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公开(公告)号：CN119039614A
公开(公告)日：2024-11-29
申请号：CN202411166093.5
申请日：2024-08-23
Applicant: 哈尔滨理工大学
Abstract: 一种高储能聚醚酰亚胺‑聚甲基丙烯酸甲酯有机复合材料的制备方法及应用，涉及聚醚酰亚胺基复合薄膜制备技术领域。本发明的目的是为了解决传统的聚合物介质电容器以聚醚酰亚胺作为主要材料导致储能密度低的问题。本发明制备的高储能聚醚酰亚胺‑聚甲基丙烯酸甲酯有机复合材料相较于纯聚醚酰亚胺击穿与介电性能均有提升，并且储能性能增强，可以广泛地应用于电气、电子和新能源汽车等先进领域。本发明制备工艺简单，经济实用，有效的节约了资源，适合大规模工业化产生，为开发聚醚酰亚胺绝缘复合介质新的应用途径提供了一个很好的策略。本发明可获得一种高储能聚醚酰亚胺‑聚甲基丙烯酸甲酯有机复合材料的制备方法及应用。
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公开(公告)号：CN119019729A
公开(公告)日：2024-11-26
申请号：CN202411284541.1
申请日：2024-09-13
Applicant: 哈尔滨理工大学
IPC: C08J7/04 , C08J5/18 , C08L79/08 , C08K7/00 , C08K3/34 , C09D179/08 , C09D7/61 , C09D7/40 , H05K9/00
Abstract: 一种抗空间辐照的聚酰亚胺‑云母纳米片复合夹层材料的制备方法及应用，涉及聚酰亚胺复合薄膜技术领域。本发明的目的是为了解决以往单一聚酰亚胺作为星载电子元器件防护材料时，由于聚酰亚胺本身易被劣化而导致电子元器件的正常运行受到影响的问题。本发明将聚酰亚胺基体掺杂云母纳米片作为外层，而纯聚酰亚胺薄膜则作为中间层。其中夹层结构的聚酰亚胺薄膜，作为高性能的柔性绝缘层，将在微电子、5G通信及航空航天等领域展现出巨大的应用潜力。本发明可获得一种抗空间辐照的聚酰亚胺‑云母纳米片复合夹层材料的制备方法及应用。
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公开(公告)号：CN118146545A
公开(公告)日：2024-06-07
申请号：CN202410208496.5
申请日：2024-02-26
Applicant: 哈尔滨理工大学
Abstract: 一种聚氨酯‑聚苯乙烯复合材料的制备方法及应用，涉及聚苯乙烯绝缘技术领域。本发明的目的是为了解决传统的以增加导电填料的负载来增加介电常数通常是以降低其击穿性能的的问题。本发明首先分别将聚氨酯和聚苯乙烯加入到N,N‑二甲基乙酰胺溶液中，由于聚氨酯和聚苯乙烯比较难溶解，因此需要在80℃的温度条件下充分搅拌，再利用溶液共混法制备复合薄膜，以聚苯乙烯混合溶液为基体，将聚氨酯混合溶液加入其中，最终利用溶液共混的方法制备而成。本发明可获得一种聚氨酯‑聚苯乙烯复合材料的制备方法及应用。
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公开(公告)号：CN117866249A
公开(公告)日：2024-04-12
申请号：CN202311635281.3
申请日：2023-12-01
Applicant: 哈尔滨理工大学
IPC: C08J5/18 , C08L33/12 , C08K5/3492 , H01G4/18
Abstract: 1,3,5‑三(2‑羟乙基)氰尿酸‑聚甲基丙烯酸甲酯复合薄膜的制备方法及应用，涉及复合薄膜制备技术领域。本发明的目的是为了解决传统的复合材料薄膜不能兼具高介电常数和高击穿强度的问题。本发明提供一种高击穿和高绝缘的1,3,5‑三(2‑羟乙基)氰尿酸‑聚甲基丙烯酸甲酯复合薄膜的制备方法，具体将聚甲基丙烯酸甲酯颗粒与1,3,5‑三(2‑羟乙基)氰尿酸颗粒以不同质量比溶于N,N‑二甲基乙酰胺溶液中制成混合溶液，再涂膜后进行烘干的方法制备而成。本发明可获得1,3,5‑三(2‑羟乙基)氰尿酸‑聚甲基丙烯酸甲酯复合薄膜的制备方法及应用。
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公开(公告)号：CN116811386B
公开(公告)日：2024-03-19
申请号：CN202310792495.5
申请日：2023-06-30
Applicant: 哈尔滨理工大学
IPC: B32B27/02 , D01F6/94 , D01F1/10 , H01G4/18 , B32B27/28 , B32B27/06 , B32B27/20 , B32B7/02 , B32B37/15 , B32B37/06 , B32B37/10 , B32B37/08 , B32B38/16
Abstract: 一种基于非对称梯度结构的聚醚酰亚胺基复合材料薄膜及其制备方法和应用，涉及聚醚酰亚胺基复合材料薄膜技术领域。本发明的目的是为了解决目前的薄膜材料不能兼具高击穿场强和高介电常数的问题。本发明以聚醚酰亚胺为基体，六方氮化硼纳米片为填料。本发明基于非对称梯度结构的聚醚酰亚胺基复合材料薄膜由6层掺杂有BNNS的填料层组成，并使掺杂的六方氮化硼纳米片浓度沿介质中心到下表面的梯度方向与上表面到介质中心一致，且其中沿上表面到介质中心和介质中心到下表面的BNNS体积分数呈逐步降低的反梯度变化。本发明可获得一种基于非对称梯度结构的聚醚酰亚胺基复合材料薄膜及其制备方法和应用。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN116355331B
