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公开(公告)号：CN108493456A
公开(公告)日：2018-09-04
申请号：CN201810391695.9
申请日：2018-04-27
IPC: H01M4/66 , H01M10/0525
Abstract: 本发明提供电池正极极片、应用其的锂离子电池及降低界面电阻的方法。该电池正极极片，包括：正极集流体，所述正极集流体包括石墨烯复合铝箔材料层；形成于所述正极集流体表面的电极活性材料，包括电极正极材料、粘结剂及导电添加剂；其中，所述石墨烯复合铝箔材料层包括：铝箔基底、平行位于所述铝箔基底表面的平面石墨烯层、及垂直位于所述平面石墨烯层上的垂直石墨烯层；所述导电添加剂的含量占所述电极活性材料含量的质量百分比为2％～12％。通过借助使用具有垂直石墨烯层的石墨烯复合铝箔作为正极极片的集流体材料，可以有效降低正极极片的界面电阻。
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公开(公告)号：CN108070903A
公开(公告)日：2018-05-25
申请号：CN201611203602.2
申请日：2016-12-23
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明公开了一种对衬底加电调控薄膜材料生长的装置。该装置为在现有的化学气相沉积反应装置的基础上增加衬底通电系统；所述衬底通电系统包括导电线路、金属极板、插头和电源；所述金属极板位于CVD反应腔内；所述插头和电源位于CVD反应腔外；所述金属极板通过所述导电线路与所述插头和电源相连。利用该装置可对导电衬底加正负静电荷或电流，对绝缘衬底进行极化从而在其表面可控地产生静电荷，从而达到调控任意生长衬底的电势、吸附性、电子能态和催化活性。利用该装置及生长方法，可以在薄膜材料制备过程中方便地控制其单晶大小、均匀度、掺杂浓度、层数、层间堆垛方式及扭转角度、手性、洁净度等。
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公开(公告)号：CN104979038B
公开(公告)日：2018-04-06
申请号：CN201510309560.X
申请日：2015-06-08
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明公开了一种拓扑绝缘体/石墨烯复合柔性透明导电薄膜及其制备方法与应用。该拓扑绝缘体/石墨烯复合薄膜，是由拓扑绝缘体构成的纳米片和石墨烯薄膜以范德华力结合而成。其制备方法包括：以惰性气体作为载气，将拓扑绝缘体置于气体流向的上游，石墨烯薄膜置于气体流向的下游，进行化学气相沉积，沉积完毕而得。本发明利用拓扑绝缘体特有的金属表面态能够提供稳定的导电通道，“缝合”石墨烯的畴区晶界，改善由晶界处电子散射造成的导电性的降低，得到了一种拓扑绝缘体/石墨烯复合薄膜。该薄膜具有宽波长范围内的高透光性，高导电性，出色的化学稳定性和机械性能，可用于光电子和纳电子学等领域。
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公开(公告)号：CN105386124B
公开(公告)日：2018-02-23
申请号：CN201510931329.4
申请日：2015-12-15
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明公开了一种石墨烯单晶及其快速生长方法。该方法包括：将退火后的铜箔进行一次钝化，再在恒定温度的条件下，依次进行一次生长、二次钝化、二次生长，再降温至室温停止生长，得到沉积在铜箔上的所述石墨烯单晶；其中，所述一次生长和二次生长步骤中，生长气氛均由还原性气体和碳源气体组成；且所述二次生长步骤中，碳源气体在所述生长气氛中的分压高于所述一次生长步骤中碳源气体的分压。该方法工艺简单，可大规模生产，单晶畴区尺寸达到亚厘米级，单晶质量高，能适用于电子学上的应用。
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公开(公告)号：CN107556519A
公开(公告)日：2018-01-09
申请号：CN201710952710.8
申请日：2017-10-13
IPC: C08J9/26 , C08F281/00 , C08F220/14 , C08F220/06 , C08F222/10
Abstract: 本发明公开了一种手性高分子材料的制备方法及由其得到的手性高分子材料和应用，所述制备方法包括如下步骤：(1)将二氧化硅纳米球组装得到三维光子晶体模板；(2)取有机玻璃和步骤(1)得到的三维光子晶体模板各一片，将有机玻璃盖在三维光子晶体模板上，将手性高分子前驱体溶液灌入三维光子晶体模板空隙，聚合，得到由手性高分子和二氧化硅纳米球组成的光子晶体；(3)除去步骤(2)得到的光子晶体中的二氧化硅纳米球，得到所述手性高分子材料。本发明通过二氧化硅光子晶体模板得到手性高分子材料，并通过灌入光学活性的手性高分子前驱体溶液使得手性高分子材料在光学禁带处出现圆二色信号。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN107500276A
