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公开(公告)号：CN116765581A
公开(公告)日：2023-09-19
申请号：CN202310697447.8
申请日：2023-06-12
Applicant: 武汉理工大学
IPC: B23K20/00
Abstract: 本发明属于多孔材料技术领域，公开了一种金属薄壁管阵列多孔材料的一次性整体冶金连接方法。该一次性整体冶金连接方法为：将若干金属薄壁管以阵列方式排布于约束外壳中，并通过约束外壳对若干金属薄壁管进行限位固定，得到预制体；将预制体进行真空烧结，除去约束外壳，得到金属薄壁管阵列多孔材料；相邻的金属薄壁管的管壁之间贴合连接；金属薄壁管的管壁与约束外壳的内壁贴合连接；约束外壳的热膨胀系数＜金属薄壁管的热膨胀系数。该一次性整体冶金连接方法简单高效、操作难度小、成本低、孔洞结构可调，且有效解决了小尺寸薄壁型(管孔尺寸≤5mm、壁厚≤0.5mm)金属薄壁管连接难度大、薄壁管之间界面连接强度低、力学性能不足等缺陷。
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公开(公告)号：CN113987760B
公开(公告)日：2023-03-28
申请号：CN202111175756.6
申请日：2021-10-09
Applicant: 武汉理工大学 , 广东汇成真空科技股份有限公司
Abstract: 本发明涉及一种原子自组装多元涂层的设计制备方法，以单质材料作为原料，根据目标多元涂层所需要的化学组分以及结构需要，采用计算机软件模拟制备参数，然后将所得制备参数导入沉积设备的自动化工艺程序中，沉积制备得到多元涂层。本发明提供的沉积制备方法根据目标多元涂层的显微结构和成分比例，通过计算拟合得到t、f(P)和三个变量的解，根据结果设定制备参数并完成制备，能够高效精确地实现目标多元涂层的设计和制备。此外，本发明采用单质材料作为原料，单质材料能够用于不同体系的多元涂层的制备，降低靶材开发成本，同时，单质材料相比于合金材料更有利于计算拟合。本发明可实现所有涂层结构的设计以及制备，应用范围广，适用性强。
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公开(公告)号：CN112680706B
公开(公告)日：2022-08-16
申请号：CN202011506907.7
申请日：2020-12-18
Applicant: 武汉理工大学 , 广东汇成真空科技股份有限公司
Abstract: 本发明公开了一种用于大长径比管内壁镀膜的磁控溅射装置，包括：为大长径比管加热的加热系统；与大长径比管一端连接的真空端转接头和抽真空系统；与大长径比管另一端连接的电源端转接头和高功率脉冲电源；贯穿真空端转接头、大长径比管及电源端转接头并位于其中心轴线上的空心管，所述空心管上均匀排布有细孔；套设在空心管上并可延空心管移动的单个或多个环形靶系统；与环形靶系统连接的冷却水系统。本发明采用环形靶材沿中心轴在管件内来回移动实现对不同长度管件的内壁均匀镀膜，并且靶材可选用金属材料和非金属材料，通过采用几个靶系统的协同镀膜，可以实现多个靶材镀多层膜，解决了现有的管件内壁镀膜技术仅能实现单一成分镀膜的问题。
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公开(公告)号：CN113987760A
公开(公告)日：2022-01-28
申请号：CN202111175756.6
申请日：2021-10-09
Applicant: 武汉理工大学 , 广东汇成真空科技股份有限公司
Abstract: 本发明涉及一种原子自组装多元涂层的设计制备方法，以单质材料作为原料，根据目标多元涂层所需要的化学组分以及结构需要，采用计算机软件模拟制备参数，然后将所得制备参数导入沉积设备的自动化工艺程序中，沉积制备得到多元涂层。本发明提供的沉积制备方法根据目标多元涂层的显微结构和成分比例，通过计算拟合得到t、f(P)和三个变量的解，根据结果设定制备参数并完成制备，能够高效精确地实现目标多元涂层的设计和制备。此外，本发明采用单质材料作为原料，单质材料能够用于不同体系的多元涂层的制备，降低靶材开发成本，同时，单质材料相比于合金材料更有利于计算拟合。本发明可实现所有涂层结构的设计以及制备，应用范围广，适用性强。
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公开(公告)号：CN111294996B
公开(公告)日：2021-07-06
申请号：CN202010013827.1
申请日：2020-01-07
Applicant: 武汉理工大学
IPC: H05B6/02
Abstract: 本发明提供一种梯度银基感应导磁膜及其制备方法，该梯度银基感应导磁膜，包括基体、底层银膜、外层银膜；所述底层银膜丝印在所述基体上，所述外层银膜丝印在所述底层银膜上；所述外层银膜中银粉含量高于所述底层银膜中银粉含量，且所述外层银膜中玻璃粉含量低于所述底层银膜中玻璃粉含量。本发明的梯度银基感应导磁膜创新性地采用梯度结构，在保证导磁膜良好导电、导热性能的前提下，通过缓和界面热应力，避免了因热膨胀系数差异悬殊、界面热应力大而带来的开裂、脱落风险，解决了传统银基感应导磁膜加热功率不稳定、使用寿命短等问题，制备的梯度结构导磁膜兼具良好的结合强度和产热导热效果，具有优良的综合性能。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN112680706A
