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公开(公告)号：CN107557754A
公开(公告)日：2018-01-09
申请号：CN201710600374.0
申请日：2017-07-21
Applicant: 杭州电子科技大学
Abstract: 本发明涉及一种二硫化钨薄膜的制备方法。目前二硫化钨薄膜常用的制备工艺是低压、高温和惰性或还原性气氛中硫源与钨源发生反应获得WS2。为了获得WS2制备的高重复性，有些研究报道在制备工艺中使用成核剂。虽然有较多的研究报道了WS2的CVD合成，但WS2单分子层的可控生长仍旧困难。本方法采用在化学气相沉积法中引入矿化剂，促进了硫化钼薄膜的生长。以WS2为源，水蒸气作为矿化剂，低压高温下在基底上获得二硫化钨薄膜。该方法制备二硫化钨具有薄膜厚度可控、晶形完整和制备重复性高的优点。
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公开(公告)号：CN104032279A
公开(公告)日：2014-09-10
申请号：CN201410202352.5
申请日：2014-05-14
Applicant: 杭州电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种二氧化硅薄膜的制备方法。二氧化硅薄膜一般是直接生长在目标基底表面，不具有可转移性。本发明制备的二氧化硅生长在基底表面，二氧化硅与基底之间可以分离，分离后二氧化硅薄膜可以转移至其它基底表面，该方法将增加氧化硅薄膜的应用范围。该方法制备的二氧化硅薄膜具有机械强度好、柔韧性好和可转移性等优点。
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公开(公告)号：CN102383017A
公开(公告)日：2012-03-21
申请号：CN201110354855.0
申请日：2011-11-10
Applicant: 杭州电子科技大学
Abstract: 本发明涉及一种铕基ThCr2Si2结构的低温磁制冷材料及制备方法。本发明的磁性材料化学通式为：Eu-T-X，T为Fe或Cu，X为P或As，该磁性材料具有体心ThCr2Si2型四方晶体结构。本发明方法首先将稀土金属铕、过渡金属和非金属按比例混合成原料，其中过渡金属为Fe或Cu，非金属为P或As；然后将原料置于石英容器内，抽真空后封闭，将石英容器升温至400～450℃后保温，继续升温至800～900℃后保温；冷却后将制品压片成型，经高温退火、冷却得到成品。本发明方法采用缓慢升温、分步反应的方法，有效地克服了P或As的挥发。本发明方法相对工艺简单，易于实现，制得的磁制冷材料具有良好的磁、热可逆性质。
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公开(公告)号：CN101693600A
公开(公告)日：2010-04-14
申请号：CN200910152888.X
申请日：2009-09-18
Applicant: 杭州电子科技大学
Abstract: 本发明涉及一种三氧化二铁薄膜的制备方法。目前方法所用设备和工艺复杂，制备的薄膜面积尺寸小。本发明方法首先将六水合氯化铁晶体溶于乙二醇溶剂配成氯化铁溶液，将乙二胺液体溶于乙醇配成乙二胺溶液，然后将乙二胺溶液加入到氯化钴溶液中至pH值为5.5～6.5，形成混合溶液；将混合溶液在20～60℃条件下保温6～20小时形成溶胶；将溶胶采用提拉法涂覆到玻璃上，在30～60℃干燥0.5～5小时，形成凝胶膜；将玻璃上的凝胶膜加热，在400～500℃条件下热处理30～60分钟，形成三氧化二铁薄膜。本发明方法可以大面积镀膜，所用原料、设备和合成工艺简单，成本低。
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公开(公告)号：CN100491025C
公开(公告)日：2009-05-27
申请号：CN200710069875.7
申请日：2007-07-03
Applicant: 杭州电子科技大学
IPC: B22F9/16
Abstract: 本发明涉及一种合成锑化锌粉体的方法。目前制备ZnSb材料通常采用高温热处理的方法，制造成本较高。本发明步骤包括：将硫酸锌盐溶于水配成溶液，电解生成金属锌颗粒；将三氯化锑溶于水配成溶液，用硼氢化钠还原获得金属锑颗粒；将金属锌颗粒和金属锑颗粒按照原子比1∶1配成反应物；将反应物放入有氮气保护的电炉中，在150～200℃条件下进行热处理。本发明在低温下即可反应生成ZnSb，与已有技术相比，具有的突出优点是所用原料、设备和合成工艺简单，成本低。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN114162849B
