公开(公告)号：CN1779514A

公开(公告)日：2006-05-31

申请号：CN200510064359.6

申请日：2005-04-14

Applicant: 三洋电机株式会社

Inventor： 西川龙司 ,  小川隆司

IPC: G02F1/133 ,  G09F9/00 ,  H01L31/10 ,  H01L29/786

Abstract: 本发明提供一种光传感器及显示装置，以避免以往在显示装置具备光传感器将在另一工艺制造的另一模块组装于同一框体而无法谋求零件数目或成本的削减，显示装置的小型化及薄型化的问题。本发明乃以配设于绝缘基板上的TFT实现光传感器。检测在TFT的断开时因外光的入射而产生的光电流，而作为光传感器而利用。加大TFT的栅极宽W，以增加光电流的产生区域，实现感度佳的光传感器。而且，将光传感器配设于玻璃基板上的TFT，故可制作于与EL显示装置同一基板。

公开(公告)号：CN1642372A

公开(公告)日：2005-07-20

申请号：CN200510000245.5

申请日：2005-01-05

Applicant: 三洋电机株式会社

Inventor： 西川龙司 ,  小村哲司

IPC: H05B33/10 ,  H05B33/02 ,  B23K26/00

CPC classification number: B23K26/18 ,  B23K26/009 ,  B23K2101/40 ,  H01L27/3244 ,  H01L51/524 ,  H01L51/5259 ,  H01L51/56

Abstract: 本发明系提供一种显示板的制造方法及显示板，其目的为：在EL基板的端子部分亦进行玻璃熔接，而其特征为：隔以预定间隔与EL基板(10)相对向配置封装基板(12)。对于封装基板(12)作成不透明状。然后，EL基板(10)的端子部(16)的激光照射区域，系先以ITO等透明导体形成。藉此，透过EL基板(10)将激光照射至封装基板(12)的周边区域，并将该部分予以加热，可使玻璃隆起而予以熔接。

公开(公告)号：CN1203729C

公开(公告)日：2005-05-25

申请号：CN02125166.5

申请日：2002-06-28

Applicant: 三洋电机株式会社

Inventor： 山田努 ,  西川龙司 ,  大今进

IPC: H05B33/10 ,  C23C14/04

CPC classification number: H01L51/56 ,  C23C14/042 ,  C23C14/12 ,  H01L27/3244 ,  H01L51/001

Abstract: 本发明提供一种通过屏蔽形成电场发光组件时，可以将屏蔽与基板的定位予以较适合的方式的电场发光显示装置的制造方法。本发明的方法是将玻璃基板1的构成电场发光组件的形成蒸涂发光层面以垂直向下方式插入真空匣(chamber)内。且于该真空匣内配置屏蔽30。通过该屏蔽30开口部将上述发光层材料附着于玻璃基板1形成发光层。而于该玻璃基板1与屏蔽30的定位时，将玻璃基板1上面以静电吸着装置60予以支持。

公开(公告)号：CN1604330A

公开(公告)日：2005-04-06

申请号：CN200410078176.5

申请日：2004-09-17

Applicant: 三洋电机株式会社

Inventor： 西川龙司 ,  今尾和博 ,  胁田贤 ,  米田清

IPC: H01L27/08 ,  H01L27/15 ,  H01L21/82 ,  H05B33/12 ,  G02F1/136 ,  G09G3/00

CPC classification number: H01L27/1285 ,  H01L27/1296 ,  H01L29/78645 ,  H01L29/78675

Abstract: 本发明的课题为，通过以往的激光回火法使结晶化的多晶硅，因为移动度具备等向性，因此在像素内配置移动度不同的晶体管的情况下，必须使一边的晶体管的大小，相对于另一边的晶体管的大小还大许多。因此使晶体管所占的面积变大，而使开口率下降。本发明的解决手段为，采用于横向结晶的多晶硅来作为晶体管的半导体层，因为此多晶硅的移动度具备异向性，因此通过使一边的晶体管的导电方向与另一边的晶体管的导电方向不同，而可达到，即使采用同一层的半导体层，亦可获得具备不同移动度的晶体管。

公开(公告)号：CN1602121A

公开(公告)日：2005-03-30

申请号：CN200410078349.3

申请日：2004-09-23

Applicant: 三洋电机株式会社

Inventor： 松本昭一郎 ,  西川龙司

IPC: H05B33/00 ,  G09G3/30

CPC classification number: H01L27/3218 ,  H01L27/3216 ,  H01L27/3244 ,  H01L2251/5315

Abstract: 本发明提供一种有机电致发光显示装置，无须藉由TFT等形成区域的配置图形，即可以多样的图形配置发光区域，其特征为：将多个显示像素P的TFT形成区域PTr以条状配置在显示部10而形成。在该等TFT形成区域PTr上系配置有发光红色的有机电致发光组件11A的发光区域r1、发光绿色的有机电致发光组件11A的发光区域g1、或发光蓝色的有机电致发光组件11A的发光区域b1。在此，发光区域r1、g1、b1系跨越邻接的各TFT形成区域PTr而呈三角形配置。

