公开(公告)号：CN116377426B

公开(公告)日：2023-10-17

申请号：CN202310110939.2

申请日：2023-02-14

Applicant: 哈尔滨理工大学

Inventor： 冯宇 ,  姬中堂 ,  张文超 ,  岳东

IPC: C23C16/505 ,  C23C16/34 ,  C23C16/02 ,  C03C17/28

Abstract: 一种聚酰亚胺基氮化硼涂层的制备方法及其应用，涉及绝缘材料老化技术领域，为了解决传统的化学气相沉积法制备防辐射复合材料过程中受影响因素多、对设备要求高，及传统的掺杂包裹方法制备防辐射复合材料存在易团聚及制备方法困难的问题。本发明将具有优异绝缘性能的氮化硼利用化学气相沉积法将其沉积在聚酰亚胺薄膜的表面，所制得的复合薄膜具有优异的绝缘性能。当表面沉积的氮化硼足够多时，聚酰亚胺表面会形成一层致密且均匀的氮化硼涂层，从而很好的阻碍载流子的进入，提高复合薄膜的绝缘性能，使其对高能电子的防护有更优越的效果。本发明可获得一种聚酰亚胺基氮化硼涂层的制备方法及其应用。

公开(公告)号：CN116377426A

公开(公告)日：2023-07-04

申请号：CN202310110939.2

申请日：2023-02-14

Applicant: 哈尔滨理工大学

Inventor： 冯宇 ,  姬中堂 ,  张文超 ,  岳东

IPC: C23C16/505 ,  C23C16/34 ,  C23C16/02 ,  C03C17/28

Abstract: 一种聚酰亚胺基氮化硼涂层的制备方法及其应用，涉及绝缘材料老化技术领域，为了解决传统的化学气相沉积法制备防辐射复合材料过程中受影响因素多、对设备要求高，及传统的掺杂包裹方法制备防辐射复合材料存在易团聚及制备方法困难的问题。本发明将具有优异绝缘性能的氮化硼利用化学气相沉积法将其沉积在聚酰亚胺薄膜的表面，所制得的复合薄膜具有优异的绝缘性能。当表面沉积的氮化硼足够多时，聚酰亚胺表面会形成一层致密且均匀的氮化硼涂层，从而很好的阻碍载流子的进入，提高复合薄膜的绝缘性能，使其对高能电子的防护有更优越的效果。本发明可获得一种聚酰亚胺基氮化硼涂层的制备方法及其应用。