公开(公告)号：CN100584742C

公开(公告)日：2010-01-27

申请号：CN200480024235.9

申请日：2004-08-18

Applicant: 独立行政法人科学技术振兴机构

Inventor： 前桥兼三 ,  井上恒一 ,  松本和彦 ,  大野恭秀

IPC: B82B3/00 ,  C01B21/064 ,  C01B31/02

CPC classification number: B82Y30/00 ,  B82Y40/00 ,  C01B32/162 ,  C01B2202/02 ,  Y10S977/901

Abstract: 在氧氛围下，向纳米级低维量子结构的混合物照射电磁波，有选择地使状态密度与照射的电磁波共振的低维量子结构氧化。这样可以从纳米级低维量子结构的混合物中，有选择地使特定结构的低维量子结构消失。

公开(公告)号：CN101506413A

公开(公告)日：2009-08-12

申请号：CN200680054465.9

申请日：2006-08-17

Applicant: 伊利诺伊大学评议会

Inventor： J·A·罗杰斯 ,  C·科卡伯斯 ,  M·沈 ,  S·J·姜 ,  J-U·朴

IPC: D01F9/12

CPC classification number: B82Y40/00 ,  B82Y10/00 ,  B82Y30/00 ,  C01B32/162 ,  C01B2202/02 ,  C01B2202/08 ,  C01B2202/34 ,  H01L51/0012 ,  H01L51/0048 ,  H01L51/0541 ,  H01L51/0545

Abstract: 本发明提供了具有指定位置、纳米管密度和取向的纵向排列碳纳米管阵列，以及使用导向生长和导向沉积方法制造纳米管阵列的对应方法。还提供了电子器件和器件阵列，包括一个或多个纵向排列碳纳米管阵列，包括多层纳米管阵列结构和器件。

公开(公告)号：CN100513307C

公开(公告)日：2009-07-15

申请号：CN200310102527.7

申请日：2003-10-22

Applicant: 丰田自动车株式会社

Inventor： 樱林靖哲 ,  近藤拓也 ,  山沢靖 ,  铃木良尚 ,  马克·蒙蒂乌 ,  美华子·勒·莱

IPC: C01B31/02 ,  B82B3/00 ,  B82B1/00 ,  B01J19/08

CPC classification number: B82Y30/00 ,  B82Y40/00 ,  C01B32/152 ,  C01B32/16 ,  C01B2202/02 ,  C01B2202/06 ,  C01B2202/34 ,  C01B2202/36 ,  Y10S977/844

Abstract: 提出一种方法，用于有效地制造多壁(双壁等)纳米碳管(CNT)，该多壁纳米碳管的结构为在CNT中形成内部管体。在这种制造方法中，制备富勒烯/CNT复合结构，其中由富勒烯相连而成的聚集富勒烯已被容纳在单壁CNT中。该内部管体通过复合结构在加热状态下经受电子束辐射而由聚集富勒烯所形成。优选的是电子束辐射发生在100～500℃的温度下并且电子束具有80～250kV的加速电压。根据本发明的制造方法，可以在比富勒烯/CNT复合结构仅仅保持在高温条件下(不进行电子束辐射)的情况更低的温度和更短的时间内制造出几乎没有缺陷的多壁CNT。

公开(公告)号：CN101462713A

公开(公告)日：2009-06-24

申请号：CN200710159924.6

申请日：2007-12-20

Applicant: 索尼株式会社

Inventor： 梶浦尚志 ,  李勇明 ,  李祥龙 ,  刘云圻 ,  曹灵超 ,  付磊 ,  魏大程 ,  王钰 ,  朱道本

IPC: C01B31/02 ,  B82B3/00

CPC classification number: B82Y30/00 ,  B82Y40/00 ,  C01B32/174 ,  C01B2202/02 ,  C01B2202/06 ,  C01B2202/28 ,  H01M4/9083 ,  Y10S977/845

