公开(公告)号：CN108473334B

公开(公告)日：2021-03-12

申请号：CN201680077344.X

申请日：2016-12-21

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 保坂泰靖 ,  生内俊光 ,  岛行德 ,  神长正美 ,  黑崎大辅 ,  羽持贵士 ,  肥塚纯一 ,  冈崎健一 ,  山崎舜平

IPC: C01G15/00 ,  C23C14/08 ,  H01L21/8242 ,  H01L27/108 ,  H01L29/786

Abstract: 金属氧化物膜包含铟、M(M是Al、Ga、Y或Sn)及锌，且包括在垂直于膜表面的方向上通过X射线衍射观察到具有起因于结晶结构的衍射强度的峰值的区域。此外，在垂直于膜表面的方向上在透射电子显微镜图像中观察到多个结晶部。该结晶部以外的区域的比率为20％以上且60％以下。

公开(公告)号：CN112233982A

公开(公告)日：2021-01-15

申请号：CN202011128239.9

申请日：2015-02-17

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 山崎舜平 ,  肥塚纯一 ,  神长正美 ,  黑崎大辅

IPC: H01L21/336 ,  H01L29/786

Abstract: 本公开涉及半导体装置的制造方法。提供一种具有晶体管的半导体装置。该晶体管包括栅电极、栅电极上的第一绝缘膜、第一绝缘膜上的第二绝缘膜、第二绝缘膜上的氧化物半导体膜、与氧化物半导体膜电连接的源电极和漏电极、源电极上的第三绝缘膜以及漏电极上的第四绝缘膜。在晶体管上设置有包括氧的第五绝缘膜。第三绝缘膜包括第一部分，第四绝缘膜包括第二部分，第五绝缘膜包括第三部分。在利用热脱附谱分析法测量时，第一部分和从第二部分释放的氧分子的量少于从第三部分释放的氧分子的量。

公开(公告)号：CN111480217A

公开(公告)日：2020-07-31

申请号：CN201880080451.7

申请日：2018-12-12

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 肥冢纯一 ,  神长正美 ,  岛行德

IPC: H01L21/336 ,  H01L29/786

Abstract: 提供一种电特性良好的半导体装置。提供一种电特性稳定的半导体装置。以与包含呈现半导体特性的金属氧化物的半导体层的底面接触的方式设置包含氧化物的岛状绝缘层。包含氧化物的绝缘层以与成为半导体层的沟道形成区域的部分接触的方式设置，且不设置在成为低电阻区域的部分中。

公开(公告)号：CN111033757A

公开(公告)日：2020-04-17

申请号：CN201880056474.4

申请日：2018-08-22

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 神长正美 ,  黑崎大辅 ,  大野正胜 ,  肥塚纯一

IPC: H01L29/786 ,  G02F1/1368 ,  G09F9/30 ,  H01L21/336 ,  H01L27/32 ,  H01L51/50

Abstract: 提供一种可靠性高的半导体装置。在该半导体装置中，第二绝缘层位于第一绝缘层上，半导体层位于第一绝缘层与第二绝缘层之间，第三绝缘层位于第二绝缘层上，第四绝缘层位于第三绝缘层上，第一导电层包括与半导体层重叠的区域且位于第三绝缘层与第四绝缘层之间，第三绝缘层包括与第一导电层的底面接触的区域和与第四绝缘层接触的区域，第四绝缘层接触于第一导电层的顶面及侧面，第五绝缘层接触于半导体层的顶面及侧面，第五绝缘层在与半导体层重叠且不与第一导电层重叠的区域中包括第一开口及第二开口，第二导电层在第一开口中与半导体层电连接，第三导电层在第二开口中与半导体层电连接，第三绝缘层、第四绝缘层及第五绝缘层包含金属和氧或氮，第六绝缘层包括接触于第五绝缘层的顶面及侧面的区域及接触于第一绝缘层的区域。

公开(公告)号：CN105849796B

公开(公告)日：2020-02-07

申请号：CN201480069840.1

申请日：2014-12-17

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 三宅博之 ,  肥塚纯一 ,  神长正美 ,  岛行德 ,  山崎舜平

IPC: G09G3/30 ,  G09G3/20 ,  H01L51/50

Abstract: 提供一种能够抑制像素之间的亮度的不均匀的发光装置。发光装置包括像素、第一电路及第二电路。第一电路具有生成包含从像素取出的电流值的信号的功能，第二电路具有根据信号校正图像信号的功能。像素至少包括至少一个发光元件、第一晶体管及第二晶体管。第一晶体管具有根据图像信号控制对发光元件的电流供应的功能。第二晶体管具有控制从像素取出电流的功能。第一晶体管及第二晶体管的每一个的半导体膜包括：与栅极重叠的第一半导体区域；与源极或漏极接触的第二半导体区域；以及第一半导体区域和第二半导体区域之间的第三半导体区域。

公开(公告)号：CN108780617A

公开(公告)日：2018-11-09

申请号：CN201780014086.5

申请日：2017-03-09

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 神保安弘 ,  横山浩平 ,  玉造祐树 ,  后藤尚人 ,  神长正美 ,  土桥正佳 ,  中田昌孝 ,  千田章裕 ,  千田尚之

IPC: G09F9/30 ,  H01L27/32 ,  H01L51/50 ,  H05B33/12 ,  H05B33/14 ,  H05B33/22

CPC classification number: H01L27/3258 ,  H01L51/5253 ,  H01L2251/301 ,  H01L2251/5338