公开(公告)日：2024-02-13
申请号：CN202310299277.8
申请日：2023-03-24
Applicant: 哈尔滨理工大学
Abstract: 一种核壳结构钛酸钡掺杂PVDF基复合薄膜及其制备方法和应用，涉及介质电容器技术领域。本发明的目的是为了解决传统复合材料掺杂无机纳米填料后，复合薄膜存在介电损耗明显增加以及击穿场强降低的问题。方法：本发明中无机核壳纳米填料在三元共聚物基体中能够较好的分散，提升了复合介质的介电性能。无机核壳纳米纤维所具有的大长径比特征能够有效的阻止电树枝伸展，进一步提高复合薄膜的击穿强度。壳层氧化铝的引入缓解了钛酸钡与聚合物基体之间的介电差异，能够有效减少界面处的电场畸变情况，无机核壳纳米纤维的引入能够获得击穿强度和储能密度的有效提升。本发明可获得一种核壳结构钛酸钡掺杂PVDF基复合薄膜及其制备方法和应用。
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公开(公告)号：CN116377426B
公开(公告)日：2023-10-17
申请号：CN202310110939.2
申请日：2023-02-14
Applicant: 哈尔滨理工大学
IPC: C23C16/505 , C23C16/34 , C23C16/02 , C03C17/28
Abstract: 一种聚酰亚胺基氮化硼涂层的制备方法及其应用，涉及绝缘材料老化技术领域，为了解决传统的化学气相沉积法制备防辐射复合材料过程中受影响因素多、对设备要求高，及传统的掺杂包裹方法制备防辐射复合材料存在易团聚及制备方法困难的问题。本发明将具有优异绝缘性能的氮化硼利用化学气相沉积法将其沉积在聚酰亚胺薄膜的表面，所制得的复合薄膜具有优异的绝缘性能。当表面沉积的氮化硼足够多时，聚酰亚胺表面会形成一层致密且均匀的氮化硼涂层，从而很好的阻碍载流子的进入，提高复合薄膜的绝缘性能，使其对高能电子的防护有更优越的效果。本发明可获得一种聚酰亚胺基氮化硼涂层的制备方法及其应用。
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公开(公告)号：CN116675983A
公开(公告)日：2023-09-01
申请号：CN202310735146.X
申请日：2023-06-20
Applicant: 哈尔滨理工大学
Abstract: 一种全有机聚醚酰亚胺‑芴聚酯共混储能复合材料的制备方法及应用，涉及聚醚酰亚胺储能技术领域。本发明的目的是为了解决传统的聚醚酰亚胺聚合物薄膜由于击穿场强和介电常数低进而导致的储能密度低的问题。方法：将聚醚酰亚胺颗粒加入到N‑甲基吡咯烷酮溶液中，在45～50℃的温度条件下机械搅拌至聚醚酰亚胺颗粒完全溶解，得到聚醚酰亚胺混合溶液；将芴聚酯粉末加入到聚醚酰亚胺混合溶液中，充分搅拌后，得到混合溶液a；将混合溶液a均匀涂覆在预处理过的基板上，固化完成后剥离，得到全有机聚醚酰亚胺‑芴聚酯共混储能复合材料。本发明可获得一种全有机聚醚酰亚胺‑芴聚酯共混储能复合材料的制备方法及应用。
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公开(公告)号：CN116604914A
公开(公告)日：2023-08-18
申请号：CN202310591568.4
申请日：2023-05-24
Applicant: 哈尔滨理工大学
IPC: B32B29/00 , H01B3/04 , H01B19/00 , B32B17/02 , B32B17/06 , B32B7/12 , B32B37/12 , B32B37/06 , B32B37/10 , B32B38/08 , D21H27/00
Abstract: 一种立体化结构高导热云母带及其制备方法和应用，涉及导热绝缘材料技术领域。本发明的目的是为了解决传统的云母带不能兼具高热导率、低介质损耗、高绝缘性能和高介电性能，以及掺杂高导热填料后导致云母带无法充分浸渍、介质损耗高的问题。方法：将云母浆液和高导热填料分散液混合，超声、机械搅拌10～15min，真空抽滤、烘干，得到立体化结构云母纸层；将胶粘剂涂抹在立体化结构云母纸层的两个面上，再将立体化结构云母纸层放置在两层补强材料层之间，热压处理40～60min，得到立体化结构高导热云母带。本发明可获得一种立体化结构高导热云母带及其制备方法和应用。
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公开(公告)号：CN113493346B
公开(公告)日：2022-09-23
申请号：CN202110672536.8
申请日：2021-06-17
Applicant: 哈尔滨理工大学
IPC: C04B35/48 , C04B35/491 , C04B35/622 , C04B35/624 , C04B35/64 , H01G4/08
Abstract: 本发明公开了一种高击穿场强的储能薄膜及其制备方法，属于高性能储能薄膜材料制备技术领域。本发明解决了现有制备的储能薄膜击穿场强低、性能调控过程复杂以及储能密度低下等技术问题。本发明通过分层退火的方式，实现了高退火温度下的极化层叠加低退火温度下的耐压层，成功制备了具有电学性能的铁电薄膜。相较于现有离子掺杂、调控退火温度等现有解决手段相比，该薄膜结构设计方案，极大地降低了制备工艺的操作难度以及能源消耗，更加贴近工业生产并显著提高了储能密度。
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