Abstract: 本发明披露一种处理碳纳米管的方法，包括如下的步骤：将碳纳米管分散在分散介质中，制备分散体；将所述分散体与吸附剂混合，以使所述分散体中特定类型或特性的碳纳米管吸附在所述吸附剂上，其中所述吸附剂经化学/生物改性剂改性而对不同类型或特性的碳纳米管具有不同的选择吸附性；以及将吸附剂与分散体分离，由此使得吸附在所述吸附剂上的特定类型或特性的碳纳米管与富集在分散体中其它类型或特性的碳纳米管分离。本发明还披露了经该方法处理的碳纳米管以及碳纳米管器件。

公开(公告)号：CN101426589A

公开(公告)日：2009-05-06

申请号：CN200580021956.9

申请日：2005-05-09

Applicant: 艾考斯公司

Inventor： P·J·格拉特考斯基

IPC: B05D5/00 ,  B32B9/00

CPC classification number: H05K3/02 ,  B82Y10/00 ,  B82Y30/00 ,  B82Y40/00 ,  C01B32/168 ,  C01B2202/02 ,  C01B2202/04 ,  C01B2202/06 ,  H01B1/04 ,  H01B1/24 ,  H01L21/76823 ,  H01L21/76838 ,  H01L21/76892 ,  H01L31/022466 ,  H01L31/1884 ,  H01L51/0015 ,  H01L51/0017 ,  H01L51/0048 ,  H01L51/0049 ,  H05K3/105 ,  H05K2201/026 ,  H05K2201/0323 ,  H05K2203/1142 ,  Y02E10/50 ,  Y10T428/30

Abstract: 本发明涉及通过经由使用侧壁基团官能化而破坏涂覆的碳纳米管的导电性以修饰所述的碳纳米管(CNT)网络，将碳纳米管透明导电涂层/膜形成图案的方法。将得到的经历化学修饰的区域比那些没有改变的区域赋予更加导电或更不导电的。这导致了形成图案的膜，其中将所述图案成形而形成电极、像素、导线、天线或其它电子元件。另外，化学修饰的CNT的区域可以回复到它们初始的导电状态(即可逆的和可重复的)，或者被固定而产生永久图案。

公开(公告)号：CN101287678A

公开(公告)日：2008-10-15

申请号：CN200580011544.7

申请日：2005-03-11

Applicant: 威廉马歇莱思大学

Inventor： W·E·毕鲁普斯 ,  A·K·萨达纳 ,  梁枫 ,  R·H·霍格

IPC: C01B31/02

CPC classification number: B82Y40/00 ,  B82Y30/00 ,  C01B32/05 ,  C01B32/152 ,  C01B32/174 ,  C01B2202/02 ,  C01B2202/36 ,  C01P2002/82 ,  C01P2002/88 ,  C01P2004/03 ,  C01P2004/04 ,  C01P2004/13

Abstract: 本发明涉及碳纳米管官能化(衍生化)的新方法，作为延伸，本发明涉及富勒烯和其它碳表面。一般而言，这类方法涉及还原途径。在一些实施方式中，碳纳米管与碱金属和有机卤化物在无水液氨中反应。在其它实施方式中，通过碳纳米管与碱金属和单体物质在无水液氨中反应，使得聚合物从碳纳米管侧壁生长。

公开(公告)号：CN101200291A

公开(公告)日：2008-06-18

申请号：CN200710178428.5

申请日：2007-11-30

Applicant: 北京大学

Inventor： 张锦 ,  张永毅 ,  张依 ,  刘忠范

IPC: C01B31/02 ,  B82B3/00

CPC classification number: B82B3/00 ,  B82Y30/00 ,  B82Y40/00 ,  C01B32/172 ,  C01B32/18 ,  C01B2202/02 ,  C01B2202/22 ,  Y10S977/734 ,  Y10S977/845

Abstract: 本发明公开了去除单壁碳纳米管中金属性单壁碳纳米管制备半导体性单壁碳纳米管的方法，是将所述单壁碳纳米管置于一定强度的光下照射，即去除金属性单壁碳纳米管，得到所述半导体性单壁碳纳米管，其中，照射到碳纳米管样品表面、波长范围在180nm～11μm内的光的总强度为30mW/cm2～300mW/cm2。相对于已有的方法，本发明方法具有操作步骤简单易控且环保、去除金属性单壁碳纳米管的效果好、适用性广、成本低廉、并能保持碳管原貌等诸多优点，具有非常强的实用性和广阔的应用前景。

