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公开(公告)号：CN207097867U
公开(公告)日：2018-03-13
申请号：CN201720633003.8
申请日：2017-06-02
Applicant: 南昌大学 , 南昌黄绿照明有限公司
Abstract: 本实用新型公开了一种无荧光粉型黄白光LED路灯，包括LED光源、基板、散热板、后盖、电线、电源模块、安装支架和配光元件，LED光源由LED芯片组成，LED芯片为AlInGaN材料体系制备的高光效垂直结构的黄光LED芯片和AlGaInP材料体系制备的高光效垂直结构的红光LED芯片。该LED路灯采用无荧光粉技术，通过LED芯片光源直接出光，解决了荧光粉使用带来的色温和光效难以协调发展的问题，降低了光型控制的难易程度，简化了灯具制作工艺，同时提高灯具模块的可靠性。同时，由于黄光LED芯片和红光LED芯片直接合成的光源，实现钠黄光色的超低色温LED路灯。避免当前高色温LED路灯中蓝光成分对周边生物的潜在危害，降低光污染。
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公开(公告)号：CN210092074U
公开(公告)日：2020-02-18
申请号：CN201920747843.6
申请日：2019-05-23
Applicant: 南昌大学
IPC: H01L23/60 , H01L29/06 , H01L29/20 , H01L31/0304 , H01L31/0352 , H01L33/32
Abstract: 本实用新型公开了一种具有抗静电层的III族氮化物半导体外延结构，依次包括：III族氮化物半导体外延结构前端部分、AlxGa(1-x)N抗静电层和III族氮化物半导体外延结构后续部分，前端部分内的穿透位错线位置处形成由平面和倒六角锥状坑组成的倒六角锥结构，AlxGa(1-x)N抗静电层形成于所述倒六角锥结构之上。AlxGa(1-x)N抗静电层在倒六角锥状坑侧壁的厚度显著大于其在平面上的厚度，使得穿透位错线在倒六角锥状坑底部附近形成远高于倒六角锥结构平面位置的电阻，从而大幅提升III族氮化物半导体外延结构的抗静电性能，使之接近无穿透位错的III族氮化物应有的高抗静电能力。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利
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公开(公告)号：CN209993614U
公开(公告)日：2020-01-24
申请号：CN201920907952.X
申请日：2019-06-17
Applicant: 南昌大学 , 南昌硅基半导体科技有限公司
Abstract: 本实用新型公开了一种AlInGaN基发光二极管，从下至上依次包括：N型AlInGaN层、具有V坑的AlInGaN超晶格层、n区空穴阻挡层、AlInGaN基有源层、P型AlInGaN层，其特征在于：所述P型AlInGaN层中含有p区空穴阻挡层；所述n区空穴阻挡层仅形成于所述具有V坑的AlInGaN超晶格层的V坑侧壁，禁带宽度大于n区空穴阻挡层两侧半导体层；所述AlInGaN基有源层表面上具有V坑和连接所述V坑的平面区，所述P型AlInGaN层形成于所述平面区的上面并填充所述V型缺陷，所述p区空穴阻挡层仅位于所述平面区的上面，禁带宽度大于p区空穴阻挡层两侧半导体层。本实用新型采用高铝组分的空穴阻挡层，使空穴和电子集中在平面区复合发光，大大地提高了发光效率。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利
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公开(公告)号：CN208986010U
公开(公告)日：2019-06-14
申请号：CN201821715724.4
申请日：2018-10-23
Applicant: 南昌大学 , 南昌硅基半导体科技有限公司
Abstract: 本实用新型公开了一种用于N面出光AlGaInP LED薄膜芯片的外延材料，自下而上依次包括N型GaAs衬底、N型GaAs缓冲层、第一腐蚀阻挡层、第二腐蚀阻挡层、第一N型粗化层、第二N型粗化层、N型限制层、N侧空间层、多量子阱发光区、P侧空间层、P型限制层、P型电流扩展层、P型欧姆接触层。本实用新型的外延材料可直接在第一N型粗化层上制备N电极，消除了欧姆接触层的光吸收问题，还可提高N电极的粘附性，简化N面出光AlGaInP LED薄膜芯片制备工艺，有效提高芯片指标并降低成本。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利
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公开(公告)号：CN208271905U
公开(公告)日：2018-12-21
申请号：CN201820658843.4
申请日：2018-05-04
Applicant: 南昌大学 , 南昌黄绿照明有限公司
IPC: H01L29/778
Abstract: 本实用新型公开了一种高电子迁移率晶体管，包括衬底，在衬底上依次设有缓冲层、位错阻断层、高阻层、沟道层、势垒层和盖层；所述位错阻断层为SiN层和GaN层组成的周期结构，周期数为m，其中1≤m≤10，其中SiN层呈岛状或网状分布。通过本实用新型，可使得随后生长的高阻层、沟道层、势垒层以及盖层中的位错密度大幅下降，提高晶体质量，从而提升高电子迁移率晶体管器件的电子迁移率、击穿电压以及漏电流等特性。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN207367968U
