公开(公告)号：CN100519368C

公开(公告)日：2009-07-29

申请号：CN200510067932.9

申请日：2005-04-28

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 守屋刚 ,  中山博之

IPC: B65G49/05 ,  B65G49/07 ,  H01L21/00 ,  H01L21/68

Abstract: 提供一种在不降低基板处理系统实际作业率的情况下能充分清除堆积粒子的基板输送装置。基板输送装置(10)由箱状的腔室(11)及腔室(11)内配有的输送臂(12)、负责该腔室(11)内排气的排气管线(15)、使N2气体进入腔室(11)内的气体导入管线(18)等构成。利用输送臂(12)使施加高电压的带有电极层(25)的拾取器(24)移动到腔室(11)内所希望的位置。气体导入管线(18)将N2气体导入腔室(11)内，且由排气管线(15)使腔室(11)排气，使腔室(11)内产生粘性流，再对移至希望位置的拾取器(24)的电极层(25)加高电压，从而使腔室(11)内面和拾取器(24)之间产生静电场，这样，静电应力就会作用于粒子堆积的腔室(11)内面。

公开(公告)号：CN100466153C

公开(公告)日：2009-03-04

申请号：CN03823244.8

申请日：2003-09-29

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 三枝秀仁 ,  高濑均 ,  三桥康至 ,  中山博之

IPC: H01J37/32

CPC classification number: H01J37/32477 ,  Y10S156/916

Abstract: 本发明提供用于包围等离子加工系统中加工空间的改进的沉积罩，其中沉积罩的设计和制造有利地在等离子加工空间中提供纯净的加工等离子，其对沉积罩具有基本最小的腐蚀。

公开(公告)号：CN101320677A

公开(公告)日：2008-12-10

申请号：CN200810128050.2

申请日：2004-08-25

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 守屋刚 ,  长池宏史 ,  中山博之

IPC: H01L21/00 ,  H01L21/683 ,  B08B6/00 ,  B08B3/02 ,  B08B5/02 ,  B08B7/00

Abstract: 本发明涉及减压处理室内的部件清洁方法和基板处理装置。为了使附着在减压处理室内的部件上的微颗粒飞散，清洁部件，采用将电压加在部件上，利用麦克斯韦应力使微颗粒飞散的方法；使微颗粒带电，利用库仑力飞散的方法，将气体导入减压处理室中，使气体冲击波到达附着有微颗粒的部件，使微颗粒飞散的方法；使部件温度上升，利用热应力和热泳动力，使微颗粒飞散的方法；或将机械振动给与部件，使微颗粒飞散的方法。另外，使飞散的微颗粒在较高压的气氛下被气体流夹带除去。

公开(公告)号：CN100378925C

公开(公告)日：2008-04-02

申请号：CN200510060171.4

申请日：2005-03-29

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 守屋刚 ,  中山博之

IPC: H01L21/3065 ,  F04B37/10 ,  F04B37/14 ,  G01N15/00 ,  C03C4/00

Abstract: 提供一种可切实地监控包含易剥离的沉积物的颗粒，正确地评价真空装置的清洁度的真空装置及其颗粒监控方法、程序和颗粒监控用窗口部件。半导体制造装置(1000)具备用于对晶片实施制品化处理的处理室(100)。处理室(100)上部连接有设置了阀门(120)、用于导入清洗气体的吸气管线，在下部连接有设置了阀门a的预抽管线(200)。预抽管线(200)上设置有：排出处理室(100)内的气体的干式泵(220)、在阀门a和干式泵(220)之间监控颗粒的颗粒监控装置(210)。半导体制造装置(1000)通过打开阀门(120)，供给清洗气体，将冲击波所产生的物理性振动赋予处理室(100)内，使沉积物剥离，监控颗粒。