公开(公告)号：CN101166691A

公开(公告)日：2008-04-23

申请号：CN200680005062.5

申请日：2006-02-16

Applicant: 代顿大学

Inventor： L·戴 ,  K·M·李

IPC: C01B31/02

CPC classification number: B82Y30/00 ,  B82Y40/00 ,  C01B32/174 ,  C01B2202/02 ,  C01B2202/06 ,  C01B2202/08

Abstract: 描述了光化学法制备非对称末端官能化的碳纳米管的方法。还公开了非对称末端官能化的碳纳米管。

公开(公告)号：CN100368287C

公开(公告)日：2008-02-13

申请号：CN99812898.8

申请日：1999-09-17

Applicant: 威廉马歇莱思大学

Inventor： J·L·马格雷夫 ,  E·T·米克尔森 ,  R·海于格 ,  P·布尔 ,  C·B·赫夫曼 ,  J·刘 ,  R·E·斯莫利 ,  K·史密斯 ,  D·T·科尔伯特

IPC: C01B31/02

CPC classification number: B01J21/18 ,  B01J23/74 ,  B01J23/755 ,  B01J35/06 ,  B82Y30/00 ,  B82Y40/00 ,  C01B32/162 ,  C01B32/174 ,  C01B2202/02 ,  C01B2202/06 ,  C01B2202/08 ,  D01F11/121 ,  Y10S977/745 ,  Y10S977/75 ,  Y10S977/835 ,  Y10S977/843 ,  Y10S977/848 ,  Y10T428/139 ,  Y10T428/2918

Abstract: 本发明涉及制备碳质毫微管的化学衍生物和该衍生化毫微管的用途，包括制备阵列作为碳纤维合成的基础。在一个实施方案中，本发明还提供了制备毫微管侧壁上连接有取代基的单壁碳质毫微管的方法：将单壁碳质毫微管与氟气反应，回收用氟衍生化的碳质毫微管，然后将其与亲核体反应。一些氟取代基通过亲核取代反应被取代。如有必要，可以全部或部分除去剩下的氟，制得毫微管侧壁上连接有取代基的单壁碳质毫微管。这些取代基当然取决于亲核体，较佳的取代基包括烷基锂物质，如甲基锂。

公开(公告)号：CN100366528C

公开(公告)日：2008-02-06

申请号：CN00805107.0

申请日：2000-10-27

Applicant: 威廉马歇莱思大学

Inventor： R·E·斯莫利 ,  D·T·科尔伯特 ,  K·A·史密斯 ,  D·A·沃尔特斯 ,  M·J·卡萨万特 ,  C·B·霍夫曼 ,  B·I·雅各布松 ,  R·H·海于格 ,  R·K·塞尼 ,  江琬婷 ,  秦小川

IPC: C01B31/02

CPC classification number: B82Y40/00 ,  B82Y10/00 ,  B82Y30/00 ,  C01B32/168 ,  C01B2202/02 ,  C01B2202/08 ,  H01J2201/30469 ,  Y10S977/75 ,  Y10S977/845 ,  Y10S977/847 ,  Y10T156/10

Abstract: 本发明涉及产生内含经排列的毫微管段的宏观材料和物体。本发明需要排列悬浮在流体介质中的单壁碳质毫微管(SWNT)段，然后从悬浮体中沉积出这些排列的管段，形成SWNT的宏观有序集合体。本发明还涉及通过改变毫微管的环境和该过程之前和期间的环境史，来控制毫微管段自集合成有序结构体的自然倾向。称这些材料和物体是“宏观的”，是因为它们足够大到不借助显微镜就能看到，即具有这些物体的尺寸。这些宏观有序的SWNT材料和物体具有显著的SWNT在微观水平上所显示的物理、电学和化学性能，因为这些宏观材料和物体由毫微管组成，而各根毫微管沿相同方向排列且与距其最近的那些根毫微管接触。SWNT的有序集合体还可用作模板，用于生长更多更大的有序集合体。有序集合体还可用作后加工处理的基础，所述后加工处理能从内部改变集合体，从而明显地增强材料的所选性能，如剪切强度、拉伸强度、压缩强度、韧性、导电性和导热性。