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公开(公告)号：CN108417574B
公开(公告)日：2020-05-12
申请号：CN201810199074.0
申请日：2018-03-12
Applicant: 复旦大学
IPC: H01L27/115 , H01L27/11507 , G11C11/22
Abstract: 本发明属于铁电存储技术领域，具体为一种基于SOI的铁电存储器的制备方法。本发明步骤包括：采用图形转移和刻蚀技术在铁电单晶层上形成凸块阵列及电极层；然后在电极层上形成绝缘层；通过CMP技术使绝缘层表面光滑平整；在SOI顶层硅上形成读写电路，在读写电路上形成绝缘层；将原始基板和目标基板的抛光面对准键合在一起，得到键合体；加热加压键合体，使键合体不易分离；通过刻蚀或者CMP技术将目标基板的衬底减薄；刻蚀出接触孔，连接目标基板的顶层硅读写电路和原始基板的电极层；在接触孔中填充电极材料实现电连接，形成存储单元。本发明将SOI读写电路的工艺与铁电单晶片的加工工艺分开，解决了铁电材料不能进入CMOS产线的难题。
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公开(公告)号：CN109378313A
公开(公告)日：2019-02-22
申请号：CN201811111419.9
申请日：2018-09-23
Applicant: 复旦大学
IPC: H01L27/11504 , H01L27/11507 , H01L27/11514
Abstract: 本发明属于铁电存储技术领域，具体为一种低功耗三维非易失性存储器及其制备方法。每个存储单元不仅具有二极管一样的电流单向导通特性，而且还存在像选择管一样的读出开启电压，且开启电压可调。以上特征为高密度存储单元的三维互联提供了条件。在一个或多个实施案例中，该三维铁电存储器包括：铁电存储阵列的堆叠，其包含通过绝缘材料而彼此分离的铁电存储单元阵列；参考单元，所述参考单元与存储单元为一体；其中所述铁电存储单元两侧存在实质上正交的字线和位线。本发明的铁电存储器可以实现电流方式的非破坏性读出，具有单向导通性，可避免电路中存储单元间信息读写的串扰，并且制备简单、成本低，最终提高存储密度。
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公开(公告)号：CN108417574A
公开(公告)日：2018-08-17
申请号：CN201810199074.0
申请日：2018-03-12
Applicant: 复旦大学
IPC: H01L27/115 , H01L27/11507 , G11C11/22
Abstract: 本发明属于铁电存储技术领域，具体为一种基于SOI的铁电存储器的制备方法。本发明步骤包括：采用图形转移和刻蚀技术在铁电单晶层上形成凸块阵列及电极层；然后在电极层上形成绝缘层；通过CMP技术使绝缘层表面光滑平整；在SOI顶层硅上形成读写电路，在读写电路上形成绝缘层；将原始基板和目标基板的抛光面对准键合在一起，得到键合体；加热加压键合体，使键合体不易分离；通过刻蚀或者CMP技术将目标基板的衬底减薄；刻蚀出接触孔，连接目标基板的顶层硅读写电路和原始基板的电极层；在接触孔中填充电极材料实现电连接，形成存储单元。本发明将SOI读写电路的工艺与铁电单晶片的加工工艺分开，解决了铁电材料不能进入CMOS产线的难题。
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公开(公告)号：CN107230676A
公开(公告)日：2017-10-03
申请号：CN201710362281.9
申请日：2017-05-22
Applicant: 复旦大学
IPC: H01L27/11507
Abstract: 本发明属于铁电存储技术领域，具体为一种高读出电流的非挥发铁电存储器及其操作方法。该非挥发铁电存储器的每个存储单元为面内电容器结构或上下电容器结构；铁电材料的极化方向都分别垂直于电极；当在两个电极上施加与体铁电的电畴极化方向相反的足够大的写电压时，电极所对应区域的铁电畴自极化方向沿电场方向发生反转，电极间电畴极化方向与周边体电畴极化方向相反，在两电畴间形成畴壁，该畴壁通常是导电通道；读取信息时通过导电通道的读电流与导电畴壁周长成正比，导电畴壁周长越长，读电流越大。本发明的铁电存储器可以提高存储单元中的读出电流，有利于提高数据的读取速度和可靠性。
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公开(公告)号：CN107123648A
公开(公告)日：2017-09-01
申请号：CN201710237667.7
申请日：2017-04-12
Applicant: 复旦大学
IPC: H01L27/11507
Abstract: 本发明属于铁电存储技术领域，具体为一种面内读/写操作的非易失性铁电忆阻器及其制备方法和操作方法。该铁电忆阻器包括铁电薄膜层及设置在铁电薄膜层表面的读写电极对，其中，读写电极对之间的间隙为不规则图形，铁电薄膜层的电畴的极化方向不平行于读写电极平面的法线方向；在读写电极对上偏置某一方向的写电压操作时，可实现随不同写电压变化而存储不同信息。本发明的铁电忆阻器可以实现随写电压连续变化以电流方式非破坏性读出，适合于高密度应用，并且制备简单、成本低。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102687029B
