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公开(公告)号：CN117438781A
公开(公告)日：2024-01-23
申请号：CN202311291841.8
申请日：2023-10-08
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: H01Q1/36 , B23K26/362 , B23K26/70 , B23K26/60 , B23K26/142 , B23K26/402 , H01Q1/38 , H01Q1/52 , G01D5/48 , G01R33/02
Abstract: 金刚石表面烧蚀获得石墨化原位天线的方法及其应用，本发明为了解决现有微波天线受外界因素的干扰较大且不能较好的提高系统集成度等问题。获得石墨化原位天线的方法：一、对金刚石基底进行清洗；二、在清洗后的金刚石基底表面旋涂一层光刻胶，按照天线图案进行光刻，光刻后置于显影液中浸泡形成掩膜；打开射频电源输入50～100W的能量进行等离子体启辉，然后打开挡板沉积过渡金属薄膜；将金刚石基底放入石英玻璃管中进行真空封管，高温加热处理。本发明还涉及一种通过激光烧蚀获得石墨化原位天线的方法。本发明通过在金刚石表面利用过渡金属高温催化刻蚀或激光烧蚀，获得石墨化天线图案，该天线能更好的减小外界因素干扰，提高了集成度。
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公开(公告)号：CN116668182B
公开(公告)日：2023-11-10
申请号：CN202310837529.8
申请日：2023-07-10
Applicant: 哈尔滨工业大学
Inventor： 葛蒙蒙 , 余翔湛 , 赵跃 , 刘立坤 , 史建焘 , 胡智超 , 刘奉哲 , 羿天阳 , 龚家兴 , 李竑杰 , 孔德文 , 高展鹏 , 程明明 , 郭一澄 , 王钲皓 , 张森
IPC: H04L9/40
Abstract: 本发明公开了一种基于多流上下文关系的加密应用行为流量检测方法，属于流量检测技术领域。解决了现有技术中加密应用行为流量检测方法在处理复杂网络环境下局限性较大的问题；本发明包括以下步骤：S1.定义多流和多流关系，构建多流结构；S2.对给定的多流结构进行多流结构匹配；具体的：S21.计算出整体多流相似度和单流相似度，得到单流匹配集合；S22.计算出给定的多流结构和给定的待匹配多流的多流相似度；S23.根据选择的阈值判断给定的多流结构和给定的待匹配多流是否匹配成功；S3.定义上下文关系，构建上下文结构；S4.对给定的待匹配多流队列进行多流队列匹配；本发明提高了行为流量检测的准确性，可以应用于流量检测。
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公开(公告)号：CN116896469A
公开(公告)日：2023-10-17
申请号：CN202310879927.6
申请日：2023-07-18
Applicant: 哈尔滨工业大学
Inventor： 余翔湛 , 葛蒙蒙 , 宋赟祖 , 刘立坤 , 史建焘 , 胡智超 , 孔德文 , 羿天阳 , 龚家兴 , 李竑杰 , 刘奉哲 , 程明明 , 郭一澄 , 张森 , 高展鹏 , 王钲皓
IPC: H04L9/40
Abstract: 本发明公开了一种基于Burst序列的加密代理应用识别的方法，属于加密代理应用识别技术领域。解决了现有技术中加密代理应用识别方法过于依赖未加密数据包头部字段的问题；本发明首先对加密代理隧道下的网络流进行分割划分获得应用流量片段，随后从应用流量片段中提取出Burst时序特征向量序列用于表征应用类型间的差异信息，最后将Burst时序特征向量序列输入双向LSTM网络进行学习，构建引入注意力机制的Burst‑ATT‑BiLST模型，得到加密代理应用的分类识别结果。本发明能够有效识别加密代理应用流量，且在加密代理应用流量识别中的鲁棒性更好，更适用于识别加密代理应用流量。
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公开(公告)号：CN116821907A
公开(公告)日：2023-09-29
申请号：CN202310783624.4
申请日：2023-06-29
Applicant: 哈尔滨工业大学
Inventor： 刘立坤 , 余翔湛 , 王久金 , 史建焘 , 胡智超 , 葛蒙蒙 , 龚家兴 , 李竑杰 , 刘奉哲 , 孔德文 , 羿天阳 , 张森 , 程明明 , 高展鹏 , 王钲皓 , 郭一澄
Abstract: 本发明提出一种基于Drop‑MAML的小样本学习入侵检测方法，属于入侵检测技术领域。包括：S1.初始化元学习模型；S2.根据训练次数设置元学习模型总损失或对元学习模型进行参数调整；S3.根据待取出元任务编号确定取出元任务或更新元学习模型训练次数；S4.判断元任务是否符合丢弃策略，基于丢弃概率阈值和丢弃策略决策是否丢弃元任务；S5.深拷贝元学习模型，获得基学习器，将元任务划分为支持集和询问集，支持集迭代优化基学习器，询问集计算lossi；S6.将lossi累加到总损失sum‑loss中,执行S3。解决无法利用少量新型恶意攻击样本对模型参数进行充分调整，使模型无法适应新型恶意攻击识别问题。提升小样本场景攻击识别效果。
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公开(公告)号：CN115044973B
公开(公告)日：2023-07-07
申请号：CN202210673216.9
申请日：2022-06-14
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 一种金刚石表面金属阵列外延生长获得局域增强色心发光的方法，本发明是为了解决现有CVD制备金刚石内杂质原子浓度过高，色心转换效率过低的问题。金刚石表面金属阵列外延生长方法：一、清洗；二、采用光刻工艺在金刚石基底上沉积复合金属膜，复合金属膜呈间隔的条纹状；三、将带有复合金属膜的金刚石放入CVD生长舱体内，启动微波发生器，升高气压和功率，使金刚石表面温度达到700～1000℃，通入甲烷和掺杂元素气体，进行外延生长。本发明通过在金刚石表面沉积金属图案，通过CVD原位沉积横向外延生长，工艺流程简单，制备得到了高杂质转换率、高荧光强度色心的样品，从而有效提升色心的自旋相干性能。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN114717655B
