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公开(公告)号：CN103460391A
公开(公告)日：2013-12-18
申请号：CN201280016326.2
申请日：2012-04-02
Applicant: 夏普株式会社
IPC: H01L29/786 , G02F1/1368 , H01L21/336 , H01L29/861
CPC classification number: H01L27/1225 , G02F1/136204 , G02F1/1365 , G02F2202/22 , H01L29/7869
Abstract: 本发明的半导体装置（100）具有二极管元件（10）。二极管元件（10）具有：与薄膜晶体管的栅极电极由相同的导电膜形成的第一电极（3）；氧化物半导体层（5）；和与薄膜晶体管的源极电极由相同的导电膜形成，并且与氧化物半导体层（5）接触的第二电极（6）和第三电极（7）。氧化物半导体层（5）在第一电极（3）与第二电极（6）之间、以及第一电极（3）与第三电极（7）之间分别具有偏置区域（19）。
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公开(公告)号：CN103026398A
公开(公告)日：2013-04-03
申请号：CN201180035563.9
申请日：2011-07-14
Applicant: 夏普株式会社
IPC: G09F9/30 , G02F1/1345 , G02F1/1368 , G09F9/00 , H01L21/336 , H01L27/32 , H01L29/786 , H01L51/50 , H05B33/06
CPC classification number: H01L29/78693 , G02F1/13458 , G02F1/136227 , H01L27/1225 , H01L27/124 , H01L27/3276 , H01L29/66969
Abstract: 薄膜晶体管基板(20a)包括：绝缘基板(10a)；设置于绝缘基板(10a)上的多个源极端子(15)；和以覆盖源极端子(15)各自的一部分的方式设置且包含氧化物半导体的第一端子罩(24)。而且，在相邻的源极端子(15)间的区域(R)，第一端子罩(24)被去除。
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公开(公告)号：CN102483546A
公开(公告)日：2012-05-30
申请号：CN201080038924.0
申请日：2010-04-28
Applicant: 夏普株式会社
IPC: G02F1/1343 , G02F1/1362 , G02F1/1368
CPC classification number: G02F1/1362 , G02F1/136213 , G02F1/136227 , G02F2001/136218 , G02F2201/40
Abstract: 本发明提供即使进行像素的高精细化也能以简单构成确保所需的辅助电容并且实现像素的开口率的提高的显示装置及其制造方法。本发明的液晶显示装置是具有多个像素的液晶显示装置，薄膜晶体管阵列基板具备：栅极线和源极线，其按格子状配置于支撑基板的主面上；透明像素电极；薄膜晶体管；以及从支撑基板侧起依次层叠的栅极绝缘膜、钝化膜、透明导电膜、第1绝缘膜以及透明像素电极，透明像素电极通过形成于第1绝缘膜中的接触孔与构成薄膜晶体管的漏极电极电连接，从法线方向观看基板面时，透明导电膜与将透明像素电极和漏极电极电连接的区域不重叠。
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公开(公告)号：CN102388338A
公开(公告)日：2012-03-21
申请号：CN201080016336.7
申请日：2010-01-20
Applicant: 夏普株式会社
IPC: G02F1/1343
CPC classification number: G02F1/134309 , G02F1/133707 , G02F1/1393
Abstract: 本发明提供在使用梳齿状电极对液晶施加电压的垂直取向型的液晶显示装置中能减少在电极的顶端产生的液晶的取向不良、具有高对比度和白亮度、且显示特性优良的液晶显示装置及其制造方法。上述液晶显示装置设有用于对被夹持在一对基板间的液晶层施加电压的电极，本发明的液晶显示装置的制造方法包含：抗蚀剂图案形成工序，隔着光掩模对形成于导电膜上的抗蚀剂膜进行曝光处理；以及电极图案形成工序，隔着上述抗蚀剂图案对上述导电膜进行蚀刻处理，上述光掩模具备遮光或者透光图案，上述遮光或者透光图案具备主干部和从该主干部分支的多个支部，上述支部在顶端设有大宽度部。
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公开(公告)号：CN101600987B
公开(公告)日：2011-09-21
申请号：CN200780050765.4
申请日：2007-12-10
Applicant: 夏普株式会社
IPC: G02F1/1335 , G02F1/1368
CPC classification number: G02F1/133555 , G02F1/133345 , G02F1/133553 , G02F1/1362 , G02F2202/10
Abstract: 本发明的目的在于以低成本提供一种降低波纹和色偏的高画质的反射型和半透过型的液晶显示装置。本发明的液晶显示装置是在多个像素的各个中具备反射区域的液晶显示装置。反射区域包括金属层(56)、半导体层(62)和反射层(63)，在反射层(63)的表面形成有多个凹部(68)和凸部(67)，多个凹部(68)对应金属层(56)的开口部(65)而形成，多个凸部(67)反映半导体层(62)的形状而形成，多个凹部(68)的沿着某个方向相邻的多个对包括凹部(68)的间隔相互不同的2个对，多个凸部(67)的沿着某个方向相邻的多个对包括凸部(67)的间隔相互不同的2个对。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101600987A
