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公开(公告)号：CN1321886C
公开(公告)日：2007-06-20
申请号：CN200510098719.4
申请日：2005-09-07
Applicant: 清华大学
Abstract: 本发明公开了属于纳米材料制备技术领域的一种利用喷镀贵金属膜控制碳纳米管三维图形化生长的方法。以金或银等贵金属为靶材，在洁净的硅基底上覆盖适当形状和层数的掩膜，在真空镀膜机内，喷镀贵金属膜层，随后将按上述过程处理的硅片置于石英真空管式炉中，利用二茂铁和二甲苯作为反应物，通过化学气相沉积法制备碳纳米管，控制生长时间，可在硅基底上获得三维图形化生长的碳纳米管阵列，该制备方法简单，容易控制，图形化效果好。此方法在制造纳米电子器件和场发射器等方面具有广泛的应用前景。
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公开(公告)号：CN1763243A
公开(公告)日：2006-04-26
申请号：CN200510098717.5
申请日：2005-09-07
Applicant: 清华大学
Abstract: 本发明公开了属于纳米材料制备技术领域的一种离子注入表面改性控制碳纳米管生长的方法。离子注入所用的粒子源为惰性气体。制备时，首先在洁净的硅基底上覆盖适当的掩膜，置于离子注入装置中，调节注入粒子种类、注入能量和注入粒子数后进行离子注入。随后将按上述过程处理的硅片置于石英真空管式炉中，利用二茂铁和二甲苯作为反应物，通过化学气相沉积法制备碳纳米管。此方法可在离子注入改性的硅基底上获得明显选择性生长的碳纳米管，改变硅基底的部分表面形态，达到控制碳纳米管二维分布生长的目的。此方法在制造纳米电子器件和场发射器等方面具有广泛的应用前景。
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公开(公告)号：CN1762829A
公开(公告)日：2006-04-26
申请号：CN200510098718.X
申请日：2005-09-07
Applicant: 清华大学
IPC: C01G31/02
Abstract: 本发明公开了属于功能材料制备技术范围的一种体心立方结构五氧化二钒纳米材料的制备方法。该方法是以钒片作为蒸发源，在真空中的直接蒸发方法，实现了在较低温度下直接生长单晶五氧化二钒纳米材料。克服了现有技术的缺陷，因此相比较之下具有很大的优势。该材料具有随着温度的变化，从室温到300℃的温度区间内，温度－电阻曲线在120℃附近存在拐点的特别的电学性能。其制备工艺操作简单，用时较短。因而在制备温度传感器、气体分子传感器等传感器件和在制备电学与光学开关方面具有广泛的应用前景。
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公开(公告)号：CN118527428A
公开(公告)日：2024-08-23
申请号：CN202410703922.2
申请日：2024-05-31
Applicant: 清华大学
IPC: B08B7/00
Abstract: 本发明提供一种微秒脉冲激光除锈的方法，其包括：在液氮的存在下，利用激光器在工件上的待处理锈层区域的表面引发液氮射流的步骤。本发明的方法利用液氮辅助激光除锈，可以高效除锈的同时有效减少气溶胶的产生和激光热影响区对基材的不良影响。进一步，本发明的去除过程中锈层不发生熔融，在液氮覆盖下基本不会产生对环境和操作人员造成危害的氧化物气溶胶。最后，本发明的方法对基材的热影响效果更加轻微，对基材的力学性能影响小。
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公开(公告)号：CN116990372A
公开(公告)日：2023-11-03
申请号：CN202210440957.2
申请日：2022-04-25
Applicant: 清华大学 , 歌尔微电子股份有限公司
IPC: G01N27/414 , G01N21/65
Abstract: 本公开提供了一种双通道的气体传感器，所述气体传感器包括：基片；金属纳米结构，形成于所述基片表面；二维材料层，形成于所述金属纳米结构上，作为导电沟道；以及电极，包括源电极和漏电极，分别形成于所述二维材料层的两端。本公开还提供了该气体传感器的制备方法及应用该气体传感器进行气体检测的方法。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN116990356A
公开(公告)日：2023-11-03
申请号：CN202210441098.9
