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公开(公告)号:CN108987234B
公开(公告)日:2020-07-14
申请号:CN201810567600.4
申请日:2018-06-05
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01J37/32
Abstract: 本发明的目的在于改善等离子体工艺的均匀性。本发明的等离子体处理装置,对载置于处理容器内的载置台的基片进行等离子体处理,包括:金属窗,其与上述载置台相对地形成于上述处理容器,具有多个导电性的部分窗部;绝缘物的隔开部件,其设置在上述部分窗部之间以及上述部分窗部与上述处理容器之间;天线,其设置在上述金属窗的上方侧,通过电感耦合使处理气体等离子体化;绝缘体的盖部件,其覆盖上述隔开部件的上述处理容器侧的面,并横跨相邻的上述部分窗部的边缘,多个上述部分窗部各自具有多个第一气孔,上述盖部件具有多个第二气孔,在该盖部件的内部以多个上述第一气孔中的至少任一者和多个上述第二气孔连通的方式向上述处理容器侧的面延伸。
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公开(公告)号:CN111146134A
公开(公告)日:2020-05-12
申请号:CN201911060409.1
申请日:2019-10-30
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/683 , H01J37/32
Abstract: 本发明提供在对FPD用的基板进行蚀刻等处理时进行面内均匀性较高的处理的基板载置台、基板处理装置以及基板处理方法。一种基板载置台,当在处理容器内处理基板时所述基板载置台载置所述基板并对其进行调温,其中,所述基板载置台具有:金属制的第1板,其借助间隙被划分区域成多个调温区域;以及金属制的第2板,其与所述第1板接触,并具有比所述第1板的热传导率低的热传导率,各个所述调温区域内置有进行固有的调温的调温部,具有用于载置所述基板的上表面的所述第1板载置于所述第2板的上表面。
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公开(公告)号:CN108987234A
公开(公告)日:2018-12-11
申请号:CN201810567600.4
申请日:2018-06-05
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01J37/32
Abstract: 本发明的目的在于改善等离子体工艺的均匀性。本发明的等离子体处理装置,对载置于处理容器内的载置台的基片进行等离子体处理,包括:金属窗,其与上述载置台相对地形成于上述处理容器,具有多个导电性的部分窗部;绝缘物的隔开部件,其设置在上述部分窗部之间以及上述部分窗部与上述处理容器之间;天线,其设置在上述金属窗的上方侧,通过电感耦合使处理气体等离子体化;绝缘体的盖部件,其覆盖上述隔开部件的上述处理容器侧的面,并横跨相邻的上述部分窗部的边缘,多个上述部分窗部各自具有多个第一气孔,上述盖部件具有多个第二气孔,在该盖部件的内部以多个上述第一气孔中的至少任一者和多个上述第二气孔连通的方式向上述处理容器侧的面延伸。
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公开(公告)号:CN106252190B
公开(公告)日:2018-08-31
申请号:CN201610408989.9
申请日:2016-06-12
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01J37/32
Abstract: 本发明提供一种不必基于感觉或经验设定处理条件就能够避免窗部件的损坏的等离子体处理装置,其控制装置(100)接收衬底(G)的等离子体处理的处理方案的输入,基于按该处理方案反复执行等离子体处理而使窗部件(22)的温度成为平衡状态时的在窗部件(22)设定的多个温度预测点的预测到达温度之差,判断配置在处理空间(S)与电感耦合天线(50)之间的窗部件(22)的电介质是否发生损坏,在判断窗部件(22)发生损坏的情况下不将处理方案登记到存储部(102),在判断窗部件(22)没有发生损坏的情况下将处理方案登记到存储部(102),根据存储于存储部(102)的处理方案执行衬底(G)的等离子体处理。
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公开(公告)号:CN108242381A
公开(公告)日:2018-07-03
申请号:CN201711417582.3
申请日:2017-12-25
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Abstract: 本发明提供一种在包括形成有多个气体排出口的电极部件的等离子体处理用的气体供给装置中,实现使形成于气体排出口的喷镀膜的膜厚的均匀化的技术。在用于等离子体处理的具有形成有多个气体流路(41)的电极板(32B)的气体供给装置中,以在气体流路41与气体排出口(40)的边界部(Pa)形成角部的方式向外侧弯折,从位于角部的外侧的内周面至下表面(300)形成为弯曲面。因此,在向气体排出口(40)吹附喷镀材料(50)时吹附喷镀材料(50)的方向与气体排出口(40)的内周面所成的角度变大,能够防止气体排出口(40)的上游侧的边界附近的薄膜化。
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公开(公告)号:CN103824800B
