公开(公告)号：CN1906650B

公开(公告)日：2012-05-09

申请号：CN200480040414.1

申请日：2004-11-05

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 山崎舜平 ,  前川慎志 ,  藤井岩 ,  桑原秀明 ,  舘村祐子

IPC: G09F9/00 ,  H05B33/14 ,  H01L29/786 ,  H01L21/288 ,  H01L27/088

CPC classification number: H01L27/12 ,  H01L27/1292 ,  H01L29/42384 ,  H01L29/66765 ,  H01L29/78696

Abstract: 本发明的一个目的是提供一种显示装置，其可以通过改进材料使用效率的简化制造方法制造。本发明的另一个目的是提供一种该显示装置的制造方法。本发明的另一个目的是提供改进图案粘合性的制造技术。鉴于以上问题，根据本发明，通过液滴喷射方法形成图案。特别在本发明中，基础预处理在通过液滴喷射方法形成图案之前/之后进行。作为这种基础预处理的结果，可以改进图案粘合性以及可以使图案更精细。

公开(公告)号：CN101924124A

公开(公告)日：2010-12-22

申请号：CN201010197639.5

申请日：2005-08-25

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 前川慎志

IPC: H01L27/32 ,  H01L51/10 ,  H01L51/40 ,  G09F9/33

CPC classification number: H01L51/0018 ,  G02F1/1368 ,  H01L27/3274 ,  H01L51/0545 ,  H01L51/10

Abstract: 考虑到有机TFT的有机半导体层有可能由于水、光、氧气等而受到破坏的问题，本发明的一个目的是简化生产步骤并且提供用来高可靠性地生产具有有机TFT的半导体装置。根据本发明，含有有机材料的半导体层是通过使用掩模形成图案而形成的，因此有机TFT是在掩模没有被除去而是保留在半导体层上的状态下完成的。另外，通过使用保留的掩模可以保护半导体层免受水、光、氧气等的破坏。

公开(公告)号：CN1755943B

公开(公告)日：2010-05-12

申请号：CN200510092081.3

申请日：2005-08-19

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 前川慎志

IPC: H01L29/78 ,  H01L27/02 ,  H01L21/336 ,  H01L21/82

CPC classification number: H01L51/0022 ,  G02F2001/136295 ,  H01L27/12 ,  H01L27/1285 ,  H01L27/1292 ,  H01L29/41733 ,  H01L29/66765 ,  H01L29/78678 ,  H01L29/78696 ,  H01L51/102

Abstract: 根据本发明的一个特征，用有机试剂涂覆至少被部分栅极或者布线叠盖的绝缘膜表面的区域；通过液滴排放方法，在绝缘膜表面中的从涂覆了有机试剂并残留的区域到没有涂覆有机试剂的区域的范围内，排放其中导体微粒分散在有机溶剂中的流体。涂覆有机试剂以改善绝缘膜表面中流体的湿润性，以及通过凹入弯曲形成通过在其间插入曲线的彼此相邻的源极和漏极的每端的其中一端，并且通过凸起弯曲形成另一端。

公开(公告)号：CN100568457C

公开(公告)日：2009-12-09

申请号：CN200410083142.5

申请日：2004-09-30

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 藤井厳 ,  前川慎志

IPC: H01L21/027 ,  H01L21/28 ,  H01L21/768 ,  H01L21/336 ,  H01L29/786 ,  H01L27/02 ,  G02F1/136 ,  G03F7/004

CPC classification number: H01L21/0212 ,  G02F1/1368 ,  H01L21/02118 ,  H01L21/02126 ,  H01L21/0234 ,  H01L21/31138 ,  H01L21/31144 ,  H01L21/3121 ,  H01L21/76802 ,  H01L27/12 ,  H01L27/1248 ,  H01L27/1292 ,  H01L29/66757 ,  H01L29/66765 ,  H01L51/0016

Abstract: 在通过半导体装置制造的传统过程形成接触孔的情况下，为了在没有形成接触孔的薄膜上形成抗蚀剂，要求形成几乎整个覆盖基片的抗蚀剂。因此，生产能力相当地低。此外，当所应用的抗蚀剂的数量和底基的表面状态没有被完全控制的时候，抗蚀剂扩展到接触孔的区域时，接触缺陷发生。因此要求改善。根据本发明，在形成半导体装置中，是半导体装置的接触孔的部分可能覆盖着液体防护的第一有机薄膜。随后，在没有形成第一有机薄膜的区域上，形成作为绝缘薄膜的第二有机薄膜，且随后移除第一有机薄膜来形成接触孔。

公开(公告)号：CN100499040C

公开(公告)日：2009-06-10

申请号：CN200410061738.5

申请日：2004-06-30

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 前川慎志 ,  挂端哲弥 ,  竹原裕一

IPC: H01L21/318 ,  H01L21/311 ,  G02F1/136 ,  H05B33/00 ,  G09F9/30

CPC classification number: H01L21/0217 ,  C23C16/345 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/3185 ,  H01L27/3244 ,  H01L51/0022 ,  H01L51/5228 ,  H01L51/5253