公开(公告)日：2018-05-15
申请号：CN201720646865.4
申请日：2017-06-06
Applicant: 南昌大学 , 南昌黄绿照明有限公司
Abstract: 本实用新型公开了一种直接板上芯片的LED封装结构，该LED封装结构是将LED芯片通过固晶层直接键合在基板上，引线的两端分别与LED芯片的上电极、基板上的电路固定连接，在基板上直接模顶成型光学透镜。本实用新型采用一次光学透镜配光，提高了封装模块的出光效率，结构紧凑，光源尺寸小。同时，省略了封装支架，简化封装工艺，由芯片‑支架和支架‑基板两处界面热阻减少为芯片‑基板一处界面热阻，降低了热阻，从而散热能力更好，结温更低，可靠性更高。本实用新型专利解决了垂直结构LED芯片的混光问题，提高其出光效率，尤其适用于对混光空间有较高要求的灯具，如T8、T5灯管和直下式平面灯等，同时具有工艺简单、可靠性高等优点。
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公开(公告)号：CN208889689U
公开(公告)日：2019-05-21
申请号：CN201821360051.5
申请日：2018-08-22
Applicant: 南昌大学 , 南昌硅基半导体科技有限公司
Abstract: 本实用新型公开了一种发光面为平面几何图形的LED芯片，所述LED芯片包括基板层，基板层从下至上依次包括接触层、基板反面保护层、支撑基板、基板正面保护层、键合层；基板层的上面从下至上依次设有粘结保护层、反射金属接触层，在反射金属接触层的上面设有图形化外延层；图形化外延层从下至上依次包括：互补结构层、p型层、发光层、n型层；在图形化外延层上面设有第一钝化层、N电极和第二钝化层；所述的图形化外延层形状为平面几何图形。本实用新型能够节省LED封装制造端的设计制造环节和批量生产的成本，而又不增加LED芯片制造成本。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利
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公开(公告)号：CN208014726U
公开(公告)日：2018-10-26
申请号：CN201820324320.6
申请日：2018-03-09
Applicant: 南昌大学 , 南昌黄绿照明有限公司
Abstract: 本实用新型提供了一种氮化物发光二极管，包括衬底，在衬底上设有缓冲层，在缓冲层上依次设有N型层、准备层、第一多量子阱层、第二多量子阱层、第三量子阱层、P型电子阻挡层和P型层，在所述第一多量子阱层、第二多量子阱层、第三量子阱层、P型电子阻挡层处还设有倒六角锥结构，所述第一多量子阱层是由InxGa(1‑x)N量子阱、GaN势垒、AlyGa(1‑y)N势垒和GaN势垒依次组成的周期结构。本实用新型可有效调控空穴在多量子阱中分布、使空穴和电子更为有效地分布到部分量子阱中、从而改善空穴和电子的匹配度、提升发光效率。
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公开(公告)号：CN207967032U
公开(公告)日：2018-10-12
申请号：CN201820161161.2
申请日：2018-01-31
Applicant: 南昌大学 , 南昌黄绿照明有限公司
Abstract: 本实用新型公开了一种薄膜型AlGaInP发光二极管芯片，该LED芯片包括：具有正反面的键合基板；从键合基板正面往上依次为：基板侧金属键合层、外延侧金属键合层、P面扩散阻挡金属层、P面反射欧姆接触层；从P面反射欧姆接触层往上依次为P型电流扩展层、P型限制层、P侧空间层、多量子阱发光区、N侧空间层、N型限制层、N型粗化层、N型欧姆接触层，N电极；键合基板的反面为P电极。本实用新型采用的P面反射欧姆接触层，同时具备光反射和欧姆接触功能；通过P面反射欧姆接触层的区块化，通过优化区块的间隔距离和N电极的宽度，可以抑制N电极对应区域电流注入集中问题，有效减少N电极遮挡效应。本实用新型具有能有效提高电光转换效率、结构简单等优点。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利
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公开(公告)号：CN207405234U
公开(公告)日：2018-05-25
申请号：CN201721384024.7
申请日：2017-10-25
Applicant: 南昌大学 , 南昌黄绿照明有限公司
IPC: C23C16/34
Abstract: 本实用新型公开了一种用于制备氮化物材料的装置，包括腔体、气体离化器、金属源产生装置、真空系统、样品台、腔体加热装置、真空计、温度计和膜厚仪和控制系统，其中：腔体由相互分离且能合为一体的上腔体与下腔体组成，金属源产生装置包括坩埚、线圈和金属保护装置，金属保护装置由坩埚底座和阻挡盖构成，真空系统包括干泵、分子泵和低温泵，样品台包括载片架、衬底冷却装置和样品台旋转装置。本实用新型制备氮化物的方式为阴离子阳离子逐层堆积模式，具有较好的材料质量和较快的氮化物制备速率。本实用新型具有能耗低、材料质量高、碳污染低、无组分偏析以及产能大等诸多优点。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利
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