公开(公告)日:2018-01-19
申请号:CN201310573742.9
申请日:2013-11-15
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/683 , H01L21/00
Abstract: 本发明提供一种在剥离被处理基板时难以产生因被处理基板的吸附现象导致的基板的破裂以及残留的电荷或剥离带电导致的元件的静电破坏的基板载置台和使用其的基板处理装置。该基板载置台包括:包括静电卡盘的载置台主体,该静电卡盘在具有载置基板的载置面的上部绝缘部件内设置被施加直流电压的吸附电极;对载置台主体调节温度的温度调节机构;和对基板的背面侧供给传热气体的传热气体供给机构,具有在载置有基板时在基板与比周缘载置部靠内侧的内侧部分的上表面之间被供给传热气体的空间,吸附电极不存在于与周缘载置部对应的部分,周缘载置部具有凹部,该凹部使得附着于周缘载置部的上表面的副生成物不粘着在载置在周缘载置部上的基板的背面。
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公开(公告)号:CN105742146B
公开(公告)日:2018-01-05
申请号:CN201510993810.6
申请日:2015-12-25
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01J37/32 , C23C16/50 , C23C16/513 , H01L21/683
Abstract: 在进行等离子体处理时使用的、具有聚焦环(6)的载置台(2)中,抑制由垂直方向的电场引起的聚焦环的削减,从而降低粒子。使载置有玻璃基板G的载置台主体成为侧周面为平坦的柱状的构造,在聚焦环的下方侧,以包围载置台主体且与载置台主体的侧周面接触的方式设置侧部绝缘部件。因此,在聚焦环的正下方不存在载置台主体,所以在聚焦环不产生垂直方向的电场,能够抑制聚焦环的削减。此外,通过使侧部绝缘部件(31)与下部电极(20)的侧周面压接,使辅助绝缘部件(32)与绝缘间隔部件压接,并且使侧部绝缘部件和辅助绝缘部件之间的间隙成为曲径构造,能够抑制异常放电。
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公开(公告)号:CN102376617B
公开(公告)日:2016-03-23
申请号:CN201110212820.3
申请日:2011-07-26
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/683 , B29C65/52
Abstract: 本发明提供一种在无需加热基板载置台就能够在基板载置面形成树脂突起物层的基板载置面形成树脂突起物层的方法。包括:贴合步骤,将树脂突起物层复制部件(40)的涂布在树脂突起物层(43)的第二粘合剂层(44)向基板载置面(55)按压,将树脂突起物层(43)贴合到基板载置面(55),其中,树脂突起物层复制部件(40)包括:基体材料片材(41);隔着第一粘合剂层(42)贴合到基体材料片材(41)的一面的树脂突起物层(43);和涂布在树脂突起物层(43)的第二粘合剂层(44),和基体材料片材剥离步骤,将基体材料片材(41)从贴合的树脂突起物层(43)剥离。
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公开(公告)号:CN102956431B
公开(公告)日:2015-09-30
申请号:CN201210306041.4
申请日:2012-08-24
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01J37/32 , H01L21/687
Abstract: 本发明提供一种防止在环状屏蔽部件的构成零件和基板载置台之间产生间隙并能够防止构成零件破损的环状屏蔽部件。屏蔽环(15)由四个环构成零件(41)~(44)构成,在各环构成零件(41)~(44)的长度方向上的固定端设置有全方向移动限制部(45),单方向移动容许部(46)与全方向移动限制部(45)离开地设置,例如以一个环构成零件(41)的固定端(41a)的端面与相邻的另一环构成零件(43)的自由端(43b)的侧面抵接,一个环构成零件(41)的自由端(41b)的侧面与相邻的又一环构成零件(44)的固定端(44a)的端面抵接的方式,组合各环构成零件(41)~(44)。
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公开(公告)号:CN102779715B
公开(公告)日:2015-09-16
申请号:CN201210141209.0
申请日:2012-05-08
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01J37/32
Abstract: 本发明涉及等离子体生成用电极和等离子体处理装置。本发明提供一种对FPD用基板进行等离子体处理时难以产生异常放电、颗粒化的问题的等离子体生成用电极。等离子体生成用电极(20)具备:主体,具有与配置于腔室(2)内的平板显示用基板(G)相对的对置面(F),对由铝或铝合金构成的基材(20a)的表面进行阳极氧化处理而具有阳极氧化被膜(20b);多个气体喷出孔(22),在主体的对置面(F)开口而成;陶瓷喷镀被膜(23),至少形成在对置面(F)的气体喷出孔(22)的开口部(22c)。在对置面(F),陶瓷喷镀被膜(23)之间的部分露出主体的面。
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