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公开(公告)号：CN1762829A
公开(公告)日：2006-04-26
申请号：CN200510098718.X
申请日：2005-09-07
Applicant: 清华大学
IPC: C01G31/02
Abstract: 本发明公开了属于功能材料制备技术范围的一种体心立方结构五氧化二钒纳米材料的制备方法。该方法是以钒片作为蒸发源，在真空中的直接蒸发方法，实现了在较低温度下直接生长单晶五氧化二钒纳米材料。克服了现有技术的缺陷，因此相比较之下具有很大的优势。该材料具有随着温度的变化，从室温到300℃的温度区间内，温度－电阻曲线在120℃附近存在拐点的特别的电学性能。其制备工艺操作简单，用时较短。因而在制备温度传感器、气体分子传感器等传感器件和在制备电学与光学开关方面具有广泛的应用前景。
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