公开(公告)日：2014-08-27
申请号：CN201180002911.2
申请日：2011-04-04
Applicant: 复旦大学
CPC classification number: G01N27/041 , G01R27/2623
Abstract: 本发明提供一种铁电分析装置及其调节铁电畴极化反转速度的方法，属于固态点介质性能测试技术领域。该铁电分析装置包括用于生成方波电压脉冲信号的电压脉冲发生器，所述方波电压脉冲信号偏置于铁电介质薄膜上以使其铁电畴发生极化反转，所述铁电分析装置还包括与所述铁电介质薄膜串联连接的可变电阻，所述可变电阻用于调节极化反转电流以实现铁电畴极化反转速度的调节。在该方法中，在铁电介质薄膜上偏置所述方波电压脉冲信号，通过调节所述可变电阻的阻值实现铁电畴极化反转速度的调节。该装置可以连续调节铁电畴运动速度，而且还可以调节铁电介质薄膜的矫顽电压，其不依赖于电压脉冲信号发生装置，易于连续调节且调节范围广，测试数据可靠。
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公开(公告)号：CN102116789B
公开(公告)日：2014-04-02
申请号：CN201110000987.3
申请日：2011-01-05
Applicant: 复旦大学
IPC: G01R19/04
CPC classification number: G01N27/041 , G01R27/2623
Abstract: 本发明属于固态电介质性能测试技术领域，具体为铁电畴运动速度可调脉冲电压测量铁电畴极化翻转的方法。在极化翻转过程中铁电电容上的电压等于其矫顽电压Vc，在外加脉冲电压为V时，总的电路电流表示为I=Vt/Rt=(V-Vc)/Rt。因此在不改变测量脉冲电压的条件下，可在电路中串联不同阻值的电阻实现对电流大小和Vc的调节，即实现在不同矫顽电压下对铁电极化翻转速度的调节。本发明提供了一种可以连续改变铁电极化翻转速度的方法，并且通过改变预置电压与测量脉冲电压极性关系（相反或相同）实现对铁电电容极化翻转和非极化翻转特性的测量。
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公开(公告)号：CN102663465A
公开(公告)日：2012-09-12
申请号：CN201210133364.8
申请日：2012-05-03
Applicant: 复旦大学
IPC: G06K19/00
Abstract: 本发明属于计算机通信技术领域，具体为一种卡片式USB接口信息存读取电子名片。该电子名片包括电路系统和外部塑料卡片；所述电路系统包括USB主控芯片、外围基本电路、存储芯片、LED灯、USB标准插头、USB标准插座；USB主控制芯片通过USB-OTG主从双重功能模块及MCU微控制器实现电子名片信息采集及保存,自带电源控制系统为主电子名片读取对方电子名片信息提供能源。外部塑料卡片作为电路系统保护层，制作成超薄型，同时在卡片表面印刷有个人信息。本电子名片能在交流名片时快速输出及读取对方信息，方便对客户名片信息进行管理，并可长久保存；本电子名片也可当U盘使用。
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公开(公告)号：CN102650821A
公开(公告)日：2012-08-29
申请号：CN201210161659.6
申请日：2012-05-23
Applicant: 复旦大学
IPC: G03F1/68
Abstract: 本发明属于微电子技术领域,具体为一种耐高温硬掩膜版制备方法。此耐高温硬掩膜版采用氧化锌材料，具体表现为在衬底上利用传统光刻技术使用正性光刻胶转移图形，然后室温下淀积一层氧化锌薄膜，去除光刻胶及其上的氧化锌薄膜层则衬底上留下与光刻胶相反的图形。在此基础上，可以根据需要在高温下淀积各种高温生长材料，最后通过能快速腐蚀氧化锌但对所淀积材料影响忽略不计的稀浓度酸去除氧化锌及其上的材料,最终实现在衬底上形成各种图形淀积材料结构。
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公开(公告)号：CN102590669A
公开(公告)日：2012-07-18
申请号：CN201210038180.3
申请日：2012-02-21
Applicant: 复旦大学
IPC: G01R31/00
Abstract: 本发明属于固态电介质性能测试技术领域，具体为一种铁电薄膜电畴区域运动速度与矫顽电场关系的测量方法。在铁电电容器充电过程中，铁电薄膜上电压逐渐从零上升到目标电压时，矫顽电压较小的电畴率先反转，反转电流和电畴运动速度呈正比；该电畴反转完毕后，随着薄膜充电电压的逐步增大，矫顽电压较高的电畴依次反转，即将铁电薄膜矫顽电压随不同区域的分布按照矫顽电压从小到大的顺序转化为电畴极化反转电流随时间的变化。在0.1V-100V间外加脉冲电压下,通过总串联电路中电阻在100Ω－100MΩ间调节，可以在1nA-1A间改变电畴反转电流或电畴运动速度，从而获得在不同区域中矫顽电场随电畴运动速度的变化。
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