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公开(公告)号：CN108303123A
公开(公告)日：2018-07-20
申请号：CN201810045758.5
申请日：2018-01-17
Applicant: 暨南大学
Abstract: 本发明涉及传感器领域，更具体地，涉及一种光纤传感头和其制备方法及其磷脂酶光纤传感器。光纤传感头包括经过锚定处理的侧边抛磨光纤，侧边抛磨光纤封装在玻璃基底上，其抛磨区表面朝上，侧边抛磨光纤的抛磨区涂覆有向列相液晶薄膜，向列相液晶薄膜上吸附有磷脂。本申请将液晶作为敏感材料涂覆到SPF上，构成基于液晶光学放大的光纤传感器件，并用于生物分子磷脂酶的检测，可弥补传统的利用向列相液晶取向变化实现磷脂酶传感的缺陷。
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公开(公告)号：CN107213510A
公开(公告)日：2017-09-29
申请号：CN201710344301.X
申请日：2017-05-16
Applicant: 暨南大学
Abstract: 本发明涉及胶原膜，公开了一种高强度曲率胶原膜的制备方法，包括如下步骤：S1：将胶原溶液制作成胶原凝胶；S2：将步骤S1制作的胶原凝胶置于环形固定环中；S3：将环形固定环连同其中的胶原凝胶置于下模具上，后利用上模具对胶原凝胶进行压缩；所述下模具包括具有曲率的凹陷部，所述上模具包括具有曲率的与凹陷部相适应的突出部，通过突出部和凹陷部的相配合实现对胶原凝胶的压缩；S4：压缩完成后，取下下模具，对附着在上模具上的胶原膜进行吹干，即得高强度曲率胶原膜。本发明通过压缩胶原凝胶的方法，快速排出了水分，节省了制作时间，制备的曲率胶原膜强度高，能与曲面的角膜很好的契合，提高角膜损伤修复的效率，而且不会影响角膜的屈光性。
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公开(公告)号：CN104197863A
公开(公告)日：2014-12-10
申请号：CN201410380952.0
申请日：2014-08-05
Applicant: 暨南大学
IPC: G01B11/26
Abstract: 本发明公开了一种光子晶体光纤方位角的确定方法，用激光垂直照射在光子晶体光纤的侧面并在前方的成像屏上成像，用数码相机拍摄散射条纹图案，其特征在于：对散射条纹图案的处理方式为：将散射条纹图案分割成上下两个区域，两个区域光强度之和分别为第一特征值和第二特征值，逐步旋转光子晶体光纤，得到与旋转角度一一对应的第一特征值组和第二特征值组，求得第一旋转角度极值组及第二旋转角度极值组，并分别从中选出第一角度θ1及第二角度θ2，该两角度差值的绝对值小于20°，光子晶体光纤ГК方位角θГК由公式θГК=（θ1+θ2）/2确定。本发明可用于光子晶体光纤器件的制作加工过程，具有重要的应用前景。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102645281A
公开(公告)日：2012-08-22
申请号：CN201210127501.7
申请日：2012-04-26
Applicant: 暨南大学
Abstract: 本发明公开了一种利用起偏分束棱镜测量偏振度的方法，测量所需要的器件包括偏振光源、待测器件、起偏分束棱镜以及光功率计；测量方法是：偏振光源经待测器件后射入起偏分束棱镜，被分成o光和e光两束光，分别测量起偏分束棱镜出射的o光和e光的光功率Po[0]和Pe[0]，然后旋转起偏分束棱镜，o光的位置不变，e光随着起偏分束棱镜的旋转而绕o光旋转，当旋转45°后，测量其中o光的光功率值Po[π/4]，则偏振度DOP通过相关公式确定。本发明适用波长范围较大用波长范围较大，结构简单，测量操作方便，在测量偏振度的同时还可以观察光的偏振态的空间分布特性。
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公开(公告)号：CN101980060B
公开(公告)日：2012-05-30
申请号：CN201010284088.6
申请日：2010-09-15
Applicant: 暨南大学
IPC: G02B6/024
Abstract: 本发明公开了一种基于侧视光强五指型分布的保偏光纤偏振轴的定轴方法，将非相干平行光侧向照射待定轴保偏光纤，使显微物镜的观测平面上形成一个可测量的光强分布，所述光强分布经显微物镜成像于摄像机上，形成“五指型”的光强分布曲线；计算光强分布曲线的自相关系数，并根据“五指型”的波峰、波谷的特征值即可对保偏光纤精确定轴。本发明不再需要建立标准曲线，从而可显著提高定轴效率。本发明主要适用于偏振轴在0°或90°附近对定轴精度有很高要求的情况，通常在制作保偏光纤耦合器和保偏光纤偏振器时有此要求，本发明可应用于制作保偏光纤耦合器、保偏光纤偏振器、保偏光纤的熔接、保偏光纤拉锥、光纤陀螺等。
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公开(公告)号：CN110970512B
公开(公告)日：2024-12-31
申请号：CN201911228383.7
申请日：2019-12-04
Applicant: 暨南大学
IPC: H01L31/0232 , H01L31/105 , H01L31/18
Abstract: 本发明公开了一种可见光宽谱段高效率PIN光电二极管及其制备方法。所述可见光宽谱段高效率PIN光电二极管包括芯片和集成在芯片上顶层硅内的的PIN光电二极管，单个所述PIN光电二极管包括衬底硅层、位于衬底硅层上的SiO2层、位于SiO2层上的顶层硅层、位于顶层硅层中的p型Si、i型Si和n型Si、位于i型Si中的空气孔阵列，以及位于p型Si和n型Si上的电极。本发明所述的可见光宽谱段高效率PIN光电二极管能同时满足从蓝光到红光波段范围的响应及该波段内的高吸收率。
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公开(公告)号：CN114993627B
公开(公告)日：2024-07-02
申请号：CN202210693206.1
申请日：2022-06-17
Applicant: 暨南大学
Abstract: 本发明涉及虚像视距测量技术领域，更具体地，涉及一种光学系统虚像视距测量方法。本发明的光学系统虚像视距测量方法利用了摄影系统的景深理论、图像清晰度和空间分辨率的概念及检测方法，不仅能对图像清晰度进行判断，减小视距测量的误差，还考虑景深特性，提高虚像视距的测量精度，使视距测量的误差进一步减小。
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公开(公告)号：CN109742093B
公开(公告)日：2024-07-02
申请号：CN201811549953.8
申请日：2018-12-18
Applicant: 暨南大学
IPC: H01L27/144 , H01L31/0224 , H01L31/0352 , H01L31/18
Abstract: 本发明公开了一种增强蓝光型硅基雪崩光电二极管阵列，所述雪崩光电二极管为SACM型APD，包括衬底以及设于衬底底部的阳极，所述衬底上表面设有凹槽，所述凹槽中自下而上依次包括：阴极、非耗尽层、倍增层和场控层，且阴极、非耗尽层、倍增层以及场控层与所述衬底之间绝缘；所述场控层上覆有吸收层，且所述吸收层与所述衬底相接；所述吸收层表面覆有规则排列的亚波长结构层；所述衬底为p+型硅片；所述非耗尽层为n+型高掺杂浓度和高缺陷的多晶硅；所述倍增层为π型的硅外延层；所述场控层为p型的硅外延层；所述吸收层为π型硅外延层。与现有技术比较，本发明提供了一种可以提高蓝光量子效率和灵敏度，并具有高增益的硅基APD。
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