-
公开(公告)号：CN103148598A
公开(公告)日：2013-06-12
申请号：CN201310098779.0
申请日：2013-03-26
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所 , 上海德福光电技术有限公司
CPC classification number: Y02E10/44
Abstract: 本发明公开了一种基于吸收颗粒的太阳能平板集热器，其结构特征在于自底层到顶层依次由边框、隔热层、工作介质、金属基板、吸收流体及低辐射模块组成，其中吸收流体由含有可吸收整个太阳能谱段能量的颗粒和流体组成，吸收率可达100％。由于采用了将高吸收与低辐射功能分离的结构，消除了二者之间相互制约的关系，因此，可以在不考虑吸收流体发射率的前提下把吸收率做到100％，完全吸收到达吸收流体的太阳能，显著提升平板太阳能集热器的集热效率，极大地拓展了平板太阳能集热器的适用范围。
-
公开(公告)号：CN102954603A
公开(公告)日：2013-03-06
申请号：CN201210515241.0
申请日：2012-12-05
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所 , 上海德福光电技术有限公司
Abstract: 本发明涉及一种太阳能集热器，自底层到顶层依次由隔热层、工作介质、金属基板、吸收膜及低辐射模块构成；隔热层位于集热器最底层；隔热层上部包覆的是盛装工作介质的铜质介质管或介质腔，介质管或介质腔则布设焊接于金属基板的下部；吸收膜沉积于金属基板上部，低辐射模块覆盖于吸收膜上部。所述低辐射模块自下而上依次由镀膜玻璃、沉积在镀膜玻璃上的低发射率膜、位于低发射率膜上方的中空层、支撑中空层的密封条，以及由密封条连接的位于中空层上方的上层玻璃组成。本发明显著提升了平板太阳能集热器的性能与效率，极大地拓展了平板太阳能集热器的适用范围。
-
公开(公告)号：CN102368524A
公开(公告)日：2012-03-07
申请号：CN201110316113.9
申请日：2011-10-18
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所 , 蓝雨软件技术开发(上海)有限公司
Abstract: 本发明公开了一种能够增强高注入电流下发光效率的GaN基半导体发光二极管。本发明由衬底、N型掺杂层、多量子阱发光层、P型掺杂层和电极组成，其中多量子阱发光层中靠近P型AlGaN电子阻挡层的最后一个势垒的带隙沿生长方向线性减小，其材料为此多量子阱结构中其它势垒材料与InN或GaN形成的合金，并且InN或GaN在合金中的含量沿生长方向线性增加。本发明结构简单、易操作，可以有效减少漏电流，增强空穴的注入效率，提高量子阱中电子和空穴的浓度以及均匀分布性，从而大幅提高其在高注入电流下的发光效率，作为高亮度、高功率器件结构在照明领域具有广泛的应用前景。
-
公开(公告)号：CN101846499A
公开(公告)日：2010-09-29
申请号：CN201010176138.9
申请日：2010-05-14
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所 , 阿旺赛镀膜技术(上海)有限公司 , 上海宇豪光电技术有限公司
IPC: G01B11/06
Abstract: 本发明公开了一种薄膜生长中原位弱吸收光学薄膜厚度检测方法。该方法以镀有一层厚度足以引起干涉的打底膜为衬底，通过测量镀膜前后透(反)射谱的变化，即可实现薄膜厚度的测量。由于打底膜的厚度已经引起干涉，新镀上去的待测薄膜即使很薄，也会引起干涉的变化，由镀制待测薄膜前后透(反)射谱干涉的变化就可以很容易地准确测量出待测薄膜的厚度，其测量极限高达3nm以上。该方法可以准确测量纳米超薄膜的厚度，只需测量镀制待测薄膜前后的透(反)射谱，就可以快速获得待测薄膜的厚度，非常简单、快捷，特别适用于镀膜行业的在线检测和实时监控，尤其是对于弱吸收材料超薄膜的厚度测量，本发明方法克服了传统方法测量的困难。
-
公开(公告)号：CN101832945A
公开(公告)日：2010-09-15
申请号：CN201010165069.1
申请日：2010-04-29
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
Abstract: 本发明公开了一种镀膜玻璃薄膜缺陷的光学检测装置，被检样品一侧做成45°导角，激光光源发出的光线经扩束镜扩展后平行从被检样品侧面入射，光线在玻璃-空气、薄膜-空气界面发生全内反射。当薄膜无缺陷时，由于受制于全反射条件，光在上下表面间不断反射，直至从侧面射出，形成非常理想的暗场。而薄膜中的缺陷则成为散射体向上散射光，CCD在被检样品上方拍摄，得到清晰的缺陷图像由计算机图形处理及识别软件进行判别，并给出缺陷标记和提示。若在激光器和扩束镜之间添加转镜，可确保整个膜面的检测。与传统方法不同的是，本发明装置操作简单、明暗场对比强烈、效果明显，可非常方便地用于薄膜缺陷的在线检测。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101819219A
公开(公告)日：2010-09-01
