(公告)日:2012-07-04

    申请号:CN200810122077.0

    申请日:2008-10-31

    Abstract: 本发明公开了一种利用条状金属单元结构天线罩的高指向天线。包括微带天线阵和3-6片天线罩,3-6片天线罩和微带天线阵平行等间距排列固定在有机玻璃底座插槽上,微带天线阵平行正对安装在天线罩没有条状金属单元结构的一侧。制作在FR4印刷电路板的条状金属单元结构作为微带天线阵的天线罩,其等效的介电常数通过改变印刷电路板之间的距离调整为零,得到相应的等效折射率为零。微带天线阵发射的电磁波通过该天线罩时能量集中在天线罩的法线方向,达到汇聚能量的效果,提高了天线整体的方向性和增益。本发明具有结构简单小巧,拆装方便,成本低廉,方向性好,增益高等优点。可用于通信、雷达等各种无线传输和定向通信及干扰的发射接收系统中。

    一种数模混合微系统的测试信号传输装置及测试方法

    公开(公告)号:CN119936635A

    公开(公告)日:2025-05-06

    申请号:CN202510413198.4

    申请日:2025-04-03

    Applicant: 浙江大学

    Abstract: 本发明提供一种数模混合微系统的测试信号传输装置及测试方法,装置包括:测试板,用于对数模混合微系统进行供电和测试;测试板上开设有与数模混合微系统传输高频信号的焊球相匹配的过孔;连接组件,包括:导电膜、若干射频探针和若干射频接口;其中,导电膜贴合设置于测试板朝向数模混合微系统的表面;导电膜上分布有与数模混合微系统上焊球的位置相匹配的导电引脚,用于配接相应的焊球,各导电引脚于导电膜上的布设位置,与数模混合微系统上对应焊球的位置相匹配;各射频探针分别插入对应过孔中,并连接导电膜;各射频接口分布于测试板的四周且均连接导电膜。本发明提供的装置可满足数模混合微系统中各器件的测试要求,有助于提高测试效率。

    动态元件匹配译码电路、译码模块及数据转换系统

    公开(公告)号:CN119051658A

    公开(公告)日:2024-11-29

    申请号:CN202411066127.3

    申请日:2024-08-05

    Applicant: 浙江大学

    Abstract: 本发明提供一种动态元件匹配译码电路、译码模块及数据转换系统,其中,动态元件匹配译码电路包括伪随机信号产生单元、控制信号产生单元及译码输出单元;伪随机信号产生单元用于产生伪随机信号;控制信号产生单元通过对输入信号进行逻辑运算产生控制信号;译码输出单元分别与伪随机信号产生单元及控制信号产生单元相连,基于传输门进行译码输出控制,实现将输入信号转换为带有伪随机信号的输出信号。通过本发明解决了现有动态元件匹配译码电路存在功耗高和传输延时大的问题。

    一种参考时钟校准电路、校准方法及参考时钟倍频器

    公开(公告)号:CN117040494B

    公开(公告)日:2024-01-30

    申请号:CN202311289880.4

    申请日:2023-10-08

    Applicant: 浙江大学

    Abstract: 本发明提供一种参考时钟校准电路、校准方法及参考时钟倍频器,包括:调节模块用于对接入的参考时钟信号的占空比进行调节;检测模块对完成调节的参考时钟信号进行模式转换、提供失调配置,并对完成模式转换的参考时钟信号进行多次比较;校准模块基于多次比较的结果执行算法操作以确定占空比的调节方向与失调配置的调节方向。通过对参考时钟信号的模式转换,将自身失调误差与占空比误差结合起来进行校准,使参考时钟信号的误差下降到占空比调整步进精度以下或失调调整步进精度以下,减少了带内杂散,提高了倍频器输出信号的频率稳定性。结构简单,操作简便,具有广泛的适用性。

    微系统模组不同深度硅空腔的一次刻蚀方法

    公开(公告)号:CN113880040A

    公开(公告)日:2022-01-04

    申请号:CN202010635428.9

    申请日:2020-07-03

    Applicant: 浙江大学

    Abstract: 本发明提供一种微系统模组不同深度硅空腔的一次刻蚀方法,包括步骤:于半导体衬底上形成上下叠置的第一光刻胶层及第二光刻胶层,形成第一刻蚀开口及第二刻蚀开口,基于形成的光刻胶图形形成初始硅空腔,去除剩余第一光刻胶层,刻蚀形成第一深度硅空腔及第二深度硅空腔。通过上述方案,本发明在半导体基底上形成上下两层光刻胶层,即第一光刻胶层及第二光刻胶层,在一次刻蚀之前形成所有不同深度空腔的光刻胶图形,刻蚀过程中,通过更换刻蚀气氛与刻蚀能量等实现上一个深度的硅空腔刻蚀与下一个深度硅空腔刻蚀前表面光胶的清洗,从而实现不同深度硅空腔的一次刻蚀,避免了深硅空腔上涂胶时光刻胶覆盖性差的问题,同时也提高了工作效率,减少污染。

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