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公开(公告)号：CN114078882A
公开(公告)日：2022-02-22
申请号：CN202110908698.7
申请日：2021-08-09
Applicant: 三星显示有限公司
IPC: H01L27/12 , H01L27/32 , H01L29/786 , H01L21/77
Abstract: 提供了一种显示装置和制造该显示装置的方法。该显示装置包括：基底；第一晶体管，包括基底上的沟道、第一电极和第二电极以及与第一晶体管的沟道叠置的栅电极；第一层间绝缘层，在第一晶体管的第一电极和第二电极上；第二晶体管，包括设置在第一层间绝缘层上的沟道、第二晶体管的第一电极和第二电极以及与第二晶体管的沟道叠置的栅电极；第一连接电极，设置在第一层间绝缘层上，并且与第一晶体管的第一电极连接；栅极绝缘层，设置在第一层间绝缘层与第一连接电极之间；以及第二连接电极，将第一连接电极和第二晶体管的第一电极连接。
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公开(公告)号：CN114068628A
公开(公告)日：2022-02-18
申请号：CN202110589768.7
申请日：2021-05-28
Applicant: 三星显示有限公司
Abstract: 提供了显示装置和制造显示装置的方法。显示装置包括衬底、第一像素、第二像素、第一电线组和第二电线组。第一像素和第二像素与衬底重叠并且在第一方向上彼此邻近。第一电线组在第二方向上延伸，包括第一导线和第一传输线，并且可传送第一数据信号。第一导线定位在衬底与第一传输线之间，并且通过第一传输线连接到第一像素。第二电线组在第二方向上延伸，包括第二导线和第二传输线，并且可传送第二数据信号。第二导线定位在衬底与第二传输线之间，并且将第二传输线电连接到第二像素。
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公开(公告)号：CN113972231A
公开(公告)日：2022-01-25
申请号：CN202110743264.6
申请日：2021-07-01
Applicant: 三星显示有限公司
Abstract: 提供了一种显示装置及其制造方法。所述显示装置包括：基底；第一半导体层，设置在基底上，其中，第一半导体层包括沟道区和掺杂区；第一栅电极，设置为与第一半导体层的沟道区叠置；中间膜，设置在第一半导体层和第一栅电极上；以及第一电极，设置在中间膜上，其中，开口被限定为穿过中间膜以与第一半导体层的掺杂区叠置，第一半导体层的掺杂区和第一电极通过开口彼此接触，并且开口的与基底平行的剖面的面积在约49μm2至约81μm2的范围内。
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公开(公告)号：CN113782567A
公开(公告)日：2021-12-10
申请号：CN202110422889.2
申请日：2021-04-16
Applicant: 三星显示有限公司
IPC: H01L27/32
Abstract: 本发明涉及显示装置及其制造方法。该显示装置包括：基板，包括第一区和第二区；第一有源层，位于第一区上，并且包括第一沟道区、在第一沟道区的一侧的第一源区、在第一沟道区的另一侧的第一漏区以及在从第一源区到第二区的方向上延伸的第一延伸区；第一栅电极，位于第一有源层上方，并且与第一沟道区重叠；驱动电压线，位于第一有源层上，与第一源区重叠，并且沿着第一延伸区延伸；第一连接电极，位于第一漏区上；以及像素电极，位于第一栅电极上方，并且连接到第一连接电极。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN112771676A
公开(公告)日：2021-05-07
申请号：CN201980063011.5
申请日：2019-02-01
Applicant: 三星显示有限公司
Abstract: 显示装置包括：基体基底，包括第一子像素区域、第二子像素区域和第三子像素区域；第一薄膜晶体管至第三薄膜晶体管，布置在基体基底上并且分别包括第一有源图案至第三有源图案；第一像素电极至第三像素电极，分别电连接到第一薄膜晶体管至第三薄膜晶体管，并且分别设置在第一子像素区域至第三子像素区域中；蓝色发光层，设置在第一像素电极至第三像素电极上，并且发射蓝光；第一颜色转换图案，在发光层上设置在第一子像素区域中；第二颜色转换图案，在发光层上设置在第二子像素区域中；以及红色滤色器层，设置在发光层与第一有源图案至第三有源图案之间。
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公开(公告)号：CN112599561A
公开(公告)日：2021-04-02
申请号：CN202010979117.4
申请日：2020-09-17
Applicant: 三星显示有限公司
IPC: H01L27/32
Abstract: 公开了一种显示装置及其制造方法，该显示装置包括：基底；第一半导体图案；第一栅极绝缘膜，覆盖第一半导体图案；第一导电层和第二半导体图案，位于第一栅极绝缘膜上；第二栅极绝缘膜，位于第二半导体图案上；第三栅极绝缘膜，覆盖第一栅极绝缘膜和第二栅极绝缘膜；第二导电层，位于第三栅极绝缘膜上；层间绝缘膜，覆盖第二导电层；以及第三导电层，位于层间绝缘膜上，其中，第一半导体图案和第二半导体图案分别形成第一晶体管和第二晶体管的半导体层，其中，第一导电层包括第一晶体管的栅电极和电容器的第一电极，其中，第二导电层包括第二晶体管的栅电极和电容器的第二电极。
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公开(公告)号：CN112563306A
公开(公告)日：2021-03-26
申请号：CN202010972042.7
申请日：2020-09-16
Applicant: 三星显示有限公司
IPC: H01L27/32
Abstract: 本发明公开了显示设备。显示设备包括第一像素、第二像素、连接到第一像素的第一数据线以及连接到第二像素的第二数据线。第一像素和第二像素中的每个包括：晶体管，包括导电层、在导电层上的半导体层、在半导体层上的栅电极以及连接到半导体层的源/漏电极；电容器，包括与栅电极在同一层中的第一电容器电极和在第一电容器电极上的第二电容器电极；以及在晶体管和电容器上的发光器件。第一数据线与源/漏电极在同一层中，并且第二数据线与导电层和第二电容器电极中的一个在同一层中。
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公开(公告)号：CN112331674A
公开(公告)日：2021-02-05
申请号：CN202010668282.8
申请日：2020-07-13
Applicant: 三星显示有限公司
IPC: H01L27/12 , H01L27/32 , H01L29/786 , H01L21/77 , H01L21/336
Abstract: 提供了显示装置和显示装置的制造方法。显示装置包括连接到扫描线和与扫描线相交的数据线的像素，像素中的每个包括发光元件、以及配置成根据从数据线施加的数据电压来控制供给到发光元件的驱动电流的第一晶体管，第一晶体管包括第一有源层和第一氧化物层，其中，第一有源层具有氧化物半导体，第一氧化物层位于第一有源层上并且具有包含锡(Sn)的结晶氧化物。
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公开(公告)号：CN112242428A
公开(公告)日：2021-01-19
申请号：CN202010698674.9
申请日：2020-07-20
Applicant: 三星显示有限公司
IPC: H01L27/32
Abstract: 提供了一种显示装置。所述显示装置包括连接到扫描线和与扫描线相交的数据线的像素，其中，像素中的每个包括：发光元件；驱动晶体管，根据从数据线施加的数据电压来控制供应到发光元件的驱动电流；以及开关晶体管，根据从扫描线施加的扫描信号将数据线的数据电压施加到驱动晶体管。驱动晶体管包括具有氧化物半导体的第一有源层和在第一有源层下方的第一栅电极。开关晶体管包括具有与第一有源层的氧化物半导体相同的氧化物半导体的第二有源层和在第二有源层下方的第二栅电极。驱动晶体管和开关晶体管中的至少一个包括在有源层中的每个上方的氧化物层。
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