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公开(公告)号：CN211209670U
公开(公告)日：2020-08-07
申请号：CN202020365262.9
申请日：2020-03-20
Applicant: 桂林电子科技大学
Abstract: 本实用新型公开一种适用于人体脉搏信号的模拟前端电路，包括电容C1、C’1、C2、C’2、CL和C’L，伪电阻Rpseudo和R’pseudo，以及跨导放大器。其中伪电阻包括PMOS管M15、M16、M19和M20，以及NMOS管M17、M18和Mc。本实用新型的模拟前端电路能够实现极低的低频截止点，并且减少了芯片整体面积，降低了芯片流片的成本，有利于提高集成度，符合生物医疗便携设备的体积小、功耗低的要求。此外，本实用新型的伪电阻结构，其阻值最大能达到GΩ，与现有的伪电阻结构相比，改善了伪电阻的线性度，提高了集成度，总的谐波失真小于1％。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利
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公开(公告)号：CN206696736U
公开(公告)日：2017-12-01
申请号：CN201720414674.5
申请日：2017-04-19
Applicant: 桂林电子科技大学
IPC: G05F1/567
Abstract: 本实用新型公开一种全共栅共源基准电压源，包括并接于电源VDD与地之间的启动电路、基准电流源电路和温度补偿电路；启动电路、基准电流源电路和温度补偿电路依次连接；启动电路输出端与基准电流源电路连接，用于电源上电时提供启动电流，使基准电压源摆脱简并偏置点；基准电流源电路的输出端与温度补偿电路连接，利用共源共栅电流镜提高电源电压抑制比和电压调整率，用于产生基准电流；温度补偿电路，用于产生低温漂的基准电压，采用共源共栅电流镜，从基准电流源电路中复制电流，温度补偿电路输出电压即为该基准电压源输出电压Vref。本实用新型为超低功耗全cascode基准电压源，更好的抑制电源噪声。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利
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公开(公告)号：CN205647445U
公开(公告)日：2016-10-12
申请号：CN201620433337.6
申请日：2016-05-12
Applicant: 桂林电子科技大学
Abstract: 本实用新型提供一种具有频段切换功能的低噪声放大器，属于集成电路设计领域，采用并联两支路来增加版图中联线的宽度的同时，在两支路之间引入电容，从而实现不同频段之间匹配的切换。在两支路中分别引入开关控制的电容，从而实现工作频率点的切换。现有多频段低噪声放大器每个频段都需要输入匹配和输出匹配各一个，而每个匹配都需要单独的电感和电容，这样在设计上就增加了芯片面积的成本，本方案可以有效的降低芯片面积。本实用新型由于采用切换电容的方法来切换频段，因此在保持较性能的同时大大降低了面积，同时输入输出匹配方法也大大降低了面积。
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公开(公告)号：CN216718999U
公开(公告)日：2022-06-10
申请号：CN202220053873.9
申请日：2022-01-10
Applicant: 桂林电子科技大学
IPC: G05F1/56
Abstract: 本实用新型公开一种低纹波无片外电容数字LDO电路，通过控制模块、三选一选择器、进退位控制模块以及S、M与L三种尺寸MOS管阵列构成三环结构的无片外电容数字LDO，并引入前馈最小LCO维持模块。该数字LDO拥有优秀的带负载能力，较低的输出电压纹波，在几十MHz的时钟频率下就可以实现快速的负载调节，在很大程度上缓解了瞬态响应性能和功耗之间的制约关系；此外，由于三环结构的可以实现多种调节模式的优势，和前馈最小LCO维持模块能减少稳态下循环工作MOS管数目的作用，本专利电路仅需要几pF的片上电容，使得一种三环快速调节结构的低纹波无片外电容数字LDO电路得以实现。
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公开(公告)号：CN214707654U
公开(公告)日：2021-11-12
申请号：CN202121030791.4
申请日：2021-05-14
Applicant: 桂林电子科技大学
IPC: H03F1/26
Abstract: 本实用新型公开了一种CMOS超宽带低噪声放大器，包括输入级互补共源电路、中间级共源负反馈电路和输出级共源buffer电路。本实用新型创新性地在互补共源级基础上引入电阻反馈，电感峰化技术、源极退化电感技术和伪电阻结构，同时结合共源负反馈电路，共源buffer电路和电流复用技术，使得整体电路具有宽带宽的同时、达到良好的增益、噪声系数和功耗等指标。本实用新型能够工作在0.15～11GHz频带内，覆盖了5G中低频段范围(450MHz～6GHz)以及IMT业务在6GHz候选频段(5925～7125MHz)范围，同时也兼容UWB标准频段(3.1～10.6GHz)。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN212303859U
