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公开(公告)号：CN101958331A
公开(公告)日：2011-01-26
申请号：CN201010234867.5
申请日：2010-07-23
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
IPC: H01L27/144 , H01L31/101 , H01L31/02
Abstract: 本发明公开了一种集成低能等离子体氢浸镀层的离子注入n+-on-p型碲镉汞(HgCdTe)红外中波(mid-wavelength)光伏探测芯片，它涉及光电探测器件技术。本发明采用在HgCdTe薄膜材料表层集成一低能等离子体氢浸镀层的离子注入n+-on-p型HgCdTe红外中波光伏探测芯片的结构方案，有效解决了传统HgCdTe红外焦平面列阵中波光伏探测芯片存在表层物理特性不理想而引起的光敏感元二极管动态阻抗和探测性能下降的问题。本发明具有结构工艺简单和集成度高的特点。
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公开(公告)号：CN100466302C
公开(公告)日：2009-03-04
申请号：CN200410067487.1
申请日：2004-10-26
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
IPC: H01L31/101 , H01L31/0296 , H01L27/146
Abstract: 本发明公开了一种碲镉汞红外双色焦平面探测器列阵芯片，该芯片采用一种注入平面结和台面异质结的混合结构，避免了高难度的两步微台面的刻蚀。最终得到的列阵芯片性能参数几乎接近于常规单波段HgCdTe焦平面器件性能。这说明本发明采用的混合结构的技术方案是合理的、可行的。
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公开(公告)号：CN100444381C
公开(公告)日：2008-12-17
申请号：CN200610117106.5
申请日：2006-10-13
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
Abstract: 一种背向集成微透镜红外焦平面探测器及微透镜的制备方法，该探测器包括：红外光敏元列阵芯片、读出电路、混成互连铟柱和微透镜列阵。微透镜列阵是在红外光敏元列阵芯片的衬底背面直接通过微机械加工形成的。采用了记忆焦平面探测芯片正面图形的光刻方法以及等离子体组合刻蚀技术，获得的背向集成微透镜各个光轴在空间上与其对应的光敏像元的光敏面中心法线重合。本发明的最大优点是微透镜列阵的引入，对入射目标红外辐射有会聚功能，既提高了红外焦平面探测器光敏元的响应率，又能减小红外焦平面探测器、特别是高密度像元的红外焦平面探测器相邻像元之间的空间串音。
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公开(公告)号：CN1988166A
公开(公告)日：2007-06-27
申请号：CN200610148070.7
申请日：2006-12-27
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
IPC: H01L27/144
Abstract: 本发明公开了一种可释放热失配应力的硅基碲镉汞凝视红外焦平面器件芯片，该芯片包括Si衬底，与Si衬底牢固结合的碲镉汞外延薄膜，通过常规的器件芯片制备工艺在碲镉汞外延薄膜上形成的光敏元列阵，在每10－20个光敏元间的隔离区，均匀地置有通过等离子体刻蚀形成的可释放热失配应力的小孔，从而使焦平面器件芯片在室温—低温(80K)的温度循环过程中，热失配应力在局部小区域得到释放，使整个焦平面范围内的光敏元性能不因为热失配应力而导致失效，提高芯片的可靠性。
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公开(公告)号：CN1794473A
公开(公告)日：2006-06-28
申请号：CN200510030791.3
申请日：2005-10-27
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
IPC: H01L31/09
Abstract: 本发明公开了一种微台面列阵碲镉汞红外双波段焦平面探测器芯片，包括：GaAs衬底，CdTe过渡层，在CdTe过渡层上有一维或二维排列的同向集成的两个不同波段平面结光电二极管，两个光电二极管是二步微台面结构。本发明的优点是：由于两个光电二极管列阵是由Hg空位掺杂的p－P－P多层异质材料经离子注入而形成的，这使得多层异质结HgCdTe外延材料的生长易于实现；同时两个光电二极管是同向的，它的读出电路不需要将两个波段的光信号电流分开，只需将两个单色焦平面探测的读出电路简单地融合在一起，这使读出电路的设计和加工变得易于实现。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1617357A