申请日：2022-04-25
Applicant: 清华大学 , 歌尔微电子股份有限公司
Abstract: 本公开提供了一种氧化物功能化的石墨烯气体传感器，包括基片、石墨烯层和电极，其中所述石墨烯层形成于所述基片表面，所述电极包括源电极和漏电极，分别形成于所述石墨烯层的两端，所述气体传感器还包括：氧化物材料层，形成于所述石墨烯上。本公开还提供了该气体传感器的制备方法及应用该气体传感器进行气体检测的方法。
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公开(公告)号：CN116660237A
公开(公告)日：2023-08-29
申请号：CN202310402558.1
申请日：2023-04-14
Applicant: 清华大学 , 广西三环高科拉曼芯片技术有限公司
IPC: G01N21/65
Abstract: 本公开提供一种银基表面增强拉曼基片杂峰的消除方法，包括：将所述银基表面增强拉曼基片置于乙炔气氛中利用所述乙炔对所述银基表面增强拉曼基片进行修饰，包括：利用所述乙炔的还原性还原所述银基表面增强拉曼基片表面的银氧化物；以及利用银的催化作用催化所述乙炔在所述银基表面增强拉曼基片表面形成聚乙炔薄。该方法消除了吸附于银基片的杂质峰干扰，提高了银基SERS基片的灵敏度，解决了纳米银易氧化等问题，并且，该方法操作工艺简单，成本极低，易于推广及大规模生产。
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公开(公告)号：CN115236056A
公开(公告)日：2022-10-25
申请号：CN202210653493.3
申请日：2022-06-10
Applicant: 清华大学
IPC: G01N21/65
Abstract: 本发明提供一种增强状态下相对拉曼散射截面的吸附动力学测量方法，包括如下步骤：采用浸泡吸附的方式，测试不同分子的拉曼散射强度与浸泡吸附时间的关系，得到不同分子的拉曼特征峰强度与吸附时间的关系图并进行吸附动力学曲线拟合处理，得到不同分子在吸附满一个单层时的特征峰强度；选定一个分子作为参考分子，测量其在吸附满一个单层时的拉曼特征峰强度并作为参考值，通过将其他分子在满覆盖度下的拉曼特征峰强度与选定分子在满覆盖度下的拉曼特征峰强度进行比较，得到其他分子与选定分子间的相对拉曼散射截面数值。利用本发明能够解决目前表面增强拉曼散射光谱定量分析技术中缺少一种通用性半定量和定量分析方法的问题。
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公开(公告)号：CN107449768B
公开(公告)日：2020-07-24
申请号：CN201710596278.3
申请日：2017-07-20
Applicant: 清华大学
IPC: G01N21/65
Abstract: 一种银和氧化硅互镶嵌的表面增强拉曼基底及其制备方法,属于痕量物质检测技术领域。所述表面增强拉曼基底由纳米棒阵列组成，该纳米棒阵列中的银以纳米级的颗粒形式存在，非晶的氧化硅层均匀地包覆在银颗粒表面，形成银和氧化硅互镶嵌的结构。其制备方法是采用双电子束蒸镀系统，利用倾斜生长方法，在基片上同时沉积银和氧化硅，得到银和氧化硅互镶嵌的纳米棒阵列的表面增强拉曼基底。本发明能够实现在空气中长期存放且SERS活性损失较少；同时可显著改善基底在高温时的结构稳定性；在保持了SERS基底活性的前提下，一定程度地节约成本，并利于规模化使用。
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公开(公告)号：CN109668870B
公开(公告)日：2020-07-17
申请号：CN201910069810.5
申请日：2019-01-24
Applicant: 清华大学
IPC: G01N21/65
Abstract: 本发明公开了一种基于表面增强拉曼检测溶液中铜离子浓度的方法。该方法采用卟啉修饰的表面增强拉曼基底来检测溶液中铜离子浓度；包括：卟啉修饰表面增强拉曼基底，浸泡在待测溶液中，根据浸泡前后基底检测的特征拉曼峰峰强和峰位是否发生变化，判断待测溶液是否存在铜离子；卟啉修饰后基底吸附不同浓度铜离子样品，吸附前后的基底分别进行拉曼测试、主成分分析，得到主成分得分值；以卟啉探针得分值与铜离子样品的得分值的差值与铜离子的浓度作图并拟合，获得标准曲线，对铜离子浓度进行定量分析。该方法不仅具备较高的检测灵敏度、较快速的检测时间以及较好的选择性，还能够满足于现场测试的要求。
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