公开(公告)日：2023-04-07
申请号：CN202210422761.0
申请日：2022-04-21
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: C30B25/18 , C30B25/04 , C30B29/04 , C23C14/35 , C23C14/18 , C23C14/04 , C23C28/00 , A44C17/00 , A44C27/00 , H01L21/285
Abstract: 一种用于钻石定制图案和电极的晶体内部图形化方法，本发明的目的是为了解决现有钻石内部难以定制图案和电极的问题。本发明晶体内部图形化方法如下：一、将选取所要制作于钻石晶体内部的图案转化为黑白模式，作为光刻机输入掩膜图形；二、将钻石衬底置于混酸溶液中超声清洗；三、采用光刻工艺以光刻胶作为掩模版，通过掩模在钻石表面沉积金属膜或非金属膜；四、将带有图案的钻石衬底置于等离子体化学气相沉积系统中，通入生长气体进行外延生长，得到带有定制图案的钻石。本发明利用化学气相沉积工艺再外延一层晶体，将图案覆盖于晶体内部能对图案实现很好的保护作用，满足钻石内部图案的定制需求。
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公开(公告)号：CN115044973A
公开(公告)日：2022-09-13
申请号：CN202210673216.9
申请日：2022-06-14
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 一种金刚石表面金属阵列外延生长获得局域增强色心发光的方法，本发明是为了解决现有CVD制备金刚石内杂质原子浓度过高，色心转换效率过低的问题。金刚石表面金属阵列外延生长方法：一、清洗；二、采用光刻工艺在金刚石基底上沉积复合金属膜，复合金属膜呈间隔的条纹状；三、将带有复合金属膜的金刚石放入CVD生长舱体内，启动微波发生器，升高气压和功率，使金刚石表面温度达到700～1000℃，通入甲烷和掺杂元素气体，进行外延生长。本发明通过在金刚石表面沉积金属图案，通过CVD原位沉积横向外延生长，工艺流程简单，制备得到了高杂质转换率、高荧光强度色心的样品，从而有效提升色心的自旋相干性能。
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公开(公告)号：CN114016130B
公开(公告)日：2022-09-13
申请号：CN202111328057.0
申请日：2021-11-10
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 一种单晶金刚石籽晶与样品托焊接方法，它为了解决CVD单晶金刚石生长过程中籽晶漂移和导热不良的问题。焊接方法：一、将超声清洗过的多个单晶金刚石籽晶底面朝上放置于等离子体清洗机基板上，然后进行氧等离子体表面预处理；二、采用磁控溅射镀膜设备，在单晶金刚石籽晶表面镀上金层；三、镀层后的单晶金刚石籽晶和样品托一同放入MPCVD金刚石生长设备中，对生长舱内抽真空，当生长舱内气压达到200‑250Torr、微波输入功率达到2500‑3500W、镀层后的单晶金刚石籽晶温度达到950‑1050℃时进行原位焊接。本发明可一次性快速对多个籽晶进行焊接，连接层均匀、连接牢固，提高冷却效果。
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公开(公告)号：CN114657533A
公开(公告)日：2022-06-24
申请号：CN202210360654.X
申请日：2022-04-07
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: C23C16/27 , C23C16/511 , C23C16/52 , C01B32/26 , B82Y30/00
Abstract: 一种在Mo衬底上制备具有规则晶型的纳米金刚石颗粒的方法，本发明是为了解决现有以金属衬底，采用CVD法制备纳米金刚石得到的纳米金刚石数量少、形状不规则的问题。制备具有规则晶型的纳米金刚石颗粒的方法：一、清洗Mo片及Mo托；二、将Mo片放置在MPCVD装置的沉积系统腔体内，Mo托放置在Mo片上，抽真空后通入H2和CH4，调节微波功率，进行气相沉积，得到带有纳米金刚石的Mo片；三、关闭沉积系统，冷却后将带有纳米金刚石的Mo片放入去离子水中超声，得到纳米金刚石分散液。本发明通过Mo托将等离子体位置提高，使等离子体边缘远离Mo片，减小H等离子体刻蚀，在Mo衬底上制备得到了具有规则晶型的纳米金刚石颗粒。
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公开(公告)号：CN114016130A
公开(公告)日：2022-02-08
申请号：CN202111328057.0
申请日：2021-11-10
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 一种单晶金刚石籽晶与样品托焊接方法，它为了解决CVD单晶金刚石生长过程中籽晶漂移和导热不良的问题。焊接方法：一、将超声清洗过的多个单晶金刚石籽晶底面朝上放置于等离子体清洗机基板上，然后进行氧等离子体表面预处理；二、采用磁控溅射镀膜设备，在单晶金刚石籽晶表面镀上金层；三、镀层后的单晶金刚石籽晶和样品托一同放入MPCVD金刚石生长设备中，对生长舱内抽真空，当生长舱内气压达到200‑250Torr、微波输入功率达到2500‑3500W、镀层后的单晶金刚石籽晶温度达到950‑1050℃时进行原位焊接。本发明可一次性快速对多个籽晶进行焊接，连接层均匀、连接牢固，提高冷却效果。
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