公开(公告)号：CN105977313A

公开(公告)日：2016-09-28

申请号：CN201610549720.2

申请日：2016-07-12

Applicant: 广东爱康太阳能科技有限公司

Inventor： 石强 ,  秦崇德 ,  方结彬 ,  黄玉平 ,  何达能 ,  陈刚

IPC: H01L31/0216 ,  H01L31/068 ,  H01L31/20

CPC classification number: Y02E10/50 ,  Y02P70/521 ,  H01L31/02168 ,  H01L31/068 ,  H01L31/202

Abstract: 本发明公开一种复合减反膜晶体硅太阳能电池的制备方法，属于太阳能电池技术领域，具体包括以下步骤：S1：制绒；S2：热扩散制备p‑n结；S3：去PSG；S4：氢化非晶硅层制备；S5：在非晶硅层上放置掩膜，掩膜图形将部分氢化非晶硅层遮盖，然后沉积氮化硅，形成多孔氮化硅层，所述氢化非晶硅层、多孔氮化硅层配合形成复合减反膜；S6：Ag背电极、Al背电场和Ag正电极的印刷和烧结。本发明利用非晶硅层优异的钝化效果和多孔氮化硅层的低反射率，及非晶硅层/多孔氮化硅层优异的光学匹配，使得太阳能电池的太阳光子利用率大大提高，载流子复合速率大大下降，从而大大提升电池的转换效率。

公开(公告)号：CN105957919A

公开(公告)日：2016-09-21

申请号：CN201610390399.8

申请日：2016-06-02

Applicant: 浙江晶科能源有限公司 ,  晶科能源有限公司

Inventor： 叶飞 ,  蒋方丹 ,  金浩

IPC: H01L31/18

CPC classification number: Y02P70/521 ,  H01L31/02168

Abstract: 本发明公开了一种黑硅电池的制造方法和装置，其中，制造方法包括：包括：步骤1，对经过P扩散的P型金刚线硅片的背面进行刻蚀，去除所述P型金刚线硅片上的PSG和边缘pn结；步骤2，对所述P型金刚线硅片进行氧化，所述P型金刚线硅片的四周的O2流过的浓度的低于中心区域的O2流过的浓度；步骤3，对所述P型金刚线硅片的正面PECVD沉积两层减反射膜。所述黑硅电池的制造方法以及装置，通过在氧化过程中使得金刚线硅片的中心处沉积的氧化层的厚度高于四周的厚度，在后续的PECVD沉积两层减反射膜中，两层减反射膜的四周的厚度大于中心区域的厚度，这样使得金刚线硅片的表面的膜厚均匀，颜色均匀，改善了P型金刚线硅片的品质。

公开(公告)号：CN105932075A

公开(公告)日：2016-09-07

申请号：CN201610311943.5

申请日：2016-05-12

Applicant: 南昌大学

Inventor： 黄海宾 ,  周浪 ,  高超 ,  岳之浩 ,  袁吉仁 ,  孙喜莲

IPC: H01L31/0216 ,  H01L31/0224 ,  H01L31/18

CPC classification number: Y02P70/521 ,  H01L31/02168 ,  H01L31/022441

Abstract: 一种背结晶硅异质结双面太阳电池及制备方法，其结构从迎光面开始依次为：迎光面栅线状电极、高透过率减反射薄膜、重掺杂晶体硅背场层、硅片、本征非晶硅基薄膜钝化层、重掺杂非晶硅薄膜发射极、透明导电薄膜层，背光面栅线状电极。首先硅片制绒清洗，然后依次制备重掺杂晶体硅背场层、高透过率减反射薄膜、迎光面栅线状电极；硅片的背光面再次清洗，再制备本征非晶硅基薄膜钝化层、重掺杂非晶硅薄膜发射极、透明导电薄膜层、背光面栅线状电极制备。相对于双面异质结HIT结构，本发明可增大太阳电池的短路电流，减少串联电阻，获得更高转换效率，减少了至少一半甚至全部ITO用量，减少了部分银用量，与现行晶体硅太阳电池产线技术兼容。