Abstract: 本发明提供通过等离子体CVD形成氮化硅膜的方法，该氮化硅膜可以形成在热敏元件上以及电致发光元件上，并具有优良的阻挡特性。此外，本发明也提供了使用该氮化硅膜形成的半导体器件、显示器件和发光显示器件。在通过等离子体CVD形成氮化硅膜的方法中，在沉积过程中将硅烷(SiH4)、氮气(N2)和稀有气体引入沉积室中，并且反应压强在0.01Torr～0.1Torr的范围内。

公开(公告)号：CN101442059A

公开(公告)日：2009-05-27

申请号：CN200810187081.5

申请日：2006-01-28

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 前川慎志 ,  桑原秀明

IPC: H01L27/12 ,  H01L29/786 ,  H01L29/12 ,  H01L29/24 ,  H01L29/417 ,  H01L27/32 ,  H01L27/15 ,  H01L21/84 ,  H01L21/336 ,  G02F1/1362

CPC classification number: H01L29/78678 ,  H01L29/41733 ,  H01L29/458 ,  H01L29/66765 ,  H01L29/7869

Abstract: 本发明提供了一种利用适合于批量生产制造大衬底的液滴喷射法的制造工艺。通过液滴喷射法选择性地喷射导电膜的光敏材料溶液，选择性地暴露于激光光线，并且显影或蚀刻，由此只允许暴露于激光光线的区域留下，以及实现具有比由喷射形成的图案本身更微小图案的源极布线和漏极布线。源极布线和漏极布线的一个特征是，源极布线和漏极布线穿过岛状半导体层并且与它交叠。

公开(公告)号：CN100490055C

公开(公告)日：2009-05-20

申请号：CN200510071693.4

申请日：2005-03-25

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 前川慎志

IPC: H01L21/00 ,  H01L21/84 ,  G02F1/136 ,  G09F9/30 ,  G09G3/36 ,  G09G3/38

Abstract: 公开了一种半导体装置的制造方法，其通过少量工艺和通过具有高可用性材料的手段，以具有高清晰度和具有高阶梯覆盖特性的栅绝缘来实现。根据本发明，半导体装置的制造方法包括如下步骤：在基板之上形成多个第一导电层；形成第一绝缘层以填充多个第一导电层的间隙；在第一绝缘层和多个第一导电层之上形成第二绝缘层；以及在第二绝缘层之上形成半导体区和第二导电层。

公开(公告)号：CN101069222A

公开(公告)日：2007-11-07

申请号：CN200580041540.3

申请日：2005-12-02

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 吉田泰则 ,  木村肇 ,  前川慎志 ,  中村理 ,  山崎舜平

IPC: G09F9/30 ,  H01L29/786 ,  H01L21/3205 ,  H01L51/50

CPC classification number: H01L27/156 ,  H01L21/288 ,  H01L21/76838 ,  H01L27/1285 ,  H01L27/1292 ,  H01L27/3248 ,  H01L27/3276

Abstract: 本发明提供一种可执行多灰度彩色显示的有源矩阵EL显示装置。特别地，本发明通过可选择性地形成图案的制造方法低成本地提供大的有源矩阵EL显示装置。像素部分中的电源线通过可选择性地形成图案的制造方法排列成矩阵。此外，通过可选择性地形成图案的制作方法在相邻布线之间设置更长距离，可减小布线间的电容。

公开(公告)号：CN101006588A

公开(公告)日：2007-07-25

申请号：CN200580028621.X

申请日：2005-08-25

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 前川慎志

IPC: H01L29/786 ,  H01L51/05

CPC classification number: H01L51/0018 ,  G02F1/1368 ,  H01L27/3274 ,  H01L51/0545 ,  H01L51/10

Abstract: 考虑到有机TFT的有机半导体层有可能由于水、光、氧气等而受到破坏的问题，本发明的一个目的是简化生产步骤并且提供用来高可靠性地生产具有有机TFT的半导体装置。根据本发明，含有有机材料的半导体层是通过使用掩模形成图案而形成的，因此有机TFT是在掩模没有被除去而是保留在半导体层上的状态下完成的。另外，通过使用保留的掩模可以保护半导体层免受水、光、氧气等的破坏。

公开(公告)号：CN1812851A

公开(公告)日：2006-08-02

申请号：CN200480018026.3

申请日：2004-04-15

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 前川慎志 ,  山崎舜平

IPC: B05D1/26 ,  B05D3/04 ,  B05C5/00 ,  B05C9/10 ,  H01L21/027 ,  H01L21/3205 ,  H01L21/288 ,  H01L21/30

CPC classification number: B05B17/0607 ,  H01L21/288 ,  H01L21/76838 ,  H01L21/76877 ,  H01L51/0004 ,  H01L51/0021

Abstract: 本发明的特征在于：包含下述工序，即通过发生等离子体的单元(102)，使在具有绝缘性的基板例如玻璃基板上形成的拨液性的薄膜例如半导体膜有选择地变为亲液性，通过液滴排出单元(103)向上述亲液性表面排出液滴组成物，从而制作图形。通过用拨液性区域来夹持有选择地形成的亲液性区域，能够使滴落后的液滴不从滴落位置移动地来形成。