公开(公告)日：2024-04-12
申请号：CN202111491942.0
申请日：2021-12-08
Applicant: 杭州电子科技大学
IPC: C01G5/00
Abstract: 本发明公开了一种硫化银纳米材料及气敏器件的制备方法，本发明以碘化银、氢碘酸、异丙醇胺、氢氧化钾为原料，制备出银离子溶液，然后以硫脲和PVP的溶液为硫源，两者混合后最终制备出一种具有三维空间结构的纳米硫化银材料。本发明在硫化银表面修饰聚乙烯吡咯烷酮，该材料对水汽、乙醇的吸附性能好，复合PVP后，硫化银水汽、乙醇探测灵敏度提高。本发明制备的探测器件，不同于通常气敏传感器，灵敏度在表面湿度达到一定值后会断崖式陡降，出现一个阶跃信号，这对器件信号获取和处理是有益的，利用这种性质，实现对水汽、乙醇浓度的准确、快速探测，而通常气敏传感器不出现阶跃信号。
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公开(公告)号：CN114284384B
公开(公告)日：2024-01-30
申请号：CN202111617503.X
申请日：2021-12-27
Applicant: 杭州电子科技大学
IPC: H01L31/109 , H01L31/0224 , H01L31/0336 , H01L31/18
Abstract: 本发明公开一种基于氧化锌‑磷化亚铜光电探测器的制备方法，本发明首先在铜箔片表面生长磷化亚铜，然后，在磷化亚铜表面沉积铝掺杂n型氧化锌薄膜；最后在氧化锌表面沉积铝电极获得器件。本发明在铜箔表面沉积磷化亚铜和氧化锌构成的光电器件，制作方法简单，器件性能重复性高，制备器件所需原材料丰富，制备简单，成本低，对于可见光探测性能较好。
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公开(公告)号：CN114883488A
公开(公告)日：2022-08-09
申请号：CN202210529947.6
申请日：2022-05-16
Applicant: 杭州电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种氧化亚铜‑磷化亚铜异质结的制备方法，本发明先生成磷化亚铜薄膜，之后，在磷化亚铜表面沉积氧化锌薄膜，然后进行热处理，获得p型氧化亚铜。其次，采用模板法在磷化亚铜表面通过磁控溅射沉积氧化锌薄膜，氧化锌薄膜呈叉指形图案，热处理后，表面沉积有氧化锌的部分转变成p型氧化亚铜，形成p型氧化亚铜与p型磷化亚铜的面内异质结。通过热蒸发法在氧化亚铜和磷化亚铜区沉积金电极，制备成异质结器件。本发明制备的由p型氧化亚铜和p型磷化亚铜形成的异质结，成本低，重复性好，忆阻性能好。
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公开(公告)号：CN113637943A
公开(公告)日：2021-11-12
申请号：CN202110858227.X
申请日：2021-07-28
Applicant: 杭州电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种光敏型二硫化碳传感器的制备方法，本发明在氧化铝陶瓷基底上，首先沉积生长金叉指电极，接着在金叉指电极表面涂覆硫化银纳米颗粒，获得硫化银探测器，将硫化银探测器设置在容器内，容器内设置蓝光LED光源。本发明操作简单，本发明通过光激发诱导的光电化学反应，对二硫化碳有非常好的气敏性。
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公开(公告)号：CN113285005A
公开(公告)日：2021-08-20
申请号：CN202110593629.1
申请日：2021-05-28
Applicant: 杭州电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种近红外发光器件的制备方法，本发明将近红外荧光材料涂覆到能发射短波长光的电致发光二极管(LED)表面，制备了近红外发射器件；所述的近红外荧光材料为核壳结构的磷化亚铜‑氧化亚铜复合材料。在短波长光LED的激发下，能够发射近红外光。本发明制备的器件发射波长为750nm附近的近红外光；器件结构简单，制备方法简便。
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