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公开(公告)号：CN103794513A
公开(公告)日：2014-05-14
申请号：CN201210418831.1
申请日：2012-10-26
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L21/48
Abstract: 本发明涉及一种增强介质层PI和金属层Cu层粘附性的方法。其主要步骤为：首先，对介质层PI进行表面预处理，然后选择及控制溅射的粘附/种子层金属类型和厚度。溅射完成后，进行退火处理，增加PI和粘附/种子层金属的结合度，最后，再进行金属Cu的电镀。通过以上步骤，使PI和Cu之间的粘附性得到很大提高。本发明提供的方法适合于圆片级封装再布线结构以及UBM制作。
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公开(公告)号：CN102570018B
公开(公告)日：2014-02-26
申请号：CN201110434081.2
申请日：2011-12-21
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明涉及一种在硅基上基于BCB/Au的集成贴片天线的制作方法。其特征在于衬底硅上刻蚀深槽以增加介电材料厚度，从而增加天线带宽；槽中填充的材料与传输线的介电材料相同，均为低介电常数的BCB。制作工艺为：首先在硅基上刻蚀一个深槽来增加介电材料的厚度，溅射一层种子层，电镀金，作为天线的地平面；在槽中填充介电材料，控制温度进行固化；然后打Au柱作为过孔引出地线；再涂覆一层BCB介电材料，固化后进行CMP减薄抛光，增加表面平整度，并使过孔露出；最后在BCB上光刻电镀出天线的图形。此种制作方法使天线和集成电路做在一起，减小了体积，提高了可靠性，同时减小了天线发射模块和天线之间的传输距离，减小了传输损耗。
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公开(公告)号：CN103367863A
公开(公告)日：2013-10-23
申请号：CN201210100299.9
申请日：2012-04-09
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明提供一种集成宽频带天线及其制作方法，通过在Si衬底上制作接地平面，在接地平面上制作具有流动性的有机介电材料并固化作为天线的基板，在该基板上制作天线图形，并在天线图形对应的区域刻蚀所述Si衬底形成介质空腔。本发明的集成宽频带天线克服了硅基集成天线介质基板较薄的缺点，与传统硅基集成天线相比，显著增加了天线的带宽并提高了天线的性能。本发明的制作工艺流程与埋置型芯片封装兼容，所制作出来的天线可以和芯片一起封装，与传统的外接天线方法相比，减小了信号线的传输距离，从而减小了损耗。同时，天线与芯片集成在一起，提高了可靠性，减小了体积，符合现代集成电路封装的趋势。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103187324A
公开(公告)日：2013-07-03
申请号：CN201110449963.6
申请日：2011-12-28
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L21/60 , H01L23/488 , B23K1/00
CPC classification number: H01L2224/13 , H01L2224/13147 , H01L2224/136 , H01L2924/01322 , H01L2924/014 , H01L2924/00 , H01L2924/00012
Abstract: 本发明提供一种焊点制备方法及其结构，该方法包括以下步骤：步骤一，在硅片(1)正面溅射金属层(2)，作为电镀种子层；步骤二，在所述金属层(2)上涂光刻胶(3)并前烘；步骤三，图形化光刻胶并后烘；步骤四，使用图形化光刻胶做掩膜，电镀铜以形成铜层，直到该铜层的厚度超过光刻胶层的厚度，并形成伞状铜柱结构（4）；步骤五，继续使用光刻胶(3)做掩膜，电镀锡以形成包裹伞状铜柱结构（4）的锡层（5）；步骤六，回流，形成包含该伞状铜柱的焊点结构。本发明提供的焊点结构具有成本低，剪切力、热机械可靠性高的特点。
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公开(公告)号：CN102903673A
公开(公告)日：2013-01-30
申请号：CN201210424949.5
申请日：2012-10-30
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L21/768
CPC classification number: H01L21/76898
Abstract: 本发明涉及一种圆片级穿硅通孔TSV的制作方法，首先在硅片正反两面淀积氧化硅绝缘层，然后在正反两面的光刻胶上形成TSV图形，将TSV图形转移至硅片上；进行湿法腐蚀直至形成穿硅通孔；随后，湿法腐蚀掉硅片两面的氧化层；再次使用热氧化工艺在硅片正反两面以及TSV侧壁同时淀积一层氧化硅绝缘层；采用磁控溅射工艺在硅片的一面上沉积金属层TiW/Au。再在硅片的另一面同样通过溅射工艺沉积金属层TiW/Au；然后通过硅片的双面电镀工艺，整个TSV被金属层完全覆盖实现了双面导通。本发明与干法刻蚀的垂直侧壁形貌的TSV互连技术相比，该技术具有可靠性高，良品率高的等关键优势，并且由于湿法腐蚀出的TSV侧壁形貌呈斜坡状，非常有利于后续的薄膜沉积和电镀沉积，因此操作极为简单，成本低，适合于工业化生产。
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公开(公告)号：CN102590731A
公开(公告)日：2012-07-18
申请号：CN201210014614.6
申请日：2012-01-17
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: G01R31/28
CPC classification number: H01L2224/05554
Abstract: 本发明涉及一种实现红外焦平面阵列探测器中硅读出电路测试的方法，其特征在于采取倒装方式实现硅读出电路与测试基板间的互连；实现硅测试基板与硅读出电路的对接互连后，通过对测试基板上焊盘的重排实现硅测试基板焊盘的重排；采取较复杂的版图设计来避免复杂的工艺过程以减少需排布的焊盘数量；采取lift-off工艺实现测试基板上的焊盘制作，并通过铟电镀的方式在需重新排布的焊盘上制作一层薄的铟镀层；通过打线(wire bonding)工艺实现硅基板与PCB板间的互连，最后读出电路的控制、信号输入和输出均在PCB板上完成。本发明将版图设计和简单工艺结合即可实现硅读出电路的测试。
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公开(公告)号：CN102544040A
公开(公告)日：2012-07-04
申请号：CN201210014615.0
申请日：2012-01-17
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L27/146 , H01L21/768
Abstract: 本发明涉及一种利用硅通孔(TSV)技术实现砷化镓(GaAs)图像传感器圆片级封装的方法。其特征在于其步骤包括：机械加工与湿法腐蚀配合使用加工出凹槽；在凹槽中制作一树脂绝缘层；然后用激光方法在树脂上制作通孔；槽内和通孔内电镀，实现晶片正面电极的背部引出；做钝化层和焊料凸点。整个工艺过程在圆片级完成，在降低封装成本的基础上具有较高的互连密度。同时，制作的互连结构具有较高的可靠性。
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公开(公告)号：CN101996906B
公开(公告)日：2012-06-13
申请号：CN201010275967.2
申请日：2010-09-08
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L21/60
CPC classification number: H01L2224/81
Abstract: 本发明涉及一种凹槽中焊接实现焊料倒扣焊的工艺方法，其特征在于：(a)使用普通硅片作为倒扣焊基板，在基板上采用TMAH湿法腐蚀形成斜槽；(b)采用全加法工艺，在斜槽内制作铜焊盘；不必制备阻焊层；(c)采用倒扣焊机实现锡凸点与斜槽中焊盘之间的对准，凸点插入斜槽内并和焊盘进行焊接。本发明提供的工艺最终可以实现焊盘间距74μm/焊盘宽度50μm的焊盘结构，优于目前的“减法工艺”和“半加法工艺”得到的焊盘面积与焊盘间间距的关系参数。而且该倒扣焊工艺不需要制作阻焊层结构，利用腐蚀槽的阻挡作用凹槽可限制焊料的流动，防止回流过程中焊料的流动造成相邻焊盘之间的短接。
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