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公开(公告)号：CN119716443A
公开(公告)日：2025-03-28
申请号：CN202411752059.6
申请日：2024-12-02
Applicant: 重庆大学 , 国网冀北电力有限公司电力科学研究院 , 国网冀北电力有限公司 , 国家电网有限公司
Abstract: 本发明涉及一种用于压接式功率器件温度与压力测量的超声探头与散热器集成装置及方法，属于半导体器件技术领域。该集成装置的水冷散热器与多芯片压接式功率器件的电极表面贴合，水冷散热器内开设有若干用于安装超声探头的探头凹槽，探头凹槽的分布方式根据压接式功率器件内部的芯片位置分布确定，超声探头安装于探头凹槽内时，超声探头的超声波发射和接收部位正对于压接式功率器件中对应的芯片，并且与压接式功率器件的电极表面贴合；本发明通过压接式功率器件的压力与反射系数之间的关系曲线和稳态结温波动与压力波动之间的关系曲线测定压接式功率器件的压力和稳态结温。本发明可以有效降低现有超声探头基座对压接式功率器件散热性能的影响。
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公开(公告)号：CN114429067B
公开(公告)日：2025-03-18
申请号：CN202210064302.X
申请日：2022-01-20
Applicant: 重庆大学
IPC: G06F30/23 , G06F30/15 , G06F113/18 , G06F119/04 , G06F119/08
Abstract: 本发明公开了一种基于多物理场机车用IGBT焊料层空洞演化机理分析方法，首先根据对机车用IGBT模块焊料层进行CT扫描，统计结果显示不同服役里程数的IGBT模块焊料层空洞数量均服从泊松分布，且泊松分布方差λ值与器件服役里程数具有映射关系；基于空洞分布规律建立了机车用IGBT多物理场仿真模型和焊料层上下表面的应变数学描述，研究了随机空洞的演化诱因及规律；最后基于能量的疲劳寿命模型验证了空洞尺寸与演化速率的关系。本发明基于不同服役里程数的焊料层CT扫描结果，统计获得焊料层空洞分布规律；利用该统计规律建立机车用IGBT多物理场仿真模型以及焊料层蠕变的应变数学描述，研究得到空洞的演化机理及规律，为指导器件优化设计和主动运维提供支撑。
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公开(公告)号：CN118837446A
公开(公告)日：2024-10-25
申请号：CN202410958011.4
申请日：2024-07-17
Applicant: 重庆大学
Abstract: 本发明涉及一种核主泵电机屏蔽套裂纹失效模式的超声表征方法，属于核电装备状态监测领域。首先，通过环形超声换能器阵列在核主泵电机屏蔽套上激发出单一模态的超声波，以及通过对换能器接收到的超声信号相位、时延、幅值、频率等特征进行映射，实现对核主泵电机屏蔽套裂纹早起失效位置及裂纹大小的量化表征。考虑到核主泵电机屏蔽套两端裸露在外，可在不拆机前提下在裸露部位外置超声换能器且电机内部的电‑磁‑热耦合多物理场不会影响超声波在屏蔽套中的传播，本发明具有可行性，为核主泵电机屏蔽套运行安全可靠奠定基础和技术支撑。
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公开(公告)号：CN112630596B
公开(公告)日：2024-06-11
申请号：CN202011481638.3
申请日：2020-12-15
Applicant: 重庆大学
Abstract: 本发明涉及一种风电变流器IGBT器件开路故障综合诊断方法，属于电子器件领域。该方法步骤：S1：分析机侧变流器IGBT开路故障对直流母线电压的影响；S2：根据机侧变流器IGBT开路故障前后直流母线电压的分布特性，实现基于累积和算法的故障直流母线电压在线诊断；S3：计算变流器输出电流归一化平均值与绝对平均值，分析不同开路故障类型的输出电流归一化绝对平均值特性设计故障识别阈值；S4：基于故障识别特征量与其阈值的比较，建立双馈风电机侧变流器IGBT开路故障定位的决策函数。本发明方法不仅能够实现双馈风电机侧变流器IGBT开路故障的在线诊断，而且能实现其故障的定位。
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公开(公告)号：CN118074215A
公开(公告)日：2024-05-24
申请号：CN202410169339.8
申请日：2024-02-06
Applicant: 重庆大学
Abstract: 本发明涉及电网故障下构网型变流器自适应虚拟阻抗的暂态稳定控制方法，属于新能源并网主动支撑技术领域。该方法包括：S1、建立构网变流器控制模型；S2、当电路故障时在功率控制环节后启动虚拟阻抗控制策略；S3、计算启动虚拟阻抗控制策略后的故障稳态电流及暂态电流峰值，判断电流是否超过电流阈值；若超过电流阈值则根据电流阈值约束调整虚拟阻抗控制参数；S4、计算启动虚拟阻抗控制策略后的功角平衡点的阻抗边界，判断系统是否暂态失稳；若处于暂态失稳，则根据暂态功角失稳约束调整虚拟阻抗控制参数；S5、判断系统是否满足全部约束，若不满足，则返回步骤S3；若满足，则结束。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN117767819A