公开(公告)号：CN102804390B

公开(公告)日：2016-08-31

申请号：CN201080055989.6

申请日：2010-12-06

Applicant: PPG工业俄亥俄公司

Inventor： 陆松伟

IPC: H01L31/0224 ,  H01L31/0216 ,  H01L31/0392 ,  H01L31/18 ,  C03C17/245

CPC classification number: H01L31/02168 ,  C03C17/3417 ,  C03C2217/94 ,  H01L31/022466 ,  H01L31/03921 ,  H01L31/1884 ,  Y02E10/50

Abstract: 一种硅薄膜太阳能电池，包括基材和形成在所述基材至少一部分上的底涂层。所述底涂层包括含氧化锡或二氧化钛的第一层，和含Sn、P、Si、Ti、Al和Zr中至少两种的氧化物的混合物的第二层。导电涂层形成在第一涂层的至少一部分上，其中所述导电涂层包括Zn、Fe、Mn、Al、Ce、Sn、Sb、Hf、Zr、Ni、Zn、Bi、Ti、Co、Cr、Si或In、或两种或更多种这些材料的合金中的一种或多种的氧化物。

公开(公告)号：CN104246913B

公开(公告)日：2016-08-24

申请号：CN201380004731.7

申请日：2013-04-18

Applicant: LG化学株式会社

Inventor： 林振炯 ,  金秀珍 ,  章盛皓 ,  金起焕 ,  金忠完

IPC: H01B5/14 ,  H01B1/02 ,  H01B13/00 ,  H01L31/0224 ,  G06F3/041 ,  G06F3/044

CPC classification number: H05K1/0274 ,  C23C14/087 ,  G06F3/044 ,  G06F3/045 ,  G06F2203/04103 ,  H01B1/026 ,  H01L31/02168 ,  H01L31/022466 ,  H01L31/022491 ,  H01L51/442 ,  H05K3/10 ,  Y02E10/50 ,  Y10T428/24802 ,  Y10T428/24851

Abstract: 本发明提供：一种包括暗色图案的导电结构，所述导电结构包括基板、导电图案和CuOx(0

公开(公告)号：CN105870260A

公开(公告)日：2016-08-17

申请号：CN201610375797.2

申请日：2016-05-31

Applicant: 华东师范大学

Inventor： 韩霜霜 ,  李德增 ,  杨帆 ,  单永奎 ,  刘莉月

IPC: H01L31/18 ,  H01L31/0216

CPC classification number: Y02P70/521 ,  H01L31/1884 ,  H01L31/02168

Abstract: 本发明公开了一种减反结构与石墨烯复合透明导电薄膜的制备方法，涉及材料化学领域。具体通过在基底材料上制备具有纳米结构的减反射结构，并通过铜颗粒远程催化化学气相沉积方法直接在减反结构上可控生长高质量石墨烯，获得减反结构与石墨烯复合透明导电薄膜。通过此方法制备的新型复合透明导电薄膜，一方面保持了石墨烯本身的高导电性和高光学透过率、且化学性质稳定、柔韧好、导热性好、原料成本低等优势，另一方面通过与减反结构的复合，有效地减少太阳光在导电膜表面的反射损失，实现复合薄膜的高透光性和高导电性，制备的材料可用作太阳能电池窗口电极材料应用到光伏、导电等诸多领域。

公开(公告)号：CN103155163B

公开(公告)日：2016-08-03

申请号：CN201180035025.X

申请日：2011-07-12

Applicant: 信越化学工业株式会社

Inventor： 三田怜 ,  高桥光人 ,  桥上洋 ,  村上贵志 ,  月形信太郎 ,  渡部武纪 ,  大塚宽之

IPC: H01L31/0216 ,  H01L31/0224 ,  H01L31/068

CPC classification number: H01L31/02168 ,  H01L31/022425 ,  H01L31/068 ,  Y02E10/52 ,  Y02E10/547

Abstract: 一种太阳能电池的制造方法，其特征在于，对半导体基板，在电极形成工序之前实施退火工序。根据本发明，通过如上所述实施退火，能够不损害可靠性和外观，改善太阳能电池的电气特性。因此，可以广泛地利用于具有高电气特性和可靠性的太阳能电池的制造方法。