公开(公告)日：2021-01-05
申请号：CN202021391844.0
申请日：2020-07-15
Applicant: 桂林电子科技大学
IPC: H01P1/212
Abstract: 本实用新型公开一种高性能多模双宽带滤波器，由介质基板、覆于介质基板的下表面的接地层、以及覆于介质基板的上表面的滤波层组成。滤波层主要由输入微带、输出微带和多模谐振器组成；多模谐振器整体呈左右对称结构，并由阶跃阻抗线、2个连接枝节、2个开路枝节、2个短路枝节和3个接地孔组成。本实用新型使用了阶跃阻抗线与开路枝节、短路枝节相结合，使得整体多模谐振器的谐振模式变得更加丰富，有利于形成多个通带。本实用新型具有设计灵活，结构多样，变通性大，易于集成的特点，适合在低损耗因子的介质基板上制作。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利
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公开(公告)号：CN211791271U
公开(公告)日：2020-10-27
申请号：CN202020255927.0
申请日：2020-03-03
Applicant: 桂林电子科技大学
Abstract: 本实用新型为一种自供电具有最大功率追踪双输入双输出能量收集电路，包括DC-DC升压电路、AC-DC整流倍压电路、双输出自供电电路、以及开关控制模块。对于设计的双源输入电路，对直流源电路能够实时追踪其功率输出的最大功率点，极大地提高了能量的提取效率。在交流能量源输入的回路中，采用倍压整流结构，电路无需电源进行供电。整个整流升压转换电路可以看作是两个整流转换电路的并联，一个是高效的有源变换器和一个低效率的无源变换器，后者只是在启动时工作。采用倍压结构不仅有效的提高了整流电路的效率，并且可以使得整体电路能够在更低的输入电压下启动。双源输入输出自供电有效的提高了电路的适用性。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利
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公开(公告)号：CN205792494U
公开(公告)日：2016-12-07
申请号：CN201620523513.5
申请日：2016-06-01
Applicant: 桂林电子科技大学
IPC: H03K5/22
Abstract: 本实用新型公开一种正反馈隔离动态锁存比较器，包括交叉耦合输入单元、输入复位单元、CMOS隔离开关单元、交叉耦合锁存结构单元、锁存复位单元、输出整形单元和正反馈单元。交叉耦合输入将输入电压信号转换成电流，交叉耦合锁存结构和锁存复位完成比较功能；CMOS隔离开关将交叉耦合输入和交叉耦合锁存结构在复位阶段隔离，降低踢回噪声的影响；输入复位在复位阶段将交叉耦合输入的输出端复位；正反馈由输出整形的输出控制，在比较阶段增大放电电流；CLK和NCLK为两相不交叠时钟，为整个动态锁存比较器提供时序。本实用新型能够显著提高动态锁存比较器的速度和精度，并使得功耗有所改善。
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公开(公告)号：CN205749960U
公开(公告)日：2016-11-30
申请号：CN201620380802.4
申请日：2016-04-29
Applicant: 桂林电子科技大学
IPC: G02B5/00
Abstract: 本实用新型提供一种金属孔阵列结构的等离激元光纤传感器，属于微纳光电子领域，包括金属膜，金属膜上均匀排列设置有N个单位孔阵列结构，其中，每个单位孔阵列结构的中心设置有一个纳米狭缝；纳米狭缝包括一个大圆孔和两个小圆孔；大圆孔与小圆孔相连接，大圆孔和两个小圆孔的圆心在同一条直线上，两个小圆孔对称设置于大圆孔的两边；纳米狭缝贯通于金属膜的上下表面；纳米狭缝内部填充有介质层；解决现有等离激元光纤传感器透射率不高的问题。
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公开(公告)号：CN205139317U
公开(公告)日：2016-04-06
申请号：CN201520941439.4
申请日：2015-11-24
Applicant: 桂林电子科技大学
Abstract: 本实用新型公开一种探测高温超导约瑟夫森结器件电磁辐射的装置，包括波导管、屏蔽筒、不锈钢圆筒、充有液氮的杜瓦瓶、喇叭天线、平面反射镜和用于放置高温超导约瑟夫森结器件的样品台；所述杜瓦瓶的瓶口上盖有一上面板，不锈钢圆筒嵌套于杜瓦瓶内，屏蔽筒则套在不锈钢圆筒外；所述喇叭天线置于不锈钢圆筒内，在喇叭天线内开有一小孔，波导管的下端与该小孔紧密相连，且波导管的上端穿过上面板伸出杜瓦瓶外；所述样品台设置于不锈钢圆筒内并位于喇叭天线下方，所述平面反射镜则设置于不锈钢圆筒内并位于样品台下方。本实用新型的喇叭天线能够有效汇聚结器件辐射的电磁波，有利于提高约瑟夫森结器件辐射电磁波的功率。
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