Abstract: 提供一种高成品率的显示装置及/或相邻像素之间的混色得到抑制的显示装置。一种显示装置，包括第一像素电极、第二像素电极、第一绝缘层、第二绝缘层以及粘合层。第一绝缘层具有第一开口，第二绝缘层具有第二开口，第一开口及第二开口形成在第一像素电极与第二像素电极之间，在俯视图中第二开口的外周位于比第一开口的外周更靠内侧的位置，并且粘合层具有在第二绝缘层下与第二绝缘层重叠的区域。

公开(公告)号：CN105814692A

公开(公告)日：2016-07-27

申请号：CN201480066226.X

申请日：2014-11-25

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 肥塚纯一 ,  岛行德 ,  神长正美 ,  羽持贵士 ,  日向野聪 ,  山崎舜平

IPC: H01L29/786 ,  G02F1/1368 ,  H01L21/28 ,  H01L21/3205 ,  H01L21/768 ,  H01L23/532 ,  H01L51/50 ,  H05B33/14

CPC classification number: H01L29/7869 ,  G02F1/136286 ,  G02F1/1368 ,  G02F2001/13629 ,  G02F2001/136295 ,  H01L23/53233 ,  H01L27/1225 ,  H01L27/124 ,  H01L29/41733 ,  H01L29/42384 ,  H01L29/45 ,  H01L29/4908 ,  H01L29/4966 ,  H01L29/786 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 提供一种包括晶体管和用于布线、信号线等的含有Cu的金属膜的新颖半导体装置。该半导体装置包括：第一布线、第二布线、第一晶体管和第二晶体管。第一布线电连接到第一晶体管的源极或漏极，第二布线电连接到第二晶体管的栅极。第一布线和第二布线每一都包括Cu?X合金膜(X是Mn、Ni、Cr、Fe、Co、Mo、Ta或Ti)。第一布线中的Cu?X合金膜被连接到第二布线中的Cu?X合金膜。

公开(公告)号：CN105793994A

公开(公告)日：2016-07-20

申请号：CN201480064849.3

申请日：2014-11-19

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 山崎舜平 ,  肥塚纯一 ,  岛行德 ,  神长正美 ,  羽持贵士 ,  日向野聪 ,  保坂泰靖 ,  生内俊光

IPC: H01L29/786 ,  G02F1/1368 ,  H01L21/28 ,  H01L51/50 ,  H05B33/14

CPC classification number: H01L27/1255 ,  H01L28/20 ,  H01L28/24 ,  H01L28/60 ,  H01L29/45 ,  H01L29/7869 ,  H01L29/78693

Abstract: 本发明的一个方式提供一种新颖半导体装置，其中在包括氧化物半导体膜的晶体管中将含铜(Cu)的金属膜用于布线或信号线等。该半导体装置包括绝缘表面上的具有导电性的氧化物半导体膜以及接触于具有导电性的氧化物半导体膜的导电膜。该导电膜包括Cu?X合金膜(X为Mn、Ni、Cr、Fe、Co、Mo、Ta或Ti)。

公开(公告)号：CN119678670A

公开(公告)日：2025-03-21

申请号：CN202380058213.7

申请日：2023-07-27

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 神长正美 ,  中田昌孝 ,  岛行德 ,  土桥正佳 ,  肥冢纯一 ,  黑崎大辅

IPC: H10D30/67 ,  H10D30/01 ,  H10D84/01 ,  H10D84/83 ,  G09F9/30 ,  H05B33/02 ,  H10K50/10 ,  H10K59/00

Abstract: 提供一种同时实现低功耗和高性能的半导体装置。半导体装置包括第一晶体管、第二晶体管及第一绝缘层。第一晶体管包括第一至第三导电层、第一半导体层及第二绝缘层。第一绝缘层夹在第一导电层和第二导电层之间。第一绝缘层及第二导电层具有到达第一导电层的开口。第一半导体层在开口中与第一导电层的顶面、第一绝缘层的侧面及第二导电层的侧面接触。第一半导体层具有隔着第二绝缘层与第三导电层重叠的区域。第二晶体管包括第二半导体层、第二及第三绝缘层以及第四导电层。第二半导体层的端部与第三绝缘层的端部一致或大致一致。第二半导体层具有隔着第二绝缘层及第三绝缘层与第四导电层重叠的区域。

公开(公告)号：CN119153515A

公开(公告)日：2024-12-17

申请号：CN202410711387.5

申请日：2024-06-04

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 神长正美 ,  土桥正佳 ,  肥冢纯一

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/423 ,  H01L29/417 ,  H01L21/28 ,  H01L21/336

Abstract: 本公开涉及半导体装置及半导体装置的制造方法。提供一种同时实现微型化及高可靠性的晶体管。本发明的一个方式是一种半导体装置及半导体装置的制造方法。该半导体装置包括晶体管及第一绝缘层。晶体管包括第一至第三导电层、半导体层、第二绝缘层。第一绝缘层包括第一层及该第一层上的第二层。第一绝缘层位于第一导电层上，并包括到达第一导电层的第一开口。第二导电层位于第二层上。半导体层与第一导电层及第二导电层接触，并与第一开口内侧的第一层的侧面接触。第二绝缘层在第一开口内覆盖半导体层，第三导电层在第一开口内覆盖第二绝缘层。第一绝缘层在与第一开口不同的位置上包括第二开口。第二绝缘层在第二开口内侧与第一层接触。第一层包括氧化物绝缘膜，第二层包括具有氧阻挡性的绝缘膜。