公开(公告)号：CN119875300A

公开(公告)日：2025-04-25

申请号：CN202510109704.0

申请日：2025-01-23

Applicant: 哈尔滨理工大学

Inventor： 冯宇 ,  滕宇 ,  岳东 ,  张文超 ,  陈庆国

IPC: C08L63/00 ,  C08L87/00 ,  C08G83/00

Abstract: 一种羟基超支化聚合物改性环氧树脂复合材料的制备方法及应用，涉及增韧材料技术领域。本发明的目的是为了解决目前环氧树脂材料存在高脆性、低韧性，以及在增韧过程中难以兼具高韧性与高强度的问题。本发明通过将羟基超支化聚合物作为增韧剂加入环氧树脂，使得改性后的环氧树脂在力学性能上有了显著提升。羟基超支化聚合物的引入，不仅有效改善了环氧树脂的韧性，还保持了其高强度和结构稳定性。改性后的环氧树脂材料在断裂伸长率、弯曲强度等力学指标上均表现出优异的性能，克服了传统环氧树脂材料固有的脆性问题。本发明可获得一种羟基超支化聚合物改性环氧树脂复合材料的制备方法及应用。

公开(公告)号：CN117683258B

公开(公告)日：2024-09-06

申请号：CN202311555523.8

申请日：2023-11-21

Applicant: 哈尔滨理工大学

Inventor： 张文超 ,  滕宇 ,  郑建航 ,  冯宇 ,  岳东

IPC: C08J5/18 ,  H01G4/18 ,  C08K9/02 ,  C08K3/38 ,  C08L79/08

Abstract: 一种羟基化氮化硼填料‑聚酰亚胺绝缘复合薄膜的制备方法及应用，涉及绝缘材料技术领域。本发明的目的是为了解决传统的以聚酰亚胺为基体的复合材料掺杂纳米填料后复合薄膜的介电损耗存在明显增加以及击穿场强降低的问题。本发明一种羟基化氮化硼填料/聚酰亚胺绝缘复合介质的制备方法，首先利用球磨的方法制备羟基化氮化硼填料，将BN纳米片、NaOH与蒸馏水混合后进行球磨，然后过滤、洗涤和烘干，得到羟基化氮化硼填料；再利用溶液共混法制备复合薄膜，以聚酰亚胺为基体，将羟基化氮化硼作为填料加入其中，利用溶液共混的方法制备而成。本发明可获得一种羟基化氮化硼填料‑聚酰亚胺绝缘复合薄膜的制备方法及应用。

公开(公告)号：CN117866249A

公开(公告)日：2024-04-12

申请号：CN202311635281.3

申请日：2023-12-01

Applicant: 哈尔滨理工大学

Inventor： 岳东 ,  滕宇 ,  张文超 ,  冯宇 ,  张永

IPC: C08J5/18 ,  C08L33/12 ,  C08K5/3492 ,  H01G4/18

Abstract: 1,3,5‑三(2‑羟乙基)氰尿酸‑聚甲基丙烯酸甲酯复合薄膜的制备方法及应用，涉及复合薄膜制备技术领域。本发明的目的是为了解决传统的复合材料薄膜不能兼具高介电常数和高击穿强度的问题。本发明提供一种高击穿和高绝缘的1,3,5‑三(2‑羟乙基)氰尿酸‑聚甲基丙烯酸甲酯复合薄膜的制备方法，具体将聚甲基丙烯酸甲酯颗粒与1,3,5‑三(2‑羟乙基)氰尿酸颗粒以不同质量比溶于N,N‑二甲基乙酰胺溶液中制成混合溶液，再涂膜后进行烘干的方法制备而成。本发明可获得1,3,5‑三(2‑羟乙基)氰尿酸‑聚甲基丙烯酸甲酯复合薄膜的制备方法及应用。

公开(公告)号：CN117866248A

公开(公告)日：2024-04-12

申请号：CN202311635279.6

申请日：2023-12-01

Applicant: 哈尔滨理工大学

Inventor： 岳东 ,  张永 ,  冯宇 ,  张文超 ,  滕宇

IPC: C08J5/18 ,  C08L33/08 ,  C08L75/04 ,  H01G4/18

Abstract: 一种高击穿和高介电的聚氨酯介电弹性体‑聚丙烯酸甲酯复合材料的制备方法及应用，涉及复合薄膜制备技术领域。本发明的目的是为了解决以聚丙烯酸甲酯为基体的传统复合材料不能兼具高介电常数和高击穿场强的问题。本发明一种高击穿和高介电的聚氨酯介电弹性体‑聚丙烯酸甲酯复合材料的制备方法，聚丙烯酸甲酯颗粒及聚氨酯介电弹性体以不同质量比溶于N,N‑二甲基乙酰胺中制成混合溶液，涂膜后进行烘干的方法制备而成。所述的高击穿和高介电的聚氨酯介电弹性体‑聚丙烯酸甲酯复合材料应用在超级电容器中。本发明可获得一种高击穿和高介电的聚氨酯介电弹性体‑聚丙烯酸甲酯复合材料的制备方法及应用。