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公开(公告)号：CN109686798B
公开(公告)日：2021-02-02
申请号：CN201811579272.6
申请日：2018-12-24
Applicant: 电子科技大学
IPC: H01L31/032 , C30B19/02
Abstract: 一种应用于中远红外光电探测的磁性铁氧体/半金属Bi复合薄膜及其制备方法，属于光电探测技术领域。所述复合薄膜包括衬底，以及依次形成于衬底之上的磁性铁氧体薄膜层和Bi薄膜层。本发明提供的复合薄膜中，Bi半金属薄膜厚度的改变会导致复合薄膜红外光反射强度在中远红外波段呈现规律性变化，即Bi半金属薄膜厚度增加，复合薄膜的红外光反射强度减弱，光学吸收增强，光电效应增加，使得其在中远红外光电探测、光信息存储等多学科领域具有广泛的应用前景；同时，该复合薄膜在室温下就能实现对中远红外的光电探测，可广泛应用于红外光的探测、校对和识别。
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公开(公告)号：CN110031923B
公开(公告)日：2020-11-27
申请号：CN201910318273.3
申请日：2019-04-19
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 本发明提供一种可拉伸式双面超宽带太赫兹吸波材料及其制备方法，包括可拉伸粘合剂层，可拉伸粘合剂层的上方设有上层石墨烯泡沫层，可拉伸粘合剂层的下方设有下层石墨烯泡沫层，上、下两层石墨烯泡沫层形状及大小完全一致并错位堆叠，上层石墨烯泡沫层旋转20‑50°后得到下层石墨烯泡沫层；本发明的有益效果为：①可实现超宽带高吸收率，在0.2‑3.0THz超大频率范围内吸收率都在80％以上，且最大吸收率可达90％；②在可拉伸粘合剂层的作用下实现可拉伸性，在20％的一维拉伸量下对太赫兹波的吸收率基本不变，且拉伸具有可恢复性；③制作工艺简单，成本低。
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公开(公告)号：CN109814283B
公开(公告)日：2020-08-28
申请号：CN201910238081.1
申请日：2019-03-27
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 本发明提供一种低电压驱动的常开型太赫兹超表面调制器及制备方法，包括高阻硅衬底、埋栅电极、二氧化钒薄膜以及超表面层微结构，高阻硅衬底表面上侧依次是二氧化钒薄膜、超表面层微结构；二氧化钒薄膜包括正方形二氧化钒薄膜块和隔离二氧化钒薄膜，超表面层微结构由若干个金属结构单元周期性排列构成，每个金属结构单元为一个正方形金属块，每个正方形金属块中部设有一个H型槽，H型槽中间的横向段下方设有一个正方形二氧化钒薄膜块，每个正方形金属块的底部通过金属条相连，并最终与漏电极相连接。本器件可广泛应用于太赫兹波通信系统、太赫兹波探测、太赫兹波成像等领域。
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公开(公告)号：CN110124719A
公开(公告)日：2019-08-16
申请号：CN201910423596.9
申请日：2019-05-21
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 一种高结晶氮化碳光催化材料的制备方法及应用，属于半导体光催化材料技术领域。首先，将三聚氰胺置于马弗炉中进行煅烧，得到七嗪前驱体；然后，将七嗪前驱体、钾盐和锂盐研磨混合均匀，并置于马弗炉中进行煅烧，取出后，经清洗、干燥，得到晶化氮化碳；将得到的晶化氮化碳分散在盐酸中，持续搅拌，洗涤，干燥，即得所述高结晶氮化碳光催化材料。本发明将晶化氮化碳在盐酸水溶液中处理，使得到的氮化碳的结晶度大大增强，高结晶度的氮化碳在迁移光生载流子和抑制光生电子空穴对方面有很大的优势。同时，嵌入高结晶氮化碳中间层的钾离子也为光生电子的迁移作出了很大的贡献。得益于这两个特性，本发明高结晶氮化碳的光催化产氢活性大大增强。
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公开(公告)号：CN110031923A
公开(公告)日：2019-07-19
申请号：CN201910318273.3
申请日：2019-04-19
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 本发明提供一种可拉伸式双面超宽带太赫兹吸波材料及其制备方法，包括可拉伸粘合剂层，可拉伸粘合剂层的上方设有上层石墨烯泡沫层，可拉伸粘合剂层的下方设有下层石墨烯泡沫层，上、下两层石墨烯泡沫层形状及大小完全一致并错位堆叠，上层石墨烯泡沫层旋转20-50°后得到下层石墨烯泡沫层；本发明的有益效果为：①可实现超宽带高吸收率，在0.2-3.0THz超大频率范围内吸收率都在80％以上，且最大吸收率可达90％；②在可拉伸粘合剂层的作用下实现可拉伸性，在20％的一维拉伸量下对太赫兹波的吸收率基本不变，且拉伸具有可恢复性；③制作工艺简单，成本低。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN105506554B