公开(公告)日：2021-04-20
申请号：CN202011506907.7
申请日：2020-12-18
Applicant: 武汉理工大学 , 广东汇成真空科技股份有限公司
Abstract: 本发明公开了一种用于大长径比管内壁镀膜的磁控溅射装置，包括：为大长径比管加热的加热系统；与大长径比管一端连接的真空端转接头和抽真空系统；与大长径比管另一端连接的电源端转接头和高功率脉冲电源；贯穿真空端转接头、大长径比管及电源端转接头并位于其中心轴线上的空心管，所述空心管上均匀排布有细孔；套设在空心管上并可延空心管移动的单个或多个环形靶系统；与环形靶系统连接的冷却水系统。本发明采用环形靶材沿中心轴在管件内来回移动实现对不同长度管件的内壁均匀镀膜，并且靶材可选用金属材料和非金属材料，通过采用几个靶系统的协同镀膜，可以实现多个靶材镀多层膜，解决了现有的管件内壁镀膜技术仅能实现单一成分镀膜的问题。
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公开(公告)号：CN107058840B
公开(公告)日：2019-07-23
申请号：CN201710277284.2
申请日：2017-04-25
Applicant: 武汉理工大学
Abstract: 本发明公开了一种W‑Si‑C系反应体的高温制备方法，包括以下步骤：(a)称料：用天平称取一定量的SiC粉及W粉，二者质量比为(0.5：99.5)～(4：96)；(b)预制块体：将步骤(a)称得的W粉及SiC粉干燥处理后混合均匀，采用冷压且真空低温烧结的方法制得预制块体；(c)熔炼制备：对步骤(b)制得的预制块体进行熔炼反应，获得W‑Si‑C系反应体。本发明与传统的固相烧结方法相比，效率高、成本低，可制得优异性能的W‑Si‑C系反应体，该反应体可用于电子工业、核工业、航空航天与高压物理等领域。
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公开(公告)号：CN105837224B
公开(公告)日：2019-01-01
申请号：CN201610374803.2
申请日：2016-05-31
Applicant: 武汉理工大学
IPC: C04B35/581 , C04B35/622 , C04B35/63
Abstract: 本发明公开的氮化铝陶瓷的制备方法，是一种以氟化铵为添加剂的氮化铝陶瓷的制备方法，具体是：将氟化铵粉体和氮化铝粉体按质量配比(0.24～0.36):1分别称量，然后在刚玉研钵中充分研磨均匀，得到混合粉料；将制得的混合粉料装入模具中，再将模具置于等离子活化烧结炉中，在烧结温度1600～1800℃、保温时间3～5min、烧结压力30～40MPa和氮气气氛下进行致密化，最后得到氮化铝陶瓷。本发明采用氟化铵作为添加剂，克服了现有氧化物添加剂在氮化铝陶瓷烧结过程中引入新杂质的技术难题，在烧结过程中可有效减少AlON等杂相的生成，而又不引入其它杂质，同时也能促进陶瓷致密化，因而能够获得具有较高纯度和高致密度的氮化铝陶瓷。
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公开(公告)号：CN104715287B
公开(公告)日：2018-04-27
申请号：CN201410708998.0
申请日：2014-11-28
Applicant: 武汉理工大学
Abstract: 本发明属于脉冲激光沉积薄膜领域，具体涉及用于预测多元拼合靶材制备的薄膜成分的预测方法，具体包括如下步骤：根据薄膜脉冲激光沉积物化模型，推导薄膜产物各成分的摩尔比x1随激光能量、基板和靶材的距离以及多元拼合靶材中各单元靶材的圆心角之比x2的理论公式；固定基板和靶材的距离，简化上述理论公式，得到以激光能量和x2为变量的工程公式；根据工程公式方程，在确定激光能量和x2情况下，预测薄膜产物的成分。本发明方法可以用于特定沉积参数下薄膜成分的预测或生产特定成分薄膜时沉积参数的选择。本发明预测方法，对于任意体系的薄膜均可使用，仅需要少量实验数据就能得到可靠性高的工程公式，因而可以大大降低生产时间、成本。
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公开(公告)号：CN105503184A
公开(公告)日：2016-04-20
申请号：CN201510900823.4
申请日：2015-12-08
Applicant: 武汉理工大学
IPC: C04B35/49 , C04B35/468 , C04B35/624 , C04B35/626
CPC classification number: C04B35/49 , C04B35/468 , C04B35/624 , C04B35/626 , C04B2235/3215 , C04B2235/3236 , C04B2235/449
Abstract: 本发明涉及一种锆钛酸钡钙压电陶瓷粉体的制备方法，具体是：先分别制得含Ba2+和Ca2+的A位前驱液、含Ti4+和Zr4+的B位前驱液，再将A位和B位前驱液水浴加热搅拌，溶液先转变成溶胶再固化成凝胶；将凝胶在空气中于室温～80℃下陈化12～24小时，然后干燥得到凝胶干粉；最后，将凝胶干粉装入刚玉坩埚，在马弗炉中经800～1200℃煅烧2～6小时后得到锆钛酸钡钙粉体。本发明克服了现有固相反应方法存在的成分偏离和引入杂质等问题，具有混料充分均匀、组分控制精确、合成粉体纯度高、合成温度低等优势，而且可有效提高锆钛酸钡钙粉体的烧结活性。
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