公开(公告)号：CN1195392C

公开(公告)日：2005-03-30

申请号：CN02125168.1

申请日：2002-06-28

Applicant: 三洋电机株式会社

Inventor： 山田努 ,  西川龙司 ,  大今进

IPC: H05B33/10 ,  G09F9/30

CPC classification number: C23C14/042 ,  H01L27/32 ,  H01L51/001

Abstract: 本发明提供一种电场发光显示装置的制造方法，其于经由屏蔽形成电场发光组件之际，能更适于进行屏蔽与基板的对准，其中，玻璃基板(1)是将其蒸镀形成用以构成电场发光组件发光层的面朝垂直下方而插入真空蒸镀室内。该真空蒸镀室内设置有屏蔽(30)。透过该屏蔽(30)的开口部而使上述发光层的材料附着形成在玻璃基板(1)上，即可使发光层附着形成。在进行该玻璃基板(1)与屏蔽(30)对准之际，玻璃基板(1)的该四边由边支持构件(50)所支持。

公开(公告)号：CN1585584A

公开(公告)日：2005-02-23

申请号：CN200410071001.1

申请日：2004-07-26

Applicant: 三洋电机株式会社

Inventor： 棚濑健司 ,  西川龙司

IPC: H05B33/26 ,  H05B33/22 ,  H05B33/12 ,  H05B33/20 ,  C09K11/06

CPC classification number: H01L51/5234 ,  H01L51/0059 ,  H01L51/0078 ,  H01L51/0081 ,  H01L2251/5315

Abstract: 本发明提供一种电场发光组件及电场发光面板，可使电场发光组件的可靠性及发光特性提高，同时可提升生产性。其系将上部电极设为由蒸镀形成上部第一导电层(42)、缓冲层(46)，由溅镀形成上部第二导电层的叠层构造。如上述的缓冲层(46)系介装于第一及第二导电层之间，藉此可维持形成于上部电极(40)下层的发光组件层(30)的电子或电洞等的高电荷注入效率，并且可防止有机材料等相对于溅镀环境的耐性低的发光组件层(30)受到损伤，此外其覆盖性及均匀性良好，能以良好的生产性形成足够厚的导电层。缓冲层(46)亦可设为多层构造。

公开(公告)号：CN1535096A

公开(公告)日：2004-10-06

申请号：CN200410031608.7

申请日：2004-03-29

Applicant: 三洋电机株式会社

Inventor： 西川龙司

IPC: H05B33/28 ,  H05B33/22

CPC classification number: H01L51/5284 ,  H01L27/3244 ,  H01L51/5203

Abstract: 本发明提供一种发光组件及发光显示装置。其方案为：有机电场发光组件等发光组件，具备在光射出侧的透明电极构成的第一电极(20)、以及夹持着发光组件层(30)而与第一电极(20)对向形成于组件背面侧的第二电极(22)；将该第二电极(22)作为半透过性电极，在该第二电极(22)的再背面侧形成有光反射率低的反射防止层(46)。从组件外部的入射光透过透明电极，无反射地透过半透过性的第二电极(22)，由反射防止层(46)吸收，由此即可抑制外光被背面电极反射，而可提高对比度。

公开(公告)号：CN1525796A

公开(公告)日：2004-09-01

申请号：CN200410000976.5

申请日：2004-01-17

Applicant: 三洋电机株式会社

Inventor： 西川龙司 ,  前田和之

IPC: H05B33/02 ,  H05B33/12

CPC classification number: H01L27/3246 ,  H01L27/322

Abstract: 本发明提供一种电场发光显示装置，可尽量抑制因光的绕射所造成的白色光漏出、混色的情形，以防止RGB各色的色纯度降低。其中，于绝缘基板(100)上形成有用以驱动有机EL元件的TFT(101)，并且以覆盖该TFT(101)的方式形成第一平坦化绝缘膜(102)。彩色滤光层(103)系埋设于第一平坦化绝缘膜(102)中。阳极层(104)系连接于TFT(101)，同时延伸于第一平坦化绝缘膜(102)上，第二平坦化绝缘膜(105)系以覆盖阳极层(104)的端部的方式形成。此处的彩色滤光层(103)仅与第二平坦化绝缘膜(105)重叠预定距离A，该距离A系大于阳极层(104)的厚度与第一平坦化绝缘膜(102)的厚度的总和B。藉此，可使大部分从白色有机EL层(106)射出的光通过彩色滤光层(103)内。

公开(公告)号：CN1481203A

公开(公告)日：2004-03-10

申请号：CN03150328.4

申请日：2003-07-24

Applicant: 三洋电机株式会社

Inventor： 米田清 ,  西川龙司 ,  铃木浩司 ,  市川伸治

IPC: H05B33/14

CPC classification number: H01L27/3258 ,  H01L27/3246 ,  H01L51/5237 ,  H01L51/5262 ,  H01L51/5284

Abstract: 本发明提供一种有机电致发光显示装置，其主要目的在于减少光线在射出过程中的衰减。本发明的有机电致发光显示装置将有机电致发光元件的透明电极(30)下方的层间绝缘膜(20)与栅极绝缘膜(16)去除。由于这些膜是采用SiO2膜，而且此SiO2的折射率与其它膜相比较有很大的不同，所以在此会发生光线的衰减。通过将有机电致发光元件所发出的光线的通过部位的这些膜予以去除，可减少光线的衰减。