一种高纯硅的制备方法
    76.
    发明公开

    公开(公告)号:CN101372334A

    公开(公告)日:2009-02-25

    申请号:CN200810233462.2

    申请日:2008-10-22

    Abstract: 一种制备高纯硅的方法,使原料反应生成SiO气体达到蒸馏提纯的目的。原料可以是各种纯度的碳还原剂,二氧化硅可以是二氧化硅矿、废弃光纤或废石英。方法按以下几个步骤进行:(1)原料经破碎球磨后,粒度为0.30mm以下;(2)将原料置于真空炉中加热蒸发除杂;(3)将原料按比例配好,加热使物料全部反应生成SiO气体;(4)SiO气体发生歧化反应,生成B、P含量低的高纯硅和高纯二氧化硅;(5)分离二氧化硅,得到硅;(6)干燥分离后的硅;(7)用真空定向凝固炉进一步除杂,切头处理后即获得高纯硅。制备的硅的纯度为99.9999wt%以上,B、P的含量低于0.5ppm,可以满足太阳能电池行业所需硅原料的要求。

    一种硫化钼脱硫的方法
    77.
    发明公开

    公开(公告)号:CN101343696A

    公开(公告)日:2009-01-14

    申请号:CN200810058814.5

    申请日:2008-08-15

    Abstract: 本发明涉及一种硫化钼脱硫的方法,在真空中直接使硫化钼或辉钼矿分解生成单质硫和金属钼,属于一种火法冶炼技术领域。采用硫化钼或辉钼精矿为原料,将钼精矿在120-150℃下干燥,脱去精矿中的水分,使其水分小于1wt%,干燥好的钼精矿放在真空炉内,控制真空度为0.07Pa~35Pa,使钼精矿温度达到1400℃~1750℃,蒸馏0.5~2小时,使物料充分分解,停止加热,使物料降至150℃下,即可使原料中的硫含量降到0.1%以下,并且得到单质硫。

    一种氟化物熔盐-电活性氧化物体系中二氧化钛电解制备金属钛的方法

    公开(公告)号:CN115418679B

    公开(公告)日:2024-08-23

    申请号:CN202211215841.5

    申请日:2022-09-30

    Abstract: 本发明涉及一种氟化物熔盐‑电活性氧化物体系中二氧化钛电解制备金属钛的方法,属于金属钛制备技术领域。本发明将TiO2直接加入到氟化物熔盐‑电活性氧化物体系中,在温度300~400℃、惰性气氛下加热去除熔盐体系水分,再升温至过热度为20‑80℃,并以碳素或金属材料作为电解槽的阳极,以金属或金属合金为电解槽的阴极,进行恒电流电解,电解后得到阴极产物;以阴极产物为电解槽的阳极,氯化物熔盐为熔盐电解质,以金属或金属合金为电解槽的阴极,在过热度为20‑80℃、惰性气氛下,恒电流电解精炼,以去除氟化物和氧化物电解质,真空蒸馏或水洗除杂得到阴极金属钛。本发明把TiO2溶解到氟化物‑电活性氧化物体系中电解,其方法简单,流程较短,成本较低,产物纯度达99.7%。

    一种氟化物熔盐-电活性氧化物体系中二氧化钛电解制备金属钛的方法

    公开(公告)号:CN115418679A

    公开(公告)日:2022-12-02

    申请号:CN202211215841.5

    申请日:2022-09-30

    Abstract: 本发明涉及一种氟化物熔盐‑电活性氧化物体系中二氧化钛电解制备金属钛的方法,属于金属钛制备技术领域。本发明将TiO2直接加入到氟化物熔盐‑电活性氧化物体系中,在温度300~400℃、惰性气氛下加热去除熔盐体系水分,再升温至过热度为20‑80℃,并以碳素或金属材料作为电解槽的阳极,以金属或金属合金为电解槽的阴极,进行恒电流电解,电解后得到阴极产物;以阴极产物为电解槽的阳极,氯化物熔盐为熔盐电解质,以金属或金属合金为电解槽的阴极,在过热度为20‑80℃、惰性气氛下,恒电流电解精炼,以去除氟化物和氧化物电解质,真空蒸馏或水洗除杂得到阴极金属钛。本发明把TiO2溶解到氟化物‑电活性氧化物体系中电解,其方法简单,流程较短,成本较低,产物纯度达99.7%。

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