公开(公告)日：2017-12-22
申请号：CN201710845504.7
申请日：2017-09-19
Applicant: 北京大学
IPC: C01B32/186
Abstract: 本发明公开了一种利用醋酸铜制备超洁净石墨烯的方法。该方法包括如下步骤：按照气路由上游至下游的方向，依次间隔放置醋酸铜和铜基底，通入氢气进行化学气相沉积，沉积完毕得到所述超洁净石墨烯；所述醋酸铜所处温区的温度为醋酸铜的挥发温度。该制备方法简单，原料易得，石墨烯洁净度优于甲烷生长得到的结果，可以得到超洁净、高质量的单层石墨烯薄膜，在光学、电学等领域具有巨大的应用前景。
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公开(公告)号：CN107354506A
公开(公告)日：2017-11-17
申请号：CN201710522321.1
申请日：2017-06-30
Applicant: 北京大学
CPC classification number: C30B23/025 , C23C14/185 , C23C14/35 , C30B29/02
Abstract: 本发明公开了一种制备超平整铜单晶薄膜的方法。本发明提供的制备铜单晶薄膜的方法，包括如下步骤：以蓝宝石单晶作为生长基底，磁控溅射铜靶，退火，得到所述铜单晶薄膜。本发明采用蓝宝石作为铜的外延生长基底，采用磁控溅射的方法，在c面蓝宝石基底表面沉积了取向一致的铜薄膜，并且在随后的退火过程中，取向一致的铜熟化长大成为取向一致的无面内孪晶的单晶铜(111)薄膜。这种方法制备得到的单晶铜(111)薄膜，表面及其平整，直径可控，重复性高，在通讯、电子、石墨烯制备等领域具有非常广泛的应用前景。
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公开(公告)号：CN107190315A
公开(公告)日：2017-09-22
申请号：CN201710523050.1
申请日：2017-06-30
Applicant: 北京大学
CPC classification number: C30B29/02 , C30B25/186 , C30B29/64
Abstract: 本发明公开了一种制备超平整无褶皱石墨烯单晶的方法。该方法包括：将铜(111)单晶薄膜/蓝宝石对叠，使蓝宝石面在外，铜(111)单晶薄膜面在内，先退火再进行常压化学气相沉积，沉积完毕即在所述铜(111)单晶薄膜表面得到所述石墨烯单晶薄膜。本发明采用超平整铜(111)单晶以及合适的化学反应窗口制备了超平整石墨烯单晶。超平整石墨烯单晶的平整度达到0.5nm，表面无褶皱，远优于普通铜箔上生长的石墨烯。超平石墨烯具有远优于粗糙石墨烯的性能，包括抗氧化性能和导电性能。
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公开(公告)号：CN105989911A
公开(公告)日：2016-10-05
申请号：CN201510069588.0
申请日：2015-02-10
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明公开了一种石墨烯和金属纳米线复合透明导电塑胶薄膜及其制备方法与应用，包括如下步骤：1)利用化学气相沉积法在铜基底上沉积石墨烯，得到铜基底/石墨烯薄膜复合结构；2)在塑胶衬底表面涂布金属纳米线，即可得到金属纳米线/塑胶衬底复合塑胶膜；3)将所述铜基底/石墨烯薄膜复合结构和所述金属纳米线/塑胶衬底复合塑胶膜贴合，热压印，得到铜基底/石墨烯薄膜/金属纳米线/塑胶衬底复合结构；4)采用电化学鼓泡方法去除铜基底，即得到所述石墨烯和金属纳米线复合透明导电塑胶薄膜。其具有高的透光性和导电性、优异的环境稳定性、抗化学腐蚀能力和良好的柔性，可用于多种电子器件，如：电致变色器件和触摸屏等。
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公开(公告)号：CN104659152B
公开(公告)日：2016-08-17
申请号：CN201510078677.1
申请日：2015-02-13
Applicant: 北京大学
IPC: H01L31/18 , H01L21/02 , H01L31/0392
CPC classification number: Y02E10/50 , Y02P70/521
Abstract: 本发明公开了一种基于扭转双层石墨烯的光电探测器及其制备方法。它的制备方法包括如下步骤：1)在扭转双层石墨烯上涂覆光敏材料，然后在所述扭转双层石墨烯上刻蚀，并进行显影、定影，做出电极图案；2)将经步骤1)处理的所述扭转双层石墨烯的所述电极图案上，进行蒸镀金属得到电极，即得到所述光电探测器。本发明通过制备得到特定角度的扭转角双层石墨烯，其制备的光电探测器件具有很高迁移率，对特定波长光具有高效的光电探测效率，光电响应平均增强，且具有极低的暗电流，以及无需偏压、栅压提供额外能量的优点。
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