公开(公告)日：2009-12-09
申请号：CN200780050765.4
申请日：2007-12-10
Applicant: 夏普株式会社
IPC: G02F1/1335 , G02F1/1368
CPC classification number: G02F1/133555 , G02F1/133345 , G02F1/133553 , G02F1/1362 , G02F2202/10
Abstract: 本发明的目的在于以低成本提供一种降低波纹和色偏的高画质的反射型和半透过型的液晶显示装置。本发明的液晶显示装置是在多个像素的各个中具备反射区域的液晶显示装置。反射区域包括金属层(56)、半导体层(62)和反射层(63)，在反射层(63)的表面形成有多个凹部(68)和凸部(67)，多个凹部(68)对应金属层(56)的开口部(65)而形成，多个凸部(67)反映半导体层(62)的形状而形成，多个凹部(68)的沿着某个方向相邻的多个对包括凹部(68)的间隔相互不同的2个对，多个凸部(67)的沿着某个方向相邻的多个对包括凸部(67)的间隔相互不同的2个对。
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公开(公告)号：CN101558350A
公开(公告)日：2009-10-14
申请号：CN200780045760.2
申请日：2007-10-25
Applicant: 夏普株式会社
IPC: G02F1/1335 , G02F1/1368
CPC classification number: G02F1/133553 , G02F1/133555
Abstract: 本发明涉及液晶显示装置和液晶显示装置的制造方法。本发明提供一种低成本且高画质的半透过型和反射型的液晶显示装置。本发明的液晶显示装置具备使入射光朝向显示面反射的反射区域，其中，反射区域包括Cs金属层(金属层)、在Cs金属层的上面形成的栅极绝缘层、在栅极绝缘层的上面形成的半导体层、和在半导体层的上面形成的反射层。在反射层的表面形成有第一凹部、和位于第一凹部的内侧的第二凹部。Cs金属层和半导体层分别具有开口部，第一凹部和第二凹部的一方由Cs金属层的开口部形成，另一方由半导体层的开口部形成。
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公开(公告)号：CN101432656A
公开(公告)日：2009-05-13
申请号：CN200780015751.9
申请日：2007-04-05
Applicant: 夏普株式会社
IPC: G02F1/1335
CPC classification number: G02F1/133555 , G02F1/133553 , G02F1/136227 , G02F2001/136281
Abstract: 本发明涉及液晶显示装置和液晶显示装置的制造方法。本发明的目的是以低成本提供高画质的半透射型和反射型的液晶显示装置，本发明的液晶显示装置包括向显示面反射入射光的反射部，反射部包括在基板上形成的反射层，并且包括在反射层的表面形成的第一凹部和在第一凹部中的在反射层的表面形成的第二凹部。第一凹部与Cs金属层的开口部相对应，第二凹部与半导体层的开口部相对应。
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公开(公告)号：CN113078167B
公开(公告)日：2024-07-26
申请号：CN202011484960.1
申请日：2020-12-16
Applicant: 夏普株式会社
IPC: H01L27/12 , H01L21/77 , G02F1/1362 , G02F1/1368
Abstract: 提供具备顶栅型的氧化物半导体TFT并且能抑制由ESD导致的源极‑栅极间的漏电的有源矩阵基板。有源矩阵基板具备多个源极总线、覆盖源极总线的下部绝缘层、形成在下部绝缘层的上方的多个栅极总线、以及与各像素区域对应配置的氧化物半导体TFT，氧化物半导体TFT具有：氧化物半导体层，其配置在下部绝缘层上；以及栅极电极，其配置在氧化物半导体层的上方，形成在与栅极总线不同的层，并且与配置在相邻的像素区域的栅极电极分离配置，栅极电极由层间绝缘层覆盖，栅极总线配置在层间绝缘层上、以及形成于层间绝缘层的栅极接触孔内，在栅极接触孔内连接到栅极电极。
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公开(公告)号：CN109427661B
公开(公告)日：2023-09-01
申请号：CN201811015011.1
申请日：2018-08-31
Applicant: 夏普株式会社
IPC: H01L21/77 , H01L23/544
Abstract: 缩小配置空间并且提高对准精度。阵列基板(10B)的制造方法具备：第1金属膜形成工序，通过形成第1金属膜(23)并对其进行图案化，形成具有包括开口的下层侧对准标记(39)的下层侧对准标记构成部(40)；第2金属膜成膜工序，形成第2金属膜(25)；光致抗蚀剂膜形成工序，通过形成光致抗蚀剂膜(41)并对其进行图案化，形成与下层侧对准标记的至少一部分重叠的下层侧对准标记重叠部(42)；蚀刻工序，通过选择性地蚀刻并除去第1金属膜(23)和第2金属膜中的与光致抗蚀剂膜的下层侧对准标记重叠部不重叠的部分，形成包括第2金属膜的上层侧对准标记(38)；以及光致抗蚀剂膜剥离工序，剥离光致抗蚀剂膜。
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