公开(公告)号：CN105810771A

公开(公告)日：2016-07-27

申请号：CN201610311944.X

申请日：2016-05-12

Applicant: 南昌大学

Inventor： 黄海宾 ,  周浪 ,  袁吉仁 ,  高超 ,  岳之浩 ,  孙喜莲

IPC: H01L31/0747 ,  H01L31/0224 ,  H01L31/0216 ,  H01L31/18

CPC classification number: Y02E10/50 ,  Y02P70/521 ,  H01L31/0747 ,  H01L31/02168 ,  H01L31/022425 ,  H01L31/1804

Abstract: 一种背结晶硅异质结双面太阳电池及制备方法，其结构从迎光面开始依次为：迎光面栅线状电极、高透过率减反射薄膜、重掺杂晶体硅背场层、硅片、本征非晶硅基薄膜钝化层、重掺杂非晶硅薄膜发射极、透明导电薄膜层，背光面栅线状电极。先进行硅片的制绒清洗，然后依次制备重掺杂晶体硅背场层、高透过率减反射薄膜、迎光面栅线状电极；硅片的背光面再次清洗，再制备本征非晶硅基薄膜钝化层、重掺杂非晶硅薄膜发射极、透明导电薄膜层、背光面栅线状电极制备。相对于双面异质结HIT结构，本发明可增大太阳电池的短路电流，获得更高转换效率，减少了至少一半甚至全部ITO用量，减少了部分银用量，与现行晶体硅太阳电池产线技术兼容，减少了设备成本。

公开(公告)号：CN105745764A

公开(公告)日：2016-07-06

申请号：CN201480062697.3

申请日：2014-09-16

Applicant: 特殊材料研究与技术有限公司(斯派克迈特)

Inventor： 格雷戈里·C·奈特 ,  霍里亚·M·福尔 ,  玛丽亚·福尔

IPC: H01L31/0236 ,  H01L31/0224

CPC classification number: H01L31/1868 ,  H01L31/02167 ,  H01L31/02168 ,  H01L31/068 ,  H01L31/1804 ,  Y02E10/547 ,  Y02P70/521

Abstract: 提供了一种通过使用结隔离和磷硅酸盐玻璃(PSG)/硼硅酸盐玻璃(BSG)蚀刻的现有工具经由室温湿化学生长(RTWCG)工艺来钝化半导体装置的方法。半导体装置的背侧处理在单一步骤中实现了钝化和结隔离，而正侧处理同时实现了钝化、PSG/BSG蚀刻、抗反射涂层以及电势诱发衰减(PID)减缓。随后通过将钝化形成方法集成到传统太阳能制造系统中来提供一种修改的太阳能制造方法。形成的太阳能电池包括具有正面和背面的半导体基板。正面涂覆有小于50nm厚的SiOx层，且SiNx层被沉积在该SiOx层上。在背面，涂覆有另一SiOx层。实验数据显示了高的效率以及太阳能电池减缓的PID。

公开(公告)号：CN103296093B

公开(公告)日：2016-06-22

申请号：CN201210519515.3

申请日：2012-12-06

Applicant: LG电子株式会社

Inventor： 李永贤 ,  南熺真 ,  秦胤实

IPC: H01L31/0224

CPC classification number: H01L31/0201 ,  H01L31/02168 ,  H01L31/022425 ,  H01L31/022433 ,  H01L31/048 ,  H01L31/186 ,  Y02E10/50 ,  Y02E10/547

Abstract: 太阳能电池及其制造方法。根据本发明的实施方式的太阳能电池包括：第一导电类型的基板；与所述第一导电类型相反的第二导电类型的发射极区，其被设置在所述基板处；减反射层，其包括暴露所述发射极区的第一开口以及暴露所述发射极区并且彼此分离的多个第二开口；第一电极，其被设置在通过所述第一开口暴露的所述发射极区的第一部分上，并连接至所述第一部分；第一总线条，其被设置在通过所述多个第二开口暴露的所述发射极区的第二部分上，并连接至所述第二部分和所述第一电极；以及第二电极，其被设置在所述基板上，并连接至所述基板。