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公开(公告)号：CN115791654A
公开(公告)日：2023-03-14
申请号：CN202211395324.0
申请日：2022-11-09
Applicant: 之江实验室
Abstract: 本发明涉及一种测量装置及测量方法。所述测量装置包括传感器、信号输出机构及信号接收机构，所述传感器包括阵列排布的多个检测区域；所述信号输出机构包括输出光纤组件及与所述输出光纤组件的输入端对应的光源，所述输出光纤组件包括阵列排布的多个输出光纤，且所述输出光纤与所述检测区域一一对应；所述信号接收机构用于接收经由所述传感器反射的光线。本发明提高了对待测样品的检测效率。同时还提供一种测量方法。
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公开(公告)号：CN115728866A
公开(公告)日：2023-03-03
申请号：CN202211398682.7
申请日：2022-11-09
Applicant: 之江实验室
IPC: G02B6/122
Abstract: 本发明公开一种硅光子芯片多层光学重布线制备方法，包括获得基片，在基片上固定硅光子芯片，在基片和硅光子芯片上匀胶衬底层，在衬底层上沉积下包层；硅光子芯片上的光学端口为芯片端耦合器阵列，在下包层上沉积芯层材料；在芯层材料上刻写布线层，在布线层上沉积上包层，在上包层上沉积芯层材料；布线层包括扇出层间转换器阵列、扇出波导阵列和扇出端面耦合器阵列；重复制作布线层直到将芯片光学端口的光信号通过多层布线层输出到对应的扇出端面耦合器阵列。该方法能够将硅光子芯片的光学端口扇出，多层排布实现对数量较多，密度较高的硅光子芯片上光学端口的扇出。
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公开(公告)号：CN115629445A
公开(公告)日：2023-01-20
申请号：CN202211478745.X
申请日：2022-11-24
Applicant: 之江实验室
Abstract: 本发明公开了一种用于大规模硅基光子芯片设计的写场拼接结构与工艺，将相邻最大曝光区域中的子系统进行光信号连通，包括与所述子系统的输出波导连接的锥形波导、设置于子系统所在最大曝光区域的对准标记、连接波导，所述连接波导用于连接相邻最大曝光区域的锥形波导，所述子系统经过波导输出的光信号经过锥形波导耦合到连接波导，然后从连接波导耦合到相邻曝光区域中的锥形波导，最后光信号传输到另一子系统中。本发明突破最大曝光面积的限制，制备出超大规模的硅基光子芯片，降低了硅基光子芯片的光电封装难度，具有高的光传输效率，对工艺的线宽要求低，具有高的工艺容差。
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公开(公告)号：CN114755757B
公开(公告)日：2022-09-06
申请号：CN202210670962.2
申请日：2022-06-15
Applicant: 之江实验室
Abstract: 本发明提出一种基于双层曲线边沿波导结构的TM0‑TE1光模式转换器及光学装置，该模式转换器具有双层波导结构，每层波导包含若干个可优化位置的关键结点，并通过二次或三次样条插值法确定波导边沿的具体形状。该模式转换器能够将输入波导的横磁基模即TM0模式转换为一阶横电模即TE1模式，而同时不改变输入的横电基模即TE0模式。本发明相比于传统的基于双层线性渐变波导结构的TM0‑TE1模式转换器，能够在更紧凑的尺寸内通过优化更密集的关键结点参数以获得更高的模式转换效率，同时能严格保证波导边沿的平滑性，确保其工艺可制备。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN113708840B
公开(公告)日：2022-06-14
申请号：CN202111012239.7
申请日：2021-08-31
Applicant: 之江实验室
Abstract: 本发明提供一种基于片上偏振控制器的偏振态自动控制算法，通过参数梯度下降和参数取模重置，能够使任意偏振态的入射光经过片上偏振控制器后稳定输出一个光功率最大化的横电模偏振态，并能根据入射光偏振态的变化做出自适应的调整。本发明算法相比于传统的基于固定步长下降的控制算法，对偏振态的追踪更快更稳，不易产生振荡，且控制电压达到边界重置后不会引起光功率的变化。
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公开(公告)号：CN114325933A
公开(公告)日：2022-04-12
申请号：CN202210214533.4
申请日：2022-03-07
Applicant: 之江实验室
IPC: G02B6/12
Abstract: 本发明公开了一种基于石墨烯的铌酸锂薄膜宽带模式滤波器，包括自下而上依次设置的硅衬底层、二氧化硅层、铌酸锂薄膜、石墨烯和聚甲基丙烯酸甲酯波导；所述石墨烯设置于所述聚甲基丙烯酸甲酯波导的中心位置为基模滤波器；所述石墨烯设置于所述聚甲基丙烯酸甲酯波导的边缘位置为一阶模滤波器。本发明具有结构紧凑、宽带滤波以及高模式消光比的特性，满足集成光子学模式复用器件中的实际滤波使用需求。
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公开(公告)号：CN113985524B
公开(公告)日：2022-04-01
申请号：CN202111606890.7
申请日：2021-12-27
Applicant: 之江实验室
IPC: G02B6/12
Abstract: 本发明公开了一种基于超材料波导的阵列波导光栅，所述阵列波导光栅包括阵列波导部分、输入平板波导、输出平板波导、输入信道波导、输出信道波导，所述阵列波导部分两端分别与所述输入平板波导和输出平板波导连接，所述输入平板波导末端与所述输入信道波导连接，所述输出平板波导末端与所述输出信道波导连接，所述阵列波导部分包括若干根阵列波导，所述阵列波导为超材料波导，在传统波导的周围周期性地排布亚波长波导得到多层结构，这一结构具有很强的各向异性，这一结构可用作传统波导的包层，使用强各向异性包层包围传统波导，整体形成超材料波导，有效抑制了传统波导的倏逝波及趋肤深度。
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公开(公告)号：CN113253386A
公开(公告)日：2021-08-13
申请号：CN202110543354.0
申请日：2021-05-19
IPC: G02B6/124
Abstract: 本发明提出了一种高效宽带光栅耦合器设计，该设计将光从硅波导中耦合进入顶层介质层，在光栅耦合区域刻蚀顶层介质层波导形成光栅结构，中间多层介质膜及刻蚀区形成的布拉格反射镜共同降低泄露损耗。与此同时，由于光在顶层介质层的光栅图形中出射，使得该设计具有氮化硅光栅的宽带特性。实现了高效宽带的光纤与光芯片耦合，同时实现方法能够与CMOS工艺兼容，无需较小的线宽即可完成制造。
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公开(公告)号：CN218547066U
公开(公告)日：2023-02-28
申请号：CN202223080276.4
申请日：2022-11-18
Applicant: 之江实验室
IPC: G02B6/42
Abstract: 本实用新型涉及一种光电封装结构，所述光电封装结构包括光电芯片和封装层，其中，光电芯片包括正面、背面和周侧面，正面和所述背面沿厚度方向相对设置，并且，正面设置有金属电极；周侧面邻接于正面和所述背面；周侧面还包括功能侧面和封装侧面，功能侧面裸露有用于与光纤阵列耦合的光学耦合端口；封装层包裹于光电芯片的背面和封装侧面，并远离光学耦合端口。在上述结构中，光电芯片的正面分布有金属电极，并将光学耦合端口设置于与正面邻接的周侧面，以使在对光电芯片正面进行封装时，不会影响光学耦合端口。仅需保证封装过程中，远离光学耦合端口便可实现将光电封装结构中的光学耦合端口露出，以耦合光纤阵列，从而实现光学封装。
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