公开(公告)号：CN101082560A

公开(公告)日：2007-12-05

申请号：CN200710139134.1

申请日：2005-03-29

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 守屋刚 ,  中山博之

IPC: G01N15/00 ,  G01N15/02 ,  G01N15/06 ,  B08B9/08

Abstract: 提供一种可切实地监控包含易剥离的沉积物的颗粒，正确地评价真空装置的清洁度的颗粒监控用窗口部件。该颗粒监控用窗口部件，由在形成预定空间的框体和监控该框体内的颗粒的颗粒监控装置之间设置的透明基件制成，基件由透明的基座和在与该基座上的所述框体内的气体相对面的面上实施预定处理的表面处理层构成。

公开(公告)号：CN1314826C

公开(公告)日：2007-05-09

申请号：CN02810599.0

申请日：2002-05-17

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 长山将之 ,  中山博之 ,  三桥康至

IPC: C23C4/02 ,  C23C26/00 ,  H01L21/3065

CPC classification number: H01J37/32477 ,  C23C4/02

Abstract: 在利用等离子体蚀刻处理对被处理物进行微细加工的等离子体处理容器内配置的等离子体处理容器内部件，作为前处理，利用使用等离子体放电的阳极氧化处理在该处理容器内部件的基材(101)的表面形成氧化处理层(111)后，在该氧化处理层(111)之上，形成热喷涂层(121)。

公开(公告)号：CN1691288A

公开(公告)日：2005-11-02

申请号：CN200510067931.4

申请日：2005-04-28

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 守屋刚 ,  中山博之

IPC: H01L21/302

Abstract: 本发明提供一种不损伤基板，可以充分去除附着于基板的背面的异物的基板清洗装置。作为基板清洗装置的等离子体处理装置(1)备有：腔室(10)；配置于该腔室(10)内并载置晶片(W)的基座(11)；配置于该基座(11)，施加高电压的电极板(20)；给所述腔室(10)内排气的粗排放管线；在基座(11)和晶片(W)之间产生空间(S)的顶推销(30)；把N2气体供给到空间(S)的传热气体供给孔(27)，和向腔室10内导入处理气体等的浇淋头(33)，在生成空间S时，极性不同的高电压交互地施加于电极板(20)，N2气体向着晶片(W)的背面喷出到空间(S)，并且腔室(10)内被排气，进而在腔室(10)内被减压时，N2气体向腔室(10)导入。

公开(公告)号：CN1685465A

公开(公告)日：2005-10-19

申请号：CN03823244.8

申请日：2003-09-29

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 三枝秀仁 ,  高濑均 ,  三桥康至 ,  中山博之

IPC: H01J37/32

CPC classification number: H01J37/32477 ,  Y10S156/916

Abstract: 本发明提供用于包围等离子加工系统中加工空间的改进的沉积罩，其中沉积罩的设计和制造有利地在等离子加工空间中提供纯净的加工等离子，其对沉积罩具有基本最小的腐蚀。

公开(公告)号：CN1685464A

公开(公告)日：2005-10-19

申请号：CN03823245.6

申请日：2003-09-29

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 三枝秀仁 ,  高濑均 ,  三桥康至 ,  中山博之

IPC: H01J37/00 ,  H01J37/32

CPC classification number: H01J37/32009 ,  H01J37/3244 ,  H01J37/3255

Abstract: 本发明提供一种用于等离子加工系统的改进的上电极，其中，与上组件耦合的电极板的设计和制造可以在基本上对电极板造成最小腐蚀的条件下便利地提供加工气体的气体注入。

公开(公告)号：CN1682340A

公开(公告)日：2005-10-12

申请号：CN03822080.6

申请日：2003-09-29

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 西本伸也 ,  三桥康至 ,  三枝秀仁 ,  高濑均 ,  中山博之

IPC: H01J37/32

CPC classification number: H01L21/67069 ,  H01J37/32458 ,  H01J37/32495 ,  H01J37/32972

Abstract: 本发明提出了用于等离子体工艺系统的改进的光学窗口淀积屏蔽，光学窗口淀积屏蔽通过一个淀积屏蔽，用于等离子体工艺系统中的工艺空间的光学入口，其中光学窗口淀积屏蔽的设计和制作对工艺空间中的工艺等离子体方便地提供了一个光学清洁入口，而基本上保持最小地腐蚀光学窗口淀积屏蔽。