申请号：CN201010165067.2
申请日：2010-04-29
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
IPC: G01Q60/38
Abstract: 本发明提出一种直接以倍半氧硅氢化物(HSQ)电子束光刻胶作为刻蚀掩模的高密度、超尖硅探针(tip)阵列的制备方法。通过电子束光刻方法进行曝光后显影形成HSQ的点阵图形，然后直接以HSQ为掩模对硅进行各向同性刻蚀，通过控制刻蚀条件，可使针尖最尖同时HSQ即将或自动脱落，针尖达到几个纳米，无需任何额外的氧化和腐蚀等锐化工艺，非常简单。本发明方法克服了传统制备方法需要氧化物层作为掩膜进行二次图形转移和额外的氧化、刻蚀工艺来锐化探针的不便，以及制备亚微米周期高密度硅探针阵列的困难，可以很容易地实现2.5×107/mm2以上高密度硅探针阵列。
-
公开(公告)号：CN101425552B
公开(公告)日：2010-08-11
申请号：CN200810194786.X
申请日：2008-10-20
Applicant: 淮阴师范学院 , 中国科学院上海技术物理研究所
IPC: H01L31/18 , H01L21/04 , H01L21/426
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 本发明涉及离子注入制备高性能碲镉汞p-n结的方法。该方法采用同一块碲镉汞薄膜为基底；制作多块掩膜板；并蒸镀ZnS薄膜作为离子注入的阻挡层；在阻挡层上光刻出相应的离子注入区进行注入；再完成p-n结的成结工艺。其中，离子注入的阻挡层是通过多次叠加蒸镀获得的不同厚度ZnS薄膜阻挡层；离子注入的剂量为优化后的同一离子剂量、同一注入能量值。本发明在同一基底材料上获得叠加蒸镀具有不同厚度阻挡层的系列试验单元，一次性地以优化后的离子注入剂量对光刻出注入区进行离子注入的工艺改进，制备高性能碲镉汞p-n结，为光伏型红外探测器提供更方便快捷的优化工艺参数试验研究，试验成本低、且节省时间和精力；该方法同样可推广应用于对其它基底材料体系的离子注入阻挡层厚度的优化研究。
-
公开(公告)号：CN101750424A
公开(公告)日：2010-06-23
申请号：CN200810204566.0
申请日：2008-12-15
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所 , 上海膜神工程技术咨询有限公司
IPC: G01N22/00
Abstract: 本发明的便携式low-ε中空玻璃U值鉴别仪包括：微波发射源101和接收端201，发射端信号及电源线102和接收端信号及电源线202，测试盒3，测试时样品4置于测试盒中，其中测试盒的设计目的是为了防止微波信号不穿过中空玻璃从其他途径绕射或直接到达接收端从而形成干扰。本发明公开了两类测试盒的设计，只需将中空玻璃样品装入测试盒中，然后通过两个蓝牙等微波发射/接收器件分别发射和接收微波信号，从通过中空玻璃样品的微波信号衰减程度就可以快速无损地鉴别出不同中空玻璃保温性能(U值)的优劣。该设备的结构非常简单，操作也很容易，无须具备任何专业知识，不需要经过任何专业训练即可轻松操作，成本低，特别适合在国内外广阔的建筑行业推广使用。
-
公开(公告)号：CN100359365C
公开(公告)日：2008-01-02
申请号：CN200510110631.X
申请日：2005-11-23
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所 , 上海蓝宝光电材料有限公司
Abstract: 本发明公开了一种氮化镓基发光二极管指示笔，该指示笔包括：GaN基发光二极管，在GaN基发光二极管的发光面上置有方向选择性很高、带通很窄的窄带滤光膜层，在滤光膜层的前面置有透镜。本发明的优点是：发光二极管发出的光，经过窄带滤光膜层使得只有近乎正入射的光才能透射出来，同时，窄带滤光片本身只能透过很窄波长范围的光，从而使得最终发出的光单色性很好，与激光非常接近，然后再加上一个透镜，使光束在使用的范围内光斑都很小，而光束本身并非是相干的激光，亮度均匀，不会像激光笔那样出现很多让人眼感觉不适的闪光点，因此可以替代激光笔作为很好的指示笔用。
-
公开(公告)号：CN100334471C
公开(公告)日：2007-08-29
申请号：CN200510029389.3
申请日：2005-09-02
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
Abstract: 本发明公开了一种具有多腔结构的窄带滤光片列阵，它是利用多个F-P结构膜系来形成多腔，通过组合镀膜或组合刻蚀方法来形成谐振腔层列阵，以达到控制每个微型窄带滤光片的带通峰位，从而实现不同带通峰位窄带滤光片在同一块基片上集成的目的。这种结构适用于各个波段多腔窄带滤光片列阵。这种结构的优点是滤光片的带通矩形度好，易于多通带集成，可以更多地获取各光谱通带内的信号、同时更好地抑制掉通带外的噪声，大大提高信噪比，能够满足工程化和实用化需要。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
170
records
(took 0.04 seconds)