公开(公告)日：2024-03-26
申请号：CN202311719898.3
申请日：2023-12-14
Applicant: 重庆大学
IPC: H02P21/14 , H02P21/20 , H02P21/22 , H02P21/24 , H02P25/022
Abstract: 本发明涉及一种双三相永磁同步电机低计算时间的模型预测控制方法，属于计算机应用技术领域。通过对伺服永磁电驱系统的电压基本矢量进行重新建模，并结合电驱系统的自由度约束，提出了一种平衡算力和全电流控制的方法。基于该方法，可以对电机转矩进行精准控制的同时实现谐波电流对指令的实时跟随。应用所提算法能够抑制谐波电流，提升电驱系统的运行效率。另一方面，若通过该算法向谐波平面注入谐波可辅助实现电机的参数辨识以及无位置传感等功能。
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公开(公告)号：CN117725752A
公开(公告)日：2024-03-19
申请号：CN202311804980.6
申请日：2023-12-26
Applicant: 重庆大学
Abstract: 本发明涉及一种核主泵屏蔽套失效模式的等效建模方法，属于核电装备领域，包括以下步骤：S1：建立计及定子支撑的屏蔽套失效演化模型；S2：建立屏蔽套鼓包失效的等效模型；S3：建立定子屏蔽套磨损失效模型；S4：建立定子屏蔽套破裂失效模型。本发明加入了电机物理场和变工况运行，使得本方面建立的等效模型更加全面且合理，相较于单独实验模拟，省去大量成本与耗材；相较于建立三维建模进行了降维处理，节省了计算资源，提高了仿真计算速度。
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公开(公告)号：CN117574772A
公开(公告)日：2024-02-20
申请号：CN202311611232.6
申请日：2023-11-29
Applicant: 重庆大学
IPC: G06F30/27 , G06F30/23 , G06N3/08 , G06F119/06 , G06F119/08
Abstract: 本发明公开了一种基于功率反馈的功率半导体器件数字孪生模型构建方法，该方法包括：获取功率半导体器件的测试数据及多物理场初始仿真结果；对多物理场初始仿真结果进行机器学习，得到多物理场扩展仿真结果；对多物理场扩展仿真结果进行降阶处理，确定功率半导体器件的初始数字孪生体模型；根据测试数据对初始孪生体模型的参数进行修正，得到功率半导体的目标数字孪生体模型。本发明通过不断改变有限元模型的边界条件，获得不同工况下的器件物理场数据，进而在构建数字孪生体时，用电流对应的功率损耗作为数字孪生模型的输入，即对数字孪生体与原有限元模型之间的输入参数进行了“错位”处理，提高了数字孪生模型的准确性。
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公开(公告)号：CN115684997A
公开(公告)日：2023-02-03
申请号：CN202211356605.5
申请日：2022-11-01
Applicant: 重庆大学
Abstract: 本发明涉及一种压接封装功率器件短路耐受能力测试及评估方法，属于电力电子器件技术领域。该方法包括：S1：搭建测试平台；S2：获取待测器件实际应用工况下电压等级、压力加载、环境温度与最大结温波动范围；S3：分别进行不同电压、压力、温度等级下压接封装器件短路耐受能力测试，实时监测器件短路电流、集射极电压和栅射极电压的变化，直至功率器件短路失效，对应获取电压与短路临界能量及临界温度的关系，压力与短路电流的关系，温度与短路电流的关系；S4：根据测试结果，得出待测压接封装器件短路耐受能力与电压、压力、温度的关系。本发明考虑了压接封装功率器件的特殊应用条件，提高了压接封装功率器件短路耐受能力测评的准确性。
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公开(公告)号：CN115172299A
公开(公告)日：2022-10-11
申请号：CN202210826747.7
申请日：2022-07-13
Applicant: 重庆大学
IPC: H01L23/367 , H01L21/50
Abstract: 本发明涉及一种提升压接型功率半导体器件短路耐受能力的封装结构及其制造方法，属于半导体封装技术领域。该结构包括功率半导体芯片、集电极钼片、发射极钼片、缓冲层、集电极电极和凸台，以及在功率半导体芯片有源区的边缘区域表面添加的高导热和高热容材料，具体包括聚合物型金属导电浆料、烧结后的烧结型金属导电浆料、通过电镀得到的金属层等。本发明通过高导热和高热容材料，能改善芯片有源区边缘瞬态散热能力，从而提升压接型功率半导体器件短路耐受能力的封装优化设计。
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