公开(公告)日：2005-05-18
申请号：CN200410067487.1
申请日：2004-10-26
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
IPC: H01L31/101 , H01L31/0296 , H01L27/146
Abstract: 本发明公开了一种碲镉汞红外双色焦平面探测器列阵芯片，该芯片采用一种注入平面结和台面异质结的混合结构，避免了高难度的两步微台面的刻蚀。最终得到的列阵芯片性能参数几乎接近于常规单波段HgCdTe焦平面器件性能。这说明本发明采用的混合结构的技术方案是合理的、可行的。
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公开(公告)号：CN1399311A
公开(公告)日：2003-02-26
申请号：CN02136720.5
申请日：2002-08-29
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
IPC: H01L21/302 , H01L31/18
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 本发明公开了一种碲镉汞红外双波段探测器深台面的腐蚀设备和方法，其主要是利用碲镉汞的含溴氧化剂作为腐蚀液，利用恒定光强照射来加快定向的腐蚀速率和精确控制腐蚀时间，利用在不需腐蚀部分的碲镉汞表面生长反射膜来精确控制腐蚀图形，利用腐蚀时旋转样品和冰水混合物来严格控制恒定的，可重复的腐蚀温度，使其深台面的纵向和横向的腐蚀速率比达8∶1，最终得到不同组分、不同导电类型和不同掺杂浓度的碲镉汞样品深台面侧壁垂直的理想效果。
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公开(公告)号：CN113654664B
公开(公告)日：2024-05-10
申请号：CN202110930651.0
申请日：2021-08-13
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
Abstract: 本发明公开了一种光谱分离与全透复合的超像素红外探测器，在平面结构红外探测芯片的衬底上制备具有光谱分离功能的波段分束阵列，入射的宽谱红外光透过红外波段分束阵列表面微纳结构区域后发生光谱分离，不同波长红外光分别照射至超像素的第一亚像元、第二亚像元和第三亚像元。经过红外波段分束阵列无表面微纳结构区域的全透红外光照射至超像素的第四亚像元。四个亚像元分别输出信号，利用图像合成得到红外彩色图像，同时利用图像增强融合技术获得目标更丰富的细节信息。该探测器具有探测波段丰富、信号利用率高、微型化，利用红外波长分束阵列与平面结构红外探测芯片构建超像素红外探测器的优点。
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公开(公告)号：CN110265492B
公开(公告)日：2024-03-26
申请号：CN201910414304.5
申请日：2019-05-17
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
IPC: H01L31/0216 , H01L31/0296 , H01L31/0352 , H01L31/101 , H01L31/11
Abstract: 本发明公开了一种同时模式双波段碲镉汞探测器，通过减小碲镉汞长波层厚度可使器件制备过程中刻蚀深度变小，因为刻蚀后碲镉汞长波层侧壁有一定坡度，因此减小刻蚀深度可以缩小像元中心距。减小碲镉汞长波层厚度会导致光吸收变少，在钝化层上生长金属层有利于反射电磁波从而提高碲镉汞长波层的光吸收，在减小碲镉汞长波层厚度的同时保证了良好的光吸收。
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公开(公告)号：CN109244176B
公开(公告)日：2023-09-12
申请号：CN201811176475.0
申请日：2018-10-10
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
IPC: H01L31/109
Abstract: 本发明公开了一种微椭球式零串音碲镉汞红外焦平面探测器。新构形红外焦平面探测器的光敏感元采用包含一个p‑n结的微椭球结构，并通过基区公共P型层与公共电极相连的模式。微椭球阵列基光敏感元红外探测器有源区是完全隔断的，可实现超低串音的探测，还可以部分释放探测芯片的内应力。同时，光敏感元采用了具有内部全反射的微椭球结构，这可以实现光电p‑n结面积远小于红外辐射吸收面积，能有效提高红外焦平面探测器的信噪比和探测率；解决了器件小型化难题。
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