公开(公告)号：CN105552187A

公开(公告)日：2016-05-04

申请号：CN201510940416.6

申请日：2015-12-16

Applicant: 中国科学院半导体研究所

Inventor： 袁国栋 ,  王克超 ,  张璐 ,  吴瑞伟 ,  王军喜 ,  王国宏 ,  李晋闽

IPC: H01L33/12 ,  H01L33/00 ,  B82Y40/00

CPC classification number: H01L33/12 ,  B82Y40/00 ,  H01L33/0075

Abstract: 一种采用GaN纳米图形衬底同质外延制备GaN薄膜及方法，其中采用GaN纳米图形衬底同质外延制备GaN薄膜，包括：一衬底材料层；一缓冲层，该缓冲层制作在衬底材料层上；一GaN薄膜层，其制作在缓冲层上；一纳米尺寸同质外延层，其制作在GaN薄膜层上表面内；一GaN层，其制作在纳米尺寸同质外延层上。本发明可以提高氮化镓外延薄膜的质量。

公开(公告)号：CN106229396A

公开(公告)日：2016-12-14

申请号：CN201610753068.6

申请日：2016-08-29

Applicant: 中国科学院半导体研究所

Inventor： 袁国栋 ,  张璐 ,  王克超 ,  吴瑞伟 ,  李晋闽 ,  王军喜

IPC: H01L33/06 ,  H01L33/32 ,  H01L33/00

CPC classification number: H01L33/06 ,  H01L33/007 ,  H01L33/32

Abstract: 本发明提供了一种III族氮化物生物探针及其制备方法，属于半导体材料制备及生物医学交叉领域。本发明采用具有潜在应用前景的III-V族材料作为探针基本材料，通过调节多组量子阱的材料组分、厚度及组数，得到可调的量子线结构，满足发光强度和波长一定范围内可调的要求，又由于成熟的制备工艺，使得生物探针在生物体内高度稳定，不易淬灭，寿命长，可代谢。

公开(公告)号：CN106558637A

公开(公告)日：2017-04-05

申请号：CN201611027044.9

申请日：2016-11-16

Applicant: 中国科学院半导体研究所

Inventor： 袁国栋 ,  张璐 ,  王琦 ,  王克超 ,  刘志强 ,  王军喜 ,  李晋闽

IPC: H01L33/00 ,  H01L33/22 ,  H01L33/16

CPC classification number: H01L33/0066 ,  H01L33/0075 ,  H01L33/16 ,  H01L33/22

Abstract: 一种非平面硅衬底LED器件及其制作方法，其中，所述方法包括：处理硅衬底，得到包含有斜侧面的非平面硅衬底；在斜侧面上生长第一外延层；在下平面上依次生长N电极和隔离层；在第一外延层上生长第二外延层；在N电极和隔离层上生长P电极；所述器件包括：基底和倒坑阵列结构，所述基底为非平面硅衬底，包含下平面和斜侧面，所述倒坑阵列结构包括：斜侧面上生长的自内而外的第一外延层和第二外延层；所述下平面上依次叠置的N电极、隔离层和P电极。本发明利用非平面硅衬底制作LED器件，具有工艺成熟、低成本、大尺寸和和实现高质量氮化物外延等诸多优点。

公开(公告)号：CN106952856A

公开(公告)日：2017-07-14

申请号：CN201710063306.5

申请日：2017-01-26

Applicant: 中国科学院半导体研究所

Inventor： 袁国栋 ,  王琦 ,  张璐 ,  刘文强 ,  王军喜

IPC: H01L21/683 ,  H01L33/00 ,  B82Y30/00 ,  B82Y40/00

Abstract: 本发明提供了一种氮化物纳米带的制备方法，包括：刻蚀硅衬底，得到图形化硅衬底；在图形化硅衬底的壁面上生长氮化物外延层；对粘连在一起的图形化硅衬底与氮化物外延层结构，进行腐蚀去除图形化硅衬底，得到氮化物纳米带。本发明对Si衬底的晶向没有苛刻的要求，在Si(100)和Si(111)衬底上皆可进行降低生产成本，采用图形化衬底生长氮化物，生长氮化物的尺寸可控。