公开(公告)日：2018-11-30
申请号：CN201511005884.0
申请日：2015-12-29
Applicant: 电子科技大学
IPC: C23C14/22 , C23C14/35 , C23C14/24 , H01L31/0216
Abstract: 一种可见光/红外波段纳米光学吸收涂层及其制备方法，属于材料技术领域。包括金属基板及生长于金属基板上的具有光电响应特性的半导体光学涂层薄膜，所述金属基板为可见光/红外高反射率金属基板，所述半导体光学涂层薄膜的厚度为10nm～180nm，采用磁控溅射法、热蒸发法或分子束外延法等真空物理气相沉积方式生长。本发明得到的半导体光学涂层薄膜厚度为10～180nm时截止波长即可覆盖400nm～1800nm的范围，其厚度远小于光学吸收波长的1/4；且具有制备工艺简单、超薄、易于大面积集成等优点，在光学镜片涂层、超薄光电探测器以及太阳能电池等领域有着广泛的应用前景。
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公开(公告)号：CN105506554A
公开(公告)日：2016-04-20
申请号：CN201511005884.0
申请日：2015-12-29
Applicant: 电子科技大学
IPC: C23C14/22 , C23C14/35 , C23C14/24 , H01L31/0216
CPC classification number: C23C14/22 , C23C14/24 , C23C14/35 , H01L31/0216 , H01L31/02168
Abstract: 一种可见光/红外波段纳米光学吸收涂层及其制备方法，属于材料技术领域。包括金属基板及生长于金属基板上的具有光电响应特性的半导体光学涂层薄膜，所述金属基板为可见光/红外高反射率金属基板，所述半导体光学涂层薄膜的厚度为10nm～180nm，采用磁控溅射法、热蒸发法或分子束外延法等真空物理气相沉积方式生长。本发明得到的半导体光学涂层薄膜厚度为10～180nm时截止波长即可覆盖400nm～1800nm的范围，其厚度远小于光学吸收波长的1/4；且具有制备工艺简单、超薄、易于大面积集成等优点，在光学镜片涂层、超薄光电探测器以及太阳能电池等领域有着广泛的应用前景。
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公开(公告)号：CN118388233A
公开(公告)日：2024-07-26
申请号：CN202410568606.9
申请日：2024-05-09
Applicant: 电子科技大学
IPC: C04B35/465 , C04B35/622
Abstract: 本发明属于电子信息功能材料及微电子器件领域，具体提供一种LTCC用Li2.12MgTi3O8基微波介质陶瓷材料及其制备方法，用以解决Li2.12MgTi3O8微波介质陶瓷因较高的烧结温度导致无法实现LTCC应用的问题。本发明首次提出在Li2.12MgTi3O8基微波介质陶瓷材料中添加具有低烧结温度的LiF作为烧结助剂，并科学界定其添加量为x wt％、0.75
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公开(公告)号：CN115498420B
公开(公告)日：2024-06-25
申请号：CN202210977545.2
申请日：2022-08-15
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 一种基于钛酸锶复合材料的太赫兹吸波器与制备方法，属于光电材料与器件技术领域。所述基于钛酸锶复合材料的太赫兹吸波器包括玻璃衬底，生长于玻璃衬底之上的ITO薄膜，位于ITO薄膜之上的介质超表面结构层；其中，介质超表面结构层由钛酸锶微粒和掺有金纳米颗粒的PDMS复合得到，钛酸锶微粒均匀分散于掺有金纳米颗粒的PDMS中，金纳米颗粒、钛酸锶微粒和PDMS的质量比为0.01：132：46。本发明采用钛酸锶微粒和掺有金纳米颗粒的PDMS的复合材料印刷得到介质超表面结构层，可通过控制钛酸锶微粒的体积比来调控复合材料的介电参数，得到的钛酸锶复合材料的介电常数实部和硅相当。
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公开(公告)号：CN118155973A
公开(公告)日：2024-06-07
申请号：CN202410205644.8
申请日：2024-02-26
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 本发明属于软磁复合材料技术领域，具体提供一种用于特高频电感的低磁介损耗软磁复合材料及其制备方法，用以解决现有软磁复合材料在特高频频段存在磁损耗和介电损耗高、饱和磁化强度低等问题。本发明中软磁复合材料包含组分：球形铁基纳米晶磁粉：96～99.5wt％，ZnO或B2O3氧化物：0.5～4wt％；ZnO或B2O3氧化物作为绝缘包覆材料。本发明使用ZnO或B2O3对球形铁基纳米晶磁粉进行绝缘包覆，并通过冷烧结工艺及退火处理获得致密软磁复合材料，具有较高的相对密度、较高的饱和磁化强度以及低的磁电损耗，并将磁导率截止频率提高至1.5～5GHz频段，满